众所周知，目前的大规模芯片制造，均是基于光刻技术路线。而光刻技术中，最重要的是光刻机，它必不可少，没有任何可以替代的。

目前全球仅4大前道光刻机（芯片制造的光刻机）厂商，分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子。

不过，这4大厂商中，ASML拿走85%以上份额，尼康、佳能再拿走15%，上海微电子几乎为零，就是打酱油的。

另外ASML的最牛之处，并不是85%的市场，而是EUV光刻机，只有它一家能够生产，浸润式DUV光刻机，它拿走95%份额。

具体的档次、水平如下图所示，大家一看便知，这4家厂商的真实水平如何。

不过，前段时间，官方权威机构公布了一台国产氟化氩光刻机，这台光刻机采用193nm波长，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，一时让人兴奋了。

不过，后来经过专业人士分析对比，发现实际上它还是一台干式DUV光刻机，并没有跨进浸润式DUV光刻机的行列。

另外从对标的情况来看，它与ASML旗下的TWINSCAN XT：1460K应该是最为接近，而它是2015年推出来的。

更重要的是，ASML在2003年就推出了第一代浸润式光刻机，这台浸润式光刻机，实际上比TWINSCAN XT：1460K更先进。

所以大家认为，如果从实际的水平，研发进度来看，国产光刻机，落后ASML应该有20年左右，这个是比较客观的事实。

当然，理论上来分析确实如此，但是大家忽略了两点：

1、这台光刻机，采用的是全国产供应链，这就是巨大的进步。

要知道ASML之所以这么厉害，是因为它和将全球的供应链绑上了自己的战车，很多的核心供应链，更是和他完全绑在一起，不对外提供配件，比如蔡司等。

所以其它厂商的光刻机，才这么难产，而国产光刻机，虽然只有干式DUV，却实现了元件的国产化，采用了非美工艺和产业生态搞出来的，这就很牛了。

2、这台干式DUV光刻机，已经达到了DUV光刻机的极限了，离浸润式DUV光刻机，也只有一步之遥了。

按照光刻机的发展方向和路线来看，就是从第四代干式技术ArF，走向第五代浸润式技术ArFi，然后再入手第六代极紫外线光刻机EUV，是这么一个技术方向。

而分辨率≤65nm的光刻机，是浸润式光刻机前的最后一代了，也就是第4代了，再前进一点，就是浸润式了。

而和浸润式相比，这种光刻机，其实光源相同，工作台相同，唯一不同的是有一套浸润式系统，这个是指在晶圆上方，会有一层水来做介质，使193nm波长的光线，经过水之后，变成等效134nm的波长。

可见，这个是第二点最大进步，这个就是浸润式的前一代，再努力一下，突破到浸润式，那我们就完全不用担心了，浸润式光刻机最高生产5nm芯片都是可行的。