未来五年中国芯片在部分领域有望实现自主生产，但要在全领域达成完全自主生产，仍面临挑战。 在成熟制程芯片方面，中国已取得显著进展。中芯国际等企业在28nm及以上制程技术上不断成熟，中芯国际的N+2先进制程良率已提升至75%，达到可商业化量产标准，能为华为昇腾系列等高端芯片提供稳定代工服务。同时，国产90纳米制程的深紫外光刻机已实现量产，8英寸和12英寸高纯度硅片也能自主制造，可满足功率芯片、显示面板驱动芯片等中低端产品的生产需求。 在一些特定领域，自主生产程度也较高。如航天芯片领域，中国自给率已超80%，北斗导航卫星搭载的国产芯片实现了纳米级抗辐射工艺，部分型号已突破28纳米制程。汽车芯片方面，中国汽车制造商计划在2026年量产100%国产芯片车型，政策目标是到2027年实现汽车芯片的自主研发和制造。 不过，在高端先进制程芯片方面，仍存在技术瓶颈。7纳米及以下制程芯片制造所需的EUV光刻机，虽有消息称国产EUV光刻机预计2026年实现大规模生产，但尚未得到完全证实。且芯片制造涉及众多复杂设备和材料，即使光刻机取得突破，其他环节也需同步提升，才能实现高端芯片的自主生产。 总体而言，未来五年中国芯片自主生产能力会大幅提升，在部分领域可实现自主可控，但要全面达成自主生产，还需在技术研发、设备制造等多方面持续发力。