本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

一些组件公司正在亏本出售他们的高价客户端 SSD。

根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，DRAM 方面，从组件剥离的 reball DDR4 和 DDR5 芯片持续流入现货市场，对市场前景产生不利影响。至于 NAND 闪存，2024 年第三季度的合约价格已显示出松动的迹象。一些组件公司甚至亏本出售他们的高价客户端 SSD，以摆脱库存并减少整体损失。详情如下：

DRAM 现货价格：

从模块中剥离的 Reball DDR4 和 DDR5 芯片继续流入现货市场。由于 reball 芯片的价格低于 eTT 芯片且质量良好，因此这些产品对市场前景产生了不利影响。此外，面对越来越大的销售压力，一些库存水平较高的组件厂开始降价，主要集中在清理库存上。总体而言，现货市场在短期内不太可能出现显著改善。主流芯片（即 1Gx8 2666MT/s）现货均价从上周的 1.964 美元下跌 0.10% 至本周的 1.962 美元。

NAND Flash Spot 价格：

2024 年第三季度的合约价格已显示出松动的迹象，加上市场对未来前景持保留态度，这导致零售和渠道市场出现相当程度的截断。一些组件公司甚至亏本出售他们的高价客户端 SSD，以摆脱库存并减少整体损失。这种现象可能会持续到 2024 年第四季度。本周 512Gb TLC 硅片现货价格下跌 3.73%，至 2.710 美元。

在去年经历了从短缺到过剩的剧烈波动之后，人工智能帮助提振了内存销售。虽然其推动了高带宽内存（HBM）和固态硬盘（SSD）的销售，但消费电子产品的低需求使其完全复苏遥遥无期。TrendForce最近发布的一份报告指出，DRAM现货价格正承受着下行压力，尤其是DDR4和DDR5，其中前者的跌幅最大，旺季表现不佳是主要原因。

TrendForce表示，现货卖家仍面临抛售库存的压力，导致市场出现轻微抛售。不过，TrendForce也指出，库存水平并不像之前那样过高，这意味着尽管市场条件不佳，但抛售压力仍将保持在可控范围内。遗憾的是，现货价格并没有稳定的迹象，尤其是现在三星电子已决定以较低价格出售从淘汰型号中回收再制造的DDR5芯片。这些再制造芯片的充足供应对DDR4芯片施加了更大的下行压力。

同样，ZDNet Korea也指出，中国制造商正在积极扩大生产，这可能会“对传统DRAM的盈利能力产生负面影响”。三星电子和SK海力士正在密切关注这一情况，因为中国存储企业的激进DRAM扩张可能会对韩国存储制造商的销售和利润产生负面影响。尽管市场份额较低，但中国存储企业5%市场份额仍可能影响价格。

同样，NAND闪存现货价格也受到市场压力。由于消费品市场持续低迷，以及客户端SSD、嵌入式产品和存储卡交易不振，一些制造商对2024年余下季度的市场稳定持悲观态度。由于市场状况持续不佳，现货价格已小幅连续下跌。

据TrendForce分析，当前市场疲软状况将持续至2025年上半年，这意味着尽管人工智能被炒得火热，但市场的复苏还有很长的路要走。与此同时，尽管传统市场整体努力寻求稳定，但人工智能在其各个子领域的需求仍在持续增长。

近期，半导体市场持续承压，存储芯片受到供过于求和价格下滑的影响，进入下行周期。9月13日，摩根士丹利首尔分行下单卖出约101万股SK海力士股票，两天后，大摩将SK海力士的评级从超配下调至低配，目标价从26万韩元大砍至12万韩元，警告内存行业“凛冬将至”。

虽然大摩说内存行业进入下行周期，但野村证券不这么认为。

野村证券分析师CW Chung和Heesoo Min发布报告称：目前内存市场虽然商品价格显著下降，但上行周期仍可能继续。当前投资者对HBN过剩的担忧被夸大了，且野村证券预计美国大型科技公司今年的资本支出将增长近50%，整体AI供应链是否过剩仍然难以确定。虽然行业的年同比增长率因基数效应达到了峰值，但在增长率达到峰值后有两种不同的可能性——行业的年同比可能涨幅收窄至50%左右，也可能大幅下滑至下跌约50%。

野村证券认为，内存行业的整体收益仍可能因为HBM和高端DRAM（如DDR5、LPDDR5、eSSD）的强劲增长而上升。因此，内存公司近期股价过度下跌，可能为投资者提供了良好的买入机会。

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