业界首款1Tb 321层NAND已开发完成，2025年上半年供货。

“Three Plugs”工艺技术带来堆叠技术突破，提升速度和功率效率。

有望成为全栈式AI内存提供商，增强AI存储领域的竞争力。

SK海力士宣布已经开始量产全球首款基于三级单元的321层4D NAND闪存，容量为1Tb。

自去年6月成为业界首家提供全球最高238层NAND的供应商，此次通过突破堆叠技术，成为全球首家提供300层以上NAND的供应商。

计划从明年上半年开始向客户提供321层的产品。

公司成功采用了“Three Plugs”工艺技术，实现了300层以上的堆叠。

针对该工艺开发了一种低应力材料，同时引入了自动校正插头之间对准的技术。

通过在321层产品上采用与238层NAND相同的开发平台，还可以将工艺切换带来的影响降至最低，从而使生产率提高59%。

数据传输速度提升12%，读取性能提升13%，数据读取能效提升10%以上。

计划通过将321层产品提供给需要低功耗和高性能的新兴AI应用，稳步扩大使用范围。

SK 海力士表示，最新产品使公司距离AI存储市场的领导地位又近了一步，该市场以AI数据中心和AI设备上的SSD为代表。

正通过在HBM主导的DRAM业务基础上增加超高性能NAND领域的完美产品组合，向全栈AI内存提供商迈进。