深圳市豪林电子有限公司取得二极管检测装置专利,大大提高检测效率
专利摘要显示，本实用新型涉及二极管检测领域，尤其涉及一种二极管用检测装置，包括底座，所述底座的顶部固定有支撑盘，所述支撑盘的顶部转动连接有转盘，所述底座的内部固定有第一步进电机，所述第一步进电机的输出轴固定与...
南通康比电子申请一种光伏二极管检测装置专利,提高将太阳光转化为电能的效率
通过第一驱动电机带动固定块朝向光伏二极管的方向移动，直到固定块接触到光伏二极管的外侧表面为止，且固定块在移动的过程中会改变电阻块的电阻值，从而让照明灯的光照强度越变越强，进而模拟一天内的太阳光照强度，并筛选出...
中国振华集团永光电子申请小型贴片式二极管阵列封装专利,解决现有二极管封装多问题
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）申请一项名为“一种小型贴片式二极管阵列封装方法及其封装结构”的专利，公开号CN119314955A，申请日期为2024年11月。...
广州光达创新科技取得一种有机光电二极管及其所构成的阵列以及该有机光电二极管的制备方法专利
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，广州光达创新科技有限公司取得一项名为“一种有机光电二极管及其所构成的阵列以及该有机光电二极管的制备方法”的专利，授权公告号CN113823744B，申请日期为2021年8月。...
宁波铼微取得一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管及其制备方法专利
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，宁波铼微半导体有限公司取得一项名为“一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN112614898B，申请日期为2020年12月。天眼查资料显示，...
珠海兴诺申请二极管存在性检测电路相关专利,提高检测稳定性
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，珠海兴诺能源技术有限公司申请一项名为“二极管存在性检测电路、系统及供电设备”的专利，公开号CN119310363A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本申请提供一种二极管...
武汉芬能科技取得二极管引直机构及其装置专利
金融界2025年1月17日消息，国家知识产权局信息显示，武汉芬能科技有限公司取得一项名为“二极管引直机构及其装置”的专利，授权公告号CN111790846B，申请日期为2020年6月。天眼查资料显示，武汉芬能科技有限公司，成立于2010年...
深圳市亿港电子科技取得二极管生产用酸洗设备专利,降低二极管芯片取料过程中酸洗液滴漏污染环境及影响工作...
本实用新型通过设计旋转结构和存放结构，使用时，启动驱动电机，带动两组翻转箱净泡在酸洗液中，并以反复翻转的方式对二极管芯片进行酸洗，酸洗结束后，驱动电机带动翻转箱脱离酸洗液，以便于翻转箱内部酸洗液的滴落，降低...
苏州倍特力取得发光二极管加工用切脚装置专利,有效提高工作效率
专利摘要显示，本实用新型属于二极管技术领域，公开了一种发光二极管加工用切脚装置，其技术要点是：包括工作台，所述工作台表面固定安装有固定架，固定架内顶壁固定安装有液压缸，液压缸的伸缩端固定安装有横板，所述工作台...
萨科微1SMA4730A稳压二极管:稳定电压,守护电路稳定运行的守护者
萨科微（SLKOR）推出的1SMA4730A稳压二极管，正是为此而设计的一款高性能电子元件。这款稳压二极管以其出色的稳压特性和广泛的应用领域，成为了电子工程师们手中的得力助手。1SMA4730A稳压二极管的核心特性在于其稳定的输出...
友达光电取得发光二极管封装结构及其制造方法及发光面板专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，友达光电股份有限公司取得一项名为“发光二极管封装结构及其制造方法及发光面板”的专利，授权公告号CN115347089B，申请日期为2022年8月。天眼查资料显示，友达光电股份有限...
江西兆驰半导体取得发光二极管外延片及制备方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“一种发光二极管外延片及制备方法”的专利，授权公告号CN114242855B，申请日期为2021年12月。天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司...
