上世纪我国第一颗原子弹爆炸成功之后,世界为之震惊,国人也为此自豪。如今时过境迁,在岁月洪流的推动之下,出现了一种比原子弹还稀有的东西,它就是光刻机,其制造难度属于“地狱级别”。
为什么光刻机如此难造?
因此到目前为止,全世界仅有两个国家掌握了制造光刻机的主流技术。
那么,到底什么是光刻机?掌握这项技术的国家又是哪两个?为什么光刻机的制造会这么困难?接下来,就让我们一起来看看被誉为新时代“神器”的光刻机究竟有什么特殊之处。
光刻机的总体结构示意图
光刻机的发展历程随着互联网的普及,人类步入了真正的信息时代,而信息时代的关键产业当然就是IT了,那么IT最核心的东西是什么呢?
自然是半导体集成电路(IC)芯片制造技术,也叫做微电子技术。
人类高科技的产物——芯片
在这项技术当中,最为重要的就是“光刻技术”,因为它的进步可以使摩尔定律不断延伸,让更多的“高端芯片”得以出现。
相信大家都有感觉,现在的芯片与从前的芯片相比起来,不仅在性能方面有了很大的提升,就连“个头”也是在做减法,而这其中的的奥秘就在于“光刻机”。
光刻机种类示意图
它对可制造材料有着丰富的兼容能力,且能在“纳米尺度”对器件任意的几何构型都有一定的支持能力,使得小小芯片当中容纳的晶体管数量越来越多。
资料显示,从1968年半导体IC由实验室走向工业大生产算起到现在,集成度提高了约百亿倍,最小特征尺寸图形的加工线条宽度缩小到原来的约1/10000。一张小小的芯片就含有几十亿个晶体管
当然作为一项可以与原子弹制造比肩的高新技术,光刻机的发展也是经过长期积淀的,所以根据所用光源的改进以及工业创新,光刻机前后经历了大约“5代产品”。
第一代为接触式光刻机,掩模会和光刻胶直接接触,使掩膜版和基片都易受到损伤。第二代是接近式光刻机,掩膜版与基片之间的间隙虽然使得这一代的寿命变得很长,但是成像质量也受到了影响,分辨率明显下降。
到了第三代时,就已经有了明显进步了,属于扫描投影式光刻机,在这种技术下光学曝光分辨率增强得到了突破,将光刻推向了深亚微米和百纳米级别。
投影式光刻机与照相机的对比示意图
至于第四代步进式扫描投影光刻机,就实现了在光刻过程当中掩模和硅片同步移动,将芯片的“最小工艺”节点再次拔高。
第五代EUV光刻机,就是现在各国追求的尖端光刻机。因为这个光刻机,已经将最小工艺节点推向了一个“极限”。
资料显示,EUV光刻机采用波长为13.5nm的激光等离子体光源作为光刻曝光光源。使其波长达到193nm的1/14,几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限,将最小工艺节点推进至7nm。全球首台EUV光刻机原型
说到这,可以看出光刻机一路的发展其实都算是在挑战“极限”,不断靠近最小工艺节点。那么,大家认为能够拥有如此高超的研发能力,掌握这样核心技术的国家会是哪两个呢?
许多人可能第一时间就想到了美国,毕竟美国一直在不少领域都掌握了核心科技。但实际上,掌握主流光刻技术的两个国家分别是荷兰和日本,就连美国的光刻机也只能依靠进口。
全球光刻机市场格局示意图
在这之中,荷兰的阿斯麦尔公司主导高端市场,日本的尼康和佳能则占据了低端市场的大量份额。那么,这只让“两家独大”的光刻机,到底有多难造?
