虽然美国对中国芯片业的打压在不断升级加码，但是中国芯片业几年下来，似乎越来越好了！
最近有三个消息可以反映中国芯片业的现况！
一、2024年1-7月中国芯片出口比同期增长25.8%
经受了去年市场压力和行业洗礼之后，2024年以来我国集成电路行业逐渐恢复“活力”。
国家统计局发布数据显示，今年1-7月份，我国集成电路产量达2445亿块，同比增长29.3%。海关总署发布的统计数据，今年前7个月，我国集成电路出口总额达到6409.1亿元，同比增长25.8%，累计进口额同比增长14.4%。
这些数据表明在中低端芯片，中国芯片并未受到美西方打压的影响。
二、我国半导体制造核心技术实现突破在高端芯片，比如用于AI方面的高端GPU，虽然中国还受到较大限制，但并不说明中国就会坐以待毙。
前几天，澎湃新闻报道，“我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺”。
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在多种多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，主要用于高端芯片的制备上。这一技术的突破，有利于我们的高压功率芯的国产化。
功能率芯片是可以处理高电流和高电压的芯片，通常用于电源管理、电机驱动和照明等，广泛应用于多个领域，包括无线通信、医学、工业自动化、音频放大、电力传输、电磁场感应等。
而高压功率芯片广泛应用于智能电网、轨道交通、风力发电等市场。氢离子注入技术的突破，使得中国摆脱了600V以上高压功率芯片长期依赖进口的局面。
三、我国研制出极紫外源新专利方案中国工程科技知识中心的消息，上海微电子公开了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，该专利的申请日期为2023年3月9日，涵盖了极紫外辐射发生装置及其在光刻设备中的应用。
极紫外光刻技术的设备，就是大家经常提到的EUV光刻机，目前ASMLEUV光刻机使用的极紫外光源技术原理是用高功率激光击打金属锡，产生等离子体，从而辐射出极紫外光。ASML采用的这种光源方案，在轰击锡时产生的锡碎屑(带电粒子)向周围扩散时，极易污染收集器镜，会影响收集器镜的使用寿命。
而上海微的专利提出了一种创新方案，先利用电场约束带电粒子的运动轨迹，促进带电粒子被高效收集至电极板上，再利用氢自由基与带电粒子反应形成无害气体并排出系统，进一步净化了腔体环境；同时通入惰性气体在腔体内可形成稳定流场，以阻止带电粒子扩散至收集器镜。
这种方案可以高效且简便的收集带电粒子，以提高光刻机收集器镜的使用寿命。
上海微的这项专利对我国解决EUV光刻机具有重要意义！
