阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，

阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 彼得·温宁克在多个场合评估，中国光刻设备与国际前沿差距达10-15年。这种判断基于技术指标对比，中国企业主要用深紫外系统处理90纳米工艺，但3-5纳米需极紫外设备精确曝光。 上海微电子推出90纳米机型，推进28纳米，但极紫外光源功率仅为阿斯麦几分之一，光学精度落后一个数量级。阿斯麦从2000年代投入数百亿欧元，联合蔡司和赛默，解决光源不稳，如用锡滴激光激发，每秒脉冲上万次，转换效率达百分之几。实验室模拟工厂迭代镜面涂层，减少光损失，2010年代实现批量交付。 温宁克指出，无阿斯麦极紫外设备，中国独立完成3-5纳米工艺障碍重重，核心组件需数据积累。中国团队试激光等离子体，但稳定性不足，无法连续生产。软件优化曝光参数，阿斯麦有海量工厂数据，中国缺乏验证。行业报告显示，中国需额外十年攻克瓶颈，支撑温宁克观点。2023年采访中，他强调差距非静态，中国补贴加速追赶，但短期难逾越。 温宁克明确表示，停止供应极紫外设备限制技术向中国转移。从2019年起，荷兰受美影响暂停出口许可，阿斯麦仅提供旧款深紫外机型。2023年限制扩展到部分深紫外，影响中国工厂升级。温宁克在会议上提，这种政策源于地缘担忧，董事会评估风险，遵守规定。 中国成熟制程自给率从百分之十几升至四十多，覆盖汽车电子，但先进依赖进口。阿斯麦中断供应维持产业链格局，避免中国成本优势挑战市场。英特尔三星排队采购，凸显阿斯麦地位，但增加依赖。温宁克推动产能投资，对中国出口保持严格。 阿斯麦极紫外系统超十万部件，全球五千供应商协作。核心光源真空生成13.5纳米波长，稳定性高。中国深紫外缩小差距，但极紫外瓶颈如光学和软件明显。温宁克2024年退休前重申，断供短期有效，但可能促使中国创新，如芯粒封装结合28纳米芯片，性能接近7纳米。台积电施压阿斯麦放宽中国出口，失去市场冲击业绩。中国企业推进芯粒，2025年规模应用服务器人工智能，避开壁垒，为攻关时间。 温宁克认为，进一步禁售先进设备会迫使阿斯麦牺牲过多。他指出，美国厂商能向中国卖EUV制处理器，却禁阿斯麦供机，存在双标。平均军用芯片技术落后10-15年，禁售EUV已占阿斯麦收入一半。2024年表示，美中芯片争端基于意识形态，可能持续数十年。阿斯麦在中国运营30年，有义务保护员工客户，游说政界避免过严规则。