我国半导体取得新突破！西安邮电研发团队在8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片！
就在最近，西安邮电传来好消息。西安邮电大学陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我国半导体领域在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
而氧化镓是公认的第4代半导体材料。目前人类对于半导体材料的研究共分为4个代际，第1代就是以硅和锗为主的半导体材料，也是目前应用范围最广的半导体材料。不过第1代半导体材料的发展已经接近摩尔极限，所以各国都在寻找新的替代。第2代半导体材料是以砷化镓为代表的，主要用于制造毫米波器件，微波器件等。第3代半导体材料以氮化镓为主，由于具有很高的导热性，能所以一般用来制作快充充电头。而第4代半导体材料就是氧化镓，氧化镓的优势是击穿电场强度高，导电电阻低，具有广阔的应用前景，像是光伏、电动汽车等领域都是其应用范围。
我们在半导体领域一直被“卡脖子”，但所有技术都有被新技术取代的一天。只要我们在创新的道路上不断前进，就终有“弯道超车”的一天！