光刻机为何如此难造?其实对于光刻机为什么这么难造的问题,我们可以用第五代EUV光刻机为例子,来找找原因。
首先EUV光刻机的总重量达到了180吨,需要几十个集装箱运输,并且即使运到了地点也要准备一年的时间等待安装调试。可以看出,光刻机绝对不是大家想象中的“小玩意儿”,它是非常庞大和复杂的。
每一个零部件的调试都至关重要
目前的高端光刻机的制造主要面对几个技术难题,第一就是解决“光源”的问题。
由于要实现更精细的工艺节点,光刻机必须要把光刻画成直径极其微小的线条,而这个初始光源就显得尤为重要了。
EUV光刻机使用的是13.5纳米的极紫外线,这种紫外线是短波紫外线多次反射后得到的。而得到这个光的方法,不亚于用乒乓球打苍蝇,而且是每秒要打五万次,次次都得击中。
光刻机的工作过程示意图
第二就是工作台的高精度移动,因为要配合芯片加工的情况,工作台在工作的时候必须要保持同步精准,不然即使光刻技术没问题,也会因为细小的偏差功亏一篑。此外还有耗电、反射镜等高新技术问题,都是光刻机能否顺利制造的关键。
当然,技术难题只能算是其中的一个“小巫”,因为各国对于光刻机的制造都很上心,所以随着技术的研发,许多技术上的难题都将被解决。因此最大的问题其实在于,咱们上文中说的,光刻机本身是非常庞大和复杂的,它内部的各个零件都来自于不同的国家和公司,算得上是真正的“大杂烩”。
光刻机的内部结构精密复杂
就用荷兰阿斯麦尔公司制造的EUV光刻机来说,这个光刻机中有10万多个零件,其中90%的关键设备都来自其他国家,该公司只负责整机设计和各模块集成。
可以看出,想制造光刻机仅有核心技术是不够的,因为许多零件都要依靠进口,在这种情况下,想独立制造,肯定是极难做到的。
ASML的EUV光刻机
简单来说,光刻机算得上是凝聚了各国人才心血的产物,其原材料来自五湖四海。而荷兰和日本虽然已经在这个领域独占鳌头,但是也无法实现“整机国产化”生产,依旧需要全球上下游产业链的供给和支持。
除此之外,光刻机的研发经费过高也是一个关键的问题。尤其是在前期研发并无法量产的情况下,几个亿砸进去就像是石子落入大海一样,有时候连个“响”都听不见。
光刻机的研发难度难以想象
因此,不少国家在衡量了利弊之后,还是选择了直接进口。毕竟想靠着自己研发并且生产,实在是太费劲儿了。可能等到光刻机的制造难度再降低一些,未掌握核心技术的国家才会选择继续研究。
值得一提的是,由于各国之间存在“政治博弈”,所以我国的芯片制造领域一直面对着很大的难题。
虽然近年来,国家对于光刻机制造十分关注,甚至出了不少钱投资研究,但是我国的光刻机想真正“落地”还有很长的路要走。
正在研发国产光刻机
我国光刻机研发面临的挑战首先就是我国目前依旧缺乏高性能光刻机制造技术,从光刻机的发展历程就能看出,它对于工艺节点的要求越来越高。
高性能的光刻机当中集合了德国的蔡司镜头技术、美国的控制软件和光源以及日本的特殊复合材料等等。而以上这些,都是咱们的短板。
组件众多的光刻机内部
其次就是高端光刻胶主要依靠进口,比如适用于12寸硅片的ArF光刻胶就是完全依靠进口的。从目前的情况来看,高端光刻胶当中日本所占的份额最多,其中生产的企业有日立化成、东京应化、日本富士胶片等等。
此外其他用于制备光刻机的原材料也常常出现短缺的情况,尤其是在政治博弈的背景之下,我国在这方面总是会被“卡脖子”。
最后就是人才短缺的问题,以目前的情况来看,国内缺乏高技术人才,并且在半导体企业规模小待遇低的情况下,许多人都不会选择这个行业,人才流失极为严重。
国产光刻机的研发之路任重而道远
由此可见,如今想造出这种比原子弹还稀有的东西并不容易,尤其是想“独立制造”的话,肯定是需要“厚积薄发”的,大家不妨就耐心等待吧。
没有任何一个国家能严格意义上掌握!它里面的东西全是各个国家的高精尖技术结晶,包括有中国的技术,我以前看到过这方面的报道
总会有的