近两年来，由于华为芯片被卡脖子，手机业务发展陷入停滞，让“中国芯”成为了自来流量的一个话题，不少网友在网上发出疑问：“离开美国，两年之内，国内企业能够造出几纳米芯片？”

“芯片禁令”落地之后，任正非曾在与业内权威人士交流时表示，国内企业虽然拥有世界顶级的芯片设计能力、掌握着较为成熟的芯片制程工艺，但由于光刻机的缺失，我们还无法实现高端芯片的量产。

正如任正非所言，华为海思设计的麒麟9000芯片，至今仍无人超越，却明年即可实现3nm芯片的量产，当然，这也是在条件允许的情况下；中芯国际已经成功掌握“N+1”芯片制程工艺，今年年底前即可在DUV光刻机上实现7nm芯片的量产，且也已掌握“N+2”主要核心技术，不久即可完成5nm芯片制造的测试。

当然了，华为海思和中芯国际还是使用了大量美国技术的，那么，没有了美国技术，华为海思、中芯国际的真实水平又能达到哪一步呢？答案来了，或许你会有点失望！

近日，我在网上看到一张权威媒体制作的表格（2020年表格），这张表格列出了制造“中国芯”的过程中所需的设备和材料，以及所能突破的具体时间。

通过这张表格的详细信息来看，两年之内，我国有望实现14nm纯国产芯片的量产，因为制作这张表格的媒体没有料到中国半导体企业崛起的速度以及打破垄断的决心和信心。

目前，上海微电子已经成功研制出28nm光刻机，年底即可交付给下游企业使用，且可以通过多重曝光等工艺，可实现14nm芯片的量产。除此之外，南电光大已经成功量产可以用7nm芯片的光刻胶。

看到这个答案后，或许会有不少人顿感失望，毕竟当今主流的智能手机芯片为5nm，且明年就会进入3nm芯片时代，我国明年才能实现14nm芯片的量产，而且还是通过技术上的革新，增加制造成本才能完成的，不免会让我们产生失望的情绪。

但笔者认为，我们不能小看14nm芯片，截止至今日，电脑、汽车、电视、物联网设备使用的主流芯片还是28nm芯片，我们能够在这么短的时间内制造出，就在一定程度上降低了被断供的风险，对中国科技的发展有着里程碑式的意义。

随着14nm“中国芯”的量产，国内相关产业必定会被带动起来，实现“2025年70％芯片自给率”就不会是一句空话。

当然了，限制中国芯发展的还是光刻机，只要我们能够制造出高端光刻机，尤其是EUV光刻机，我们必定能实现高端芯片的量产，彻底打破芯片封锁。

当然了，EUV光刻机是全人类智慧的结晶，凭借我国现有的基础工业水平，短时间内还是制造出来的，只要我们能够掌握EUV光刻技术，寻找到被美国垄断的元器件替代品，我们就是实现“中国芯”的伟大复兴。