电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近日据韩媒报道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采购意向，并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉此次欲采购通用HBM4芯片，是为了强化超级电脑Dojo的性能。Dojo超级电脑是特斯拉用于自动驾驶技术开发和训练的重要工具，需要高存储器带宽来处理大量数据和复杂计算任务。据称，目前特斯拉汽车主要配备了HBM2E芯片。 而今年10月有消息表示，SK海力士在汽车内存领域取得了显著进展，已向谷歌母公司 Alphabet 旗下自动驾驶企业 Waymo 独家供应车规级 HBM2E 内存。并且SK 海力士是目前市场上唯一一家能提供符合严苛AEC-Q车规标准的HBM芯片制造商。SK海力士正积极与NVIDIA、Tesla等自动驾驶领域解决方案巨头的合作将HBM的应用从AI数据中心拓展到智能汽车市场。 除了特斯拉欲采购通用HBM4芯片之外，三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片。可以看到，这些科技巨头在不同领域都在推进HBM4芯片的商用进展。 当前内存厂商也正在积极进行HBM4芯片的开发。SK海力士计划在明年下半年量产12层HBM4，核心芯片采用1b DRAM，同时采用台积电5nm工艺和12nm工艺量产逻辑芯片。还有报道称，SK集团董事长崔泰源透露，英伟达CEO要求SK海力士将HBM4芯片的供应提前六个月。SK海力士首席执行官表示，这是有可能做到的。 同时，SK海力士正在开发16层堆叠的HBM4内存，并计划于2025年量产。使用台积电的5纳米工艺来创建HBM4封装底部的基底芯片，并计划引入混合键合技术以减少存储芯片堆叠缝隙的高度，实现更多层数的堆叠。 另外，HBM4E方面，SK海力士正在开发HBM4E产品，计划于2026年量产。根据SK海力士HBM封装路线图，公司将从HBM4E开始采用混合键合技术来堆叠和接合DRAM。 混合键合通过硅通孔电极 (TSV) 直接连接铜与铜，它不需要HBM目前使用的微凸块。不需要底部填充材料。它不仅最大限度地缩小了顶部和底部 DRAM 之间的间隙，而且没有微凸块电阻，因此信号传输速度快，热量管理高效。 SK海力士预计具有20级或更多级的第8代HBM“HBM5”将转换为完整的混合键合系统。此外，还提出了引入三维（3D）封装的可能性。也就是将HBM堆叠在处理器顶部的方法，预计硅中介层和基板等封装组件将发生重大变化。 三星电子HBM3E的认证也处于进展中，最新消息是英伟达CEO黄仁勋近日表示，目前正在努力尽快进行三星电子高带宽内存（ HBM）认证。英伟达正在考虑接收三星电子交付的8层和 12层HBM3E。 三星电子设备解决方案（DS）部门存储业务部副总裁 Kim Jae-jun 在第三季度业绩电话会议上表示，“我们正在量产8层和12层第五代HBM3E，并正在为主要客户完成质量测试过程中的重要一步，目前已完成资格认证过程中的一个重要阶段，预计将在第四季度开始扩大销售。” 据韩媒报道，三星电子将于今年底开始HBM4的流片工作，HBM4测试产品预计最早明年发布，三星将在验证最初生产的HBM4产品的运行情况后，继续进行设计和工艺改进，然后再对主要客户进行产品送样。预计明年年底量产12层HBM4 产品。从HBM4开始，三星电子计划采用10纳米第6代（1c）DRAM，并使用其4纳米代工工艺量产逻辑芯片。为此，三星电子正准备向平泽P4工厂引进DRAM处理设备，线路建设已全面启动，目标是明年6月投入运营，生产第六代1c制程 DRAM。