据招股书，长鑫采取“跳代研发”策略完成了第一代到第四代工艺技术平台的量产。我们预计未来产能有望全部切换至4F²+CBA工艺新增逻辑晶圆1：1配套存储晶圆，重点关注配套逻辑厂商【晶合集成、燕东微】--中信电子团队募投扩产设备受益：长鑫本次募投345亿，其中90亿用于技术研发，255亿用于技改/技术升级（扩产）项目，我们估算约80%比例——约200亿元用于设备采购。未来国内存储扩产有望持续加速，我们重点推荐国内存储敞口大的公司包括北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、精智达、中科飞测、华海清科、京仪装备、珂玛科技等，本轮存储扩产持续受益。存储涨价受益逻辑：DRAM价格激增，长鑫25Q3单季毛利率35%，净利润亏损，Q4净利率近40%；我们看好涨价受益的存储厂商及长鑫客户，推荐模组厂及兆易创新（当前持有长鑫股权1.80%）、北京君正。=====长鑫招股书发布于12月31日。
据招股书，长鑫采取“跳代研发”策略完成了第一代到第四代工艺技术平台的量产。我们预
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2026-01-15 20:01:20
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