【“破晓”比传统闪存快一百万倍!全球最快半导体电荷存储技术发布】7年前,网上就有题为《性能提升100万倍:复旦大学新型存储芯片,有望赶超镁光、三星》的文章,如今难道完全实现了?如果该消息属实,那对于世界芯片产业可以说是颠覆性技术。这项技术通过创新的"超注入"机制,将闪存擦写速度提升至400皮秒(每秒25亿次操作),不仅比传统闪存快百万倍,更超越当前最快的易失性存储器SRAM。(该帖写于 4 月 18 号)云存储数据存储与处理芯片


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