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新型内存“DRAM+或将问世,拥有内存的速度和闪存的持久性

据媒体披露，FerroelectricMemoryCo.（简称FMC）与Neumonda公司近期达成合作，双方将携手推动一种创新型内存架构—“DRAM+”的商业化进程。DRAM+技术融合了DRAM的高速度与非易失性存储的优点，有效填补了高速DRAM与NAND闪存等...

4月9日消息，根据调研机构Counterpoint Research最新发布的2025年一季度DRAM市场追踪报告显示，SK海力士以36%的营收市占率首度超越三星电子，成为了全球第一大DRAM供应商。排名第二的三星，其市占率为34%，低于SK海力士约2个百...

IT之家4月9日消息，研究公司CounterpointTechnology在今日发布的2025年第一季度DRAM内存原厂市场占比报告中指出，SK海力士凭借在HBM领域的强劲表现成功首度超越三星电子，夺得该季度市场占比第一。IT之家了解到，三大DRAM内存...

韩媒《每日经济》（it之家注：即mk）当地时间3日报道称，三星电子正同全球主要客户就对dram内存和nand闪存的产品价格上调3%~5%进行商讨，部分新合同的谈判已然启动。由于存储半导体此前面临库存水平高企、需求回升放缓等一系列...

4 月 4 日消息，韩媒《每日经济》在当地时间 3 日发布重要报道，称半导体巨头三星电子正积极与全球主要客户展开商讨，计划对 DRAM 内存和 NAND 闪存的产品价格进行上调，上调幅度预计在 3%-5%之间。目前，部分新合同的谈判...

地址映射单元，完成AXI系统地址至DRAM地址的映射，以及读DRAM命令、读DRAMECC命令、写DRAM命令和写DRAMECC命令的生成和分配；任务调度单元，完成读DRAM命令、读DRAMECC命令、写DRAM命令和写DRAMECC命令的缓存和调度；命令译码...

IT之家4月7日消息，韩媒《每日经济》（IT之家注：即MK）当地时间3日报道称，三星电子正同全球主要客户就对DRAM内存和NAND闪存的产品价格上调3%~5%进行商讨，部分新合同的谈判已然启动。由于存储半导体此前面临库存水平高企、...

3月30日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，使韩国成为半导体强国的DRAM市场正掀起一股强烈的变革之风。三星电子和SK海力士多年来垄断的技术领先趋势正在被美国美光和中国长鑫存储的崛起所动摇。据业界透露，三星电子和SK...

专利摘要显示，本发明涉及DRAM高温低温测试技术领域，且公开了一种新型DRAM高温低温测试方法，包括管道、降温鳍片、新型控制器控制器、废气利用模块和自动化台面，管道为核心部件，外部与空压机通过气管相连，内部通过降温鳍片...

专利摘要显示，本申请公开了一种DRAM芯片的修复方法和DRAM芯片，涉及半导体存储技术领域，公开了DRAM芯片的修复方法，包括：获取DRAM芯片的坏区地址信息；基于所述坏区地址信息对DRAM芯片的坏区单元进行屏蔽生成屏蔽结果基于所...

金融界2025年3月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“DRAM存储器”的专利，授权公告号CN112634955B，申请日期为2019年9月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市...

IT之家3月26日消息，TrendForce集邦咨询昨日报告称，在下游客户提前出货的带动下，DRAM供应链库存削减整体顺利，预计2025年二季度不计入HBM的一般型DRAM价格环比跌幅将收敛至5%以内，而涵盖HBM的整体均价将环比上升3%~8%。...

金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“具有分布式列存取的高处理量DRAM”的专利，授权公告号CN112397108B，申请日期为2020年6月。本文源自：金融界