在电源防反接电路设计中，二极管虽可利用单向导通特性防止电源反接损坏电路，但管压降问题导致较大损耗。而 MOS 管具有导通压降低的优良特性，那么如何运用MOS管这一优良特性设计防反接电路？
以NMOS为例，当电源输入上正下负时，如下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2以及 MOS 寄生二极管后到地。此时，R1 与 R2 分压使得 GS 极电压大于 MOS 导通电压 Vgs，从而使 MOS 管导通，红色线条所示的整个电路回路接通，电路正常工作。
当输入上负下正时，黄色线条所示电流路径因 MOS 寄生二极管反向截止，且 MOS 管的 GS 极无电压而截止，整个电路回路断开，系统电路得到有效保护。
对于 PMOS 防反接电路，其防反接原理与 NMOS 相似
但要注意的是，通常电路系统是共地的就用PMOS防反接，共源就用NMOS防反接。
