金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种氧化层的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN119742231A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氧化层的制造方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，以在低温环境下在半导体结构上形成高质量、高致密度、高可靠性、厚度调控范围大、且调控精度高的氧化层。所述氧化层的制造方法包括：提供半导体结构。接下来，在第一低温环境下，在半导体结构上形成第氧化层接下来在第二低温环境下对第氧化层和部分半导体结构进行氧等离子体处理，以使第一氧化层形成第二氧化层；第二氧化层的致密性大于第一氧化层的致密性。所述半导体器件包括：半导体结构、以及设置在半导体结构上的第二氧化层，第二氧化层采用上述氧化层的制造方法制造形成。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币，实缴资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息273条，此外企业还拥有行政许可123个。
本文源自：金融界
