新技术出现：BEUV技术接续EUV光刻机！

众所周知，近几十年来，光刻技术已成为芯片生产的主要技术。光源用于将芯片的电路图投射到硅晶片上，而最重要的设备就是光刻机。

光刻技术在芯片生产过程中占有重要地位，直接关系到芯片的生产水平和性能。

40 多个专业领域，如光刻技术、集成物理、光学、精密仪器、聚合物物理和化学、数学、材料、自动化、流体力学、高精度环境控制和软件。

换句话说，世界上有能力生产光刻机的公司只有 ASML、尼康、佳能和上海微电子，其中 ASML 垄断了 90% 的市场。

光刻技术分为三个主要方向，第一个方向是波长，虽然波长缩短了，但技术却发展迅速，从 435 纳米到 365 纳米、248 纳米，然后是干法，再到 193 纳米，最后是 13.5 纳米的 EUV。

选定光源后，有必要增大 NA 光刻透镜的数值孔径，使光束以更大的能量通过透镜，从而提高图像的效率和分辨率。

第三个方面是降低平版印刷工艺中的工艺系数，这是决定光源和系统质量的重要工艺参数。

目前，国际上的极紫外光刻技术主要使用 13.5 nm 和 NA0.55 nm 两种光源，即使成功，难度也很大，成本也很高。

与此同时，极紫外光刻技术已经迈过了难以超越的 0.25 门槛，因此极紫外光刻技术正面临着巨大的挑战。

因此，ASML 表示，由于光刻工艺中的 NA 值已达到临界水平，进一步提高 EUV 光刻质量将非常困难。

因此，光刻技术的下一步发展仍然取决于光源的波长，但我们知道，光刻工艺会随着波长的变化而变化。

G 线、I 线、KrF、ArF、EUV 这三个阶段主要是光源升级，随后是各种光源的升级、驱动电路的更换以及光刻工艺各种因素的改变。

但是，当波长超过 13.5 纳米时，波长是如何变化的呢？科学家们发现了一种名为 BEUV 的新方法。

该项目建议使用比 EUV 更短的 13.5 纳米光源，以提高聚焦深度和处理精度。

通过使用波长为 6. Xnm 的波长，还可以在重新校准之前提高光刻工艺的 NA 系数。

专家预测，BEUV 光刻技术将在 2035 年后完全取代 EUV，只有 BEUV 光刻技术才能满足 1 纳米以下工艺的要求。

当 BEUV 技术到来时，我们不应该急于求成，等待别人赶上我们的供应链，从而达到国际标准，而不是让光刻技术卡住我们的喉咙，我们只能眼睁睁地看着。