金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，四方光电股份有限公司申请一项名为“一种宽域型氧传感器芯片及其制备方法”的专利，公开号CN119780195A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种宽域型氧传感器芯片及制备方法，芯片基体层由第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层组成；第一介质层上设有泵氧外电极；第一介质层和第二介质层之间设有泵氧内电极；第二介质层和第三介质层之间设有参考电极，第三介质层和第四介质层之间设有加热器；其中参考电极的电极部与泵氧内电极在第三介质层的投影方向上至少部分重合且参考电极的电极部设有离子阻挡层。本发明通过设置参考电极的位置，并在参考电极上设置离子阻挡层来减小泵氧内电极的上、下电极到参考电极的离子扩散路径差异，使得芯片不仅能达到目标内阻，测试精度高，而且在动态气氛中λ=1.0附近测试数据准确，没有杂波信号影响。
天眼查资料显示，四方光电股份有限公司，成立于2003年，位于武汉市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币，实缴资本5250万人民币。通过天眼查大数据分析，四方光电股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目63次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息196条，此外企业还拥有行政许可34个。
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