有小伙伴让我出一期如何计算MOS管的功耗，今天VBsemi小编就来讲一讲关于MOSFET 的功耗情况。
通常大家在计算MOSFET功率损耗时，都会采用简单的计算公式：P=Id*Id*Rds(on) ，但这只是MOSFET损耗的一部分，MOSFET的功耗包含几部分呢？
MOSFET的功耗（PI）
主要分为三种：驱动损耗（Pdr）开关损耗（Psw）和导通损耗（Pc），开关损耗（Psw）又可以分为开通损耗、关闭损耗和二极管的反向恢复损耗。
今天我们先来看MOSFET的开通过程
当这个上管的MOSFET打开时，输出电压从0变为UDr，这个时间常数是由Rg和Ciss（输入电容）的乘积来决定的。在栅极电压达到UGS之前，输出不会改变。（ID=0A，UDS=UDD）。
当栅极电压达到UGS(th)之后，iD开始上升，在这个电流上升时间内，续流二极管依然导通，漏源VDS电压为UDD。
我们需要将这个二极管关闭，就要除去存储在其中的所有少数载流子。
这种反向恢复电流会被MOSFET吸收，造成额外的功率损耗。而这个反向恢复电荷（Qrr）和持续时间（trr）的最坏情况值将用于功率损耗的计算中。
当二极管关闭后，漏源极电压从UDS=UDD下降到其on状态值。当米勒效应发生以后，栅源电压被钳制在UGS=U。
漏源极电压的斜率由栅极电流和栅漏电容（CGD=Crss）决定。
为了计算电压下降时间（tfu）在合理的精度下，必须考虑栅漏电容的非线性。这种非线性很难纳入工程计算中。这就是为什么使用两点近似法。
假设漏源极电压在范围uDS∈[UDD/2，UDD]，则栅漏电容取CGD1=CGD（UDD）。
另一方面，如果漏源极电压在UDS范围内∈[0V，UDD/2]，栅极-漏极电容取CGD2=CGD。
下降时间内的漏源极电压在图B中用虚线表示，因为此近似值仅用于确定UDS电压下降时间（以及关断期间UDS的上升时间）。假设漏源极电压可用线性形式（图B中的实线）。
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