苏州元昱新能源取得插拔式可更换二极管光伏接线盒及光伏组件专利,通过插拔方式更换二极管模块
二极管模块包括主体、正极金属引脚、负极金属引脚和二极管，正极金属引脚和负极金属引脚均连接于主体，二极管设置于主体，二极管的P极与正极金属引脚电连接、二极管的N极与负极金属引脚电连接；盒体设置有负极导电端子和正极...
派克微电子取得一种抗干扰碳化硅二极管封装结构专利,方便对二极管芯片进行安装和拆卸更换
专利摘要显示，本实用新型提供一种抗干扰碳化硅二极管封装结构，涉及二极管封装技术领域，包括：底壳，所述底壳的顶部设有顶壳，所述底壳和顶壳之间设有二极管芯片，所述底壳和顶壳的表面分别开设有第一圆孔和第二圆孔，所述第...
扬杰电子取得二极管引线加工治具专利,便于通过浇注形式加工引线
专利摘要显示，二极管引线加工治具。涉及二极管加工领域。包括底板和盖板，所述底板的顶面设有间隔设置的框架槽和管脚槽，所述框架槽用于放置框架，所述管脚槽用于放置管脚，所述盖板上设有芯片槽和引线槽，所述芯片槽位于盖板...
二极管的作用和工作原理
星海二极管SF16 1A 400V DO-41 二极管FR107 SOD-123FL 1A 1000V 一、二极管的作用 二极管是一种具有单向导电性的电子元件，广泛应用于电子电路中。它的主要作用包括： ①整流作用： 二极管最常见的作用是将交流电（AC）转换为...
扬州金川照明取得一种激光二极管阵列光源模组专利,提升激光二极管模组使用寿命
专利摘要显示，本实用新型公开了一种激光二极管阵列光源模组，包括激光二极管模组与防护盒，所述激光二极管模组的外表面固定连接有连接环，所述激光二极管模组的下表面固定连接有散热鳍片，所述连接环的内表面螺纹连接有四个...
信利半导体申请透明有机发光二极管及电子设备专利,提高产品性能
专利摘要显示，本发明公开了透明有机发光二极管及电子设备，透明有机发光二极管包括：非发光区设置于相邻的两个发光区之间；发光区和非发光区设于基板上；发光区包括：第一电极层、有机层以及第二电极层；第一电极层设于基板上...
广东聚华印刷显示技术有限公司取得量子点发光二极管、二维材料及其制备方法专利
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，广东聚华印刷显示技术有限公司取得一项名为“量子点发光二极管、二维材料及其制备方法”的专利，授权公告号CN115377315B，申请日期为2021年9月。天眼查资料显示，广东聚华...
扬州乾照光电取得具有量子点层的外延结构及其制作方法和发光二极管芯片专利
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，扬州乾照光电有限公司取得一项名为“具有量子点层的外延结构及其制作方法和发光二极管芯片”的专利，授权公告号CN114267759B，申请日期为2021年12月。天眼查资料显示，扬州乾...
新加坡商格罗方德半导体取得二极管装置及形成二极管装置的方法专利
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“二极管装置及形成二极管装置的方法”的专利，授权公告号CN114361284B，申请日期为2021年9月。本文源自：金融界
佛山市巨亮光电子取得发光二极管封装支架专利,可封装不同数量发光二极管
专利摘要显示，本实用新型涉及发光二极管技术领域，具体地说，涉及一种发光二极管的封装支架。其包括安装组件，所述安装组件包括一对从上到下间隔设置的基板，位于上方的所述基板顶部中央设有固定座，所述固定座相远离的两侧均...
聚灿光电取得一种发光二极管外延结构专利,提升发光效率
专利摘要显示，本实用新型公开了一种发光二极管外延结构，包括从下而上依次设置的衬底、电子提供层、发光层和空穴提供层，在所述电子提供层与发光层中间增加微型电容层。所述微型电容层包括一层以上的微型电容结构，所述微型...
济南汉江光电取得用于X射线仪器的光电二极管与中心光束遮挡器集成部件专利,提升了实验的稳定性和准确度
金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，济南汉江光电科技有限公司取得一项名为“一种用于X射线仪器的光电二极管与中心光束遮挡器的集成部件”的专利，授权公告号CN222259209U，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，...
