980亿元,三星宣布储存芯片提价15%-20%,国产存储芯片压力巨大

科技铭程 2024-06-30 21:48:10

近日,三星电子宣布将旗下的存储芯片,包括DRAM和NAND闪存在第三季度提价15%-20%,理由是人工智能的需求激增。

要知道三星在第二季度已经将企业级NAND闪存价格提升了20%,加上这次提价,部分产品价格提升了40%。

但这还没完,市场分析预计整个存储芯片价格将在年内上涨50%,这对中国芯片市场来说绝不是什么好消息。

中国一直是芯片进口大国,尽管近几年国产芯片有了很大提升,产能也有了很大提升,但同时因为新能源汽车、人工智能的发展,芯片需求也日益增长。所以整体算下来,我们进口芯片数量下降并不是很大。

2023年,中国进口芯片额同比下降了15.4%,但仍达到了3494亿美元,约合人民币25400亿,其中存储芯片进口额度为900亿美元左右,约合人民币6540亿。

那么随着三星存储芯片的提价,我们的进口芯片价格势必会大幅提升,我们按照最低涨幅15%计算,就要多花费980亿人民币,如果按照全年50%目标涨幅计算的话,仅在存储芯片方面就要多花费3270亿元。

这个绝不是耸人听闻,因为三星是全球最大的存储芯片厂商,它的涨价具备示范作用,其他厂商会立即跟随。

根据相关数据,三星存储芯片份额达到了40%,位居全球第一,排在第二位的是SK海力士、整体份额接近30%,美光排在第三位市场份额为25%左右。

这三家公司把控了全球超过90%的存储芯片,其中DRAM市场达到了恐怖的95%,NAND闪存也超过了90%。

更为尴尬的是,这三家企业“穿一条裤子”。三星、SK海力士表面上是韩国的企业,但其背后大股东是美国资本,美光则是妥妥的美国企业。

所以在这种情况下,三星上调存储芯片价格,意味着全球存储芯片价格将迎来一波上涨。

当然,我们国内也有存储芯片厂商,制造DRAM的长鑫存储、制造NAND闪存的长江存储。

长江存储成立于2016年7月,背靠紫光集团、国家大基金,又继承了武汉新芯的技术经验,曾一度成为了中国存储芯片的希望。

公司成立之初就拿出了2000亿资金,在南京筹建月产能10万片的存储芯片基地,这个大手笔在全球都很罕见。

之后,长江存储又在工艺上下功夫。

2017年11月,实现32层 NADA Flash量产,工艺水平进入前五;

2019年底,实现量产64层 NADA Flash量产 ,工艺水平进入前四;

2020年4月,实现128层 NADA Flash商用,超越美光,工艺水平进入全球三强。

2022年8月,全球首发232 层3D NAND 结构,领先三星、SK海力士,成为当时的全球第一。

工艺实现逆袭超越的同时,市场份额也水涨船高增长到了4%,公司也制定出了短期6%,长期20%的宏伟目标。

但随着美、日、荷对半导体设备的限制,长江存储在产能和先进工艺上受到了限制,因为长江存储,对美、日、荷设备的依赖程度高达75%,国产设备占比仅为15%左右。

长江存储董事长陈南翔气愤的表示:依法合规买回来的设备连零件也拿不到,如果要公平、诚信,就应该在新的条件下把设备回购。

与此同时,另一家存储芯片企业长鑫存储也遭遇着类似的情况。

长鑫存储成立于2017年,在奇梦达留下的芯片技术基础上,进行了升级改造,开始进入DRAM市场。

背靠国家大基金,发展很快,到了2019年9月,长鑫存储量产了19nm DDR4 芯片,进入国际主流行列。

2020年4月,与美国半导体公司蓝铂世签署了专利许可协议,获得了大量的DRAM技术专利。

2021年长鑫存储产能扩大至6万片/月,2022年产能进一步达到12万片/月,全球市场份额突破3%。

但是长鑫存储和长江存储存在一个共同问题,那就是严重依赖海外设备,在半导体设备出口限制下,产能也出现了下降,全球份额下降至2.6%。

2023年第四季度,全球存储芯片市场份额上,长江存储、长鑫存储都被归类于“Others”。

之后,三星开始对存储芯片价格提价,部分产品价格已经较低点实现了近一倍的涨幅,这让三星、SK海力士等存储巨头赚的盆满钵满。

今年一季度,三星电子净利润达到357亿元,同比暴增3倍,SK海力士由亏损转为盈利150亿。

这些利润,中国市场贡献了很多,因此三星堆涨价十分执着,一位半导体业内人士表示:涨价不仅仅是下一季度的计划,更是全年的计划,因为供应商占市场主导地位,因此最终涨价会高于15%-20%。

此外,三星还积极开发HBM(高带宽存储芯片)

HBM是是一种新型的CPU/GPU内存芯片,因为价格较高,很多厂商并不适用这类型的存储芯片,但是随着人工智能的发展,催生海量算力需求,对芯片内存容量和传输带宽要求更高。

而HBM恰好能够满足这一条件,于是各大存储厂商开始在该领域展开激烈的竞争。

三星、SK海力士、美光均增加了在HBM领域的投资,三星更是成功的研发出业界首款HBM3E 12H高带宽存储芯片,看来三星在存储芯片领域的技术和实力绝不容小觑。

三星介绍HBM3E 12H采用了先进的12层堆叠技术,实现了36GB大容量,全天候带宽达到了惊人的1280GB/s,相比前代产品有了显著的提升。

如果英伟达使用上三星这款芯片,将会让其GPU如虎添翼,这对中国的AI芯片,乃至整个AI产业都是不利的。

而华为的昇腾芯片如果使用上这款芯片,也会出现质的提升,将会缩小与海外先进算力芯片的差距。

在全球“all in”人工智能的时代,高带宽算力芯片无疑成为了角逐的焦点,海外厂商正在不断的增加资金投入,提升存储芯片的容量、速度和稳定性。

这对国内存储芯片厂商也提出了新的挑战,不但要追赶DRAM、NAND闪存,还要追赶HBM,否则在技术落后,产能不足的情况下,国外厂商将会持续的“割韭菜”。

我们花费大量的资金去购买“二等货”,会让技术差距越来越大。

国产芯片需要资金投入,更需要留住人才,科技之间的竞争,归根结底就是人才之间的竞争,同时还要把资金花在刀刃上。

中国背靠14亿人才库,每年上千万的大学毕业生,人才自然不少,但如何留住、用好,还需要下功夫。

作为全球第二大经济体,集中力量办大事这是我们的优势,但是如何将这些庞大的人力、财力用在刀刃上,也是需要下功夫的。

只要这两个“功夫”做好,就不愁中国芯片实现不了逆袭超越,您说呢?

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