芯片设计商英伟达（Nvidia）和博通（Broadcom）正在使用英特尔（Intel）的18A制造工艺进行芯片制造测试。这一消息表明这两家公司对英特尔的先进生产技术充满信心。测试旨在评估英特尔18A工艺的性能和功能，以确定是否将价值数亿美元的制造合同交给英特尔。目前，这些测试正在进行中，可能持续数月。AMD也在评估英特尔的18A制造工艺，但尚不清楚是否已将测试芯片送至英特尔工厂。英特尔的18A工艺是经过多年开发的先进制造技术，能够制造先进的人工智能处理器和其他复杂芯片。这一工艺与全球芯片市场的主导者台积电（TSMC）的类似技术直接竞争。然而，英特尔的合同制造业务一直面临延误，尚未宣布任何知名芯片设计客户。
二、分析研判
（一）对英特尔的影响英伟达和博通的测试表明，英特尔的18A工艺正在受到行业关注。如果这些公司最终决定与英特尔合作，将为英特尔的合同制造业务带来巨大的收入增长，并为其在代工市场的竞争力提供有力背书。然而，英特尔的18A工艺交付时间已推迟至2026年下半年，较原计划延迟了六个月。延迟的原因是需要对18A工艺的关键知识产权进行认证，这一过程比预期耗时更久。（二）对英伟达和博通的影响这些测试表明，英伟达和博通正在评估英特尔的制造能力，以决定是否将部分制造业务交给英特尔。如果测试结果令人满意，这两家公司可能会减少对台积电的依赖，从而降低供应链风险。然而，如果测试结果不理想，这些公司可能会继续依赖台积电或其他代工制造商。（三）对全球半导体产业的影响英特尔的18A工艺如果能够成功吸引英伟达和博通等大客户，将对全球半导体制造格局产生重要影响。目前，台积电在全球芯片市场占据主导地位，英特尔的成功可能改变这一格局。此外，英特尔的代工服务业务如果能够取得突破，将为美国恢复半导体制造业竞争力提供重要支持。三、英特尔的18A工艺与台积电相比有何优势
（一）性能方面1、更高的性能表现：根据TechInsights的分析，英特尔的18A工艺在性能上领先于台积电的N2工艺。这是因为英特尔18A工艺采用了RibbonFET环栅晶体管技术，能够实现对电流的精确控制，从而提高每瓦性能、最小电压操作和静电性能。此外，18A工艺还通过不同的带宽度和多种阈值电压类型提供了高度的可调谐性，这对于需要突然且高强度计算能力的现代工作负载（如生成式AI）至关重要。2、PowerVia背面供电技术：英特尔18A工艺引入了PowerVia背面供电技术，将间距较大的金属和凸块重新定位到芯片背面，并在每个标准单元中嵌入纳米级硅通孔，以实现高效的电源分配。这一技术可以将密度和单元利用率提高5%至10%，并降低电阻供电下降，从而使ISO功率性能提高高达4%。相比之下，台积电的N2工艺没有类似的设计，要等到A16工艺才会加入超级电轨架构。（二）晶体管密度方面高密度标准单元晶体管密度：虽然台积电的N2工艺在高密度标准单元晶体管密度上领先（313 MTr/mm²），但英特尔18A工艺的高密度标准单元晶体管密度也达到了238 MTr/mm²。需要注意的是，现代高性能处理器通常会使用多种类型的晶体管单元（如高密度、高性能和低功耗单元），因此在实际应用中，晶体管密度的优势可能会因具体设计而异。（三）功耗方面预期的功耗优势：虽然台积电在近年来的功耗表现上一直处于领先地位，但英特尔18A工艺在功耗方面也有望提供竞争优势。具体来说，TechInsights分析师预测，基于N2工艺的芯片可能会比基于三星SF2工艺的类似芯片更省电。虽然目前尚不清楚英特尔18A工艺在功耗方面的具体表现，但预计其在某些场景下将提供功耗效率优势。