新光谱照明取得具有防水结构的发光二极管专利,提高设备防水性
专利摘要显示，本实用新型公开了一种具有防水结构的发光二极管，涉及光电子器件技术领域，具体为一种具有防水结构的发光二极管，包括基板，所述基板的内部固定连接有导电杆，所述基板顶部的中心开设有安装槽，所述安装槽的底部...
新型锗基光电二极管问世,灵敏度提升 35%
IT之家1月5日消息，芬兰阿尔托大学的研究团队在红外传感器领域取得重大突破，成功开发出一种基于锗材料的光电二极管（photodiode），其灵敏度比目前广泛使用的锗基传感器高出35%。这一进展有望使红外设备在性能、成本和效率...
光音智能取得二极管编带装置专利,解决二极管编带封装歪斜问题
专利摘要显示，一种二极管编带装置，用于解决部分二极管编带包装未对塑料膜限位，使编带封装歪斜，封装效果较差。包括工作台，工作台上有进料台，进料台设有载带槽，载带槽内有载带，工作台上有操作箱，操作箱转动有第一出料辊...
珠海市绿健光电取得二极管并联结构专利,能够无需借助电焊设备对二极管进行并联安装
专利摘要显示，本实用新型公开了二极管技术领域的一种二极管并联结构，包括固定座、移动座和二极管体，所述移动座位于所述固定座的右侧，所述二极管体位于所述固定座和所述移动座的顶部，且从前往后依次排列，所述固定座的内腔...
深圳市镭神智能系统有限公司取得降低雪崩二极管噪点的电路及光电探测器专利,有效抑制噪点提高采集精度
实际光电接收模块包括第一雪崩二极管，参考光电接收模块包括第二雪崩二极管，第一雪崩二极管和第二雪崩二极管具有相同的电气特性，第一雪崩二极管具有光电接收功能，第二雪崩二极管具有光电屏蔽功能；实际光电接收模块的一端、...
苏州查斯特电子取得一种二极管快速测试装置专利,可对不同规格二极管进行测试
专利摘要显示，本实用新型公开了一种二极管快速测试装置，包括底座和对二极管主体进行测试的测试部，所述测试部包括：支撑座：其固定于底座顶部外壁，且支撑座上表面焊接有支架；电动伸缩杆：其固定于支架顶部外壁，且电动伸缩...
格力电器获得发明专利授权:“二极管结构及二极管结构的制备方法”
专利摘要：本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法，二极管结构包括衬底以及在衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层，其中，第一外延层和第二外延层具有相同的掺杂类型，二极管结构还包括多个第一...
格力电器获得发明专利授权:“功率二极管及其制备方法”
专利摘要：本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构，第一外延结构包括第二外延层和第一导电层，第二外延层位于第一外延沟槽的内表面，第一导电层位于第一外延沟槽中，其中，第二外延层具有...
山东宇材取得二极管生产点胶装置专利,点胶结束后可保证点胶处立刻干燥凝结
专利摘要显示，本实用新型公开了一种二极管生产点胶装置，包括设备主体、点胶槽和点胶器，点胶槽内顶部前侧连接设有第一电动导轨架，第一电动导轨架电动驱动设有第二电动导轨架，第二电动导轨架底部电动驱动设有移动块，移动块...
江西兆驰半导体取得发光二极管芯片专利,提升了芯片出光效果
专利摘要显示，本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括层叠的衬底、外延层、透明导电层、Cr金属层、电极和钝化层，在外延层上间隔设置透明导电层和Cr金属层，透明导电层上设置P电极位，Cr金属层上设置N电极位，P电极位上...
成都格林纳光取得半导体量子点发光二极管封装结构专利,避免环氧树脂套和封装固定座之间易发生断裂
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，成都格林纳光科技有限公司取得一项名为“一种半导体量子点发光二极管封装结构”的专利，授权公告号CN222214204U，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本实用新型适用于...
德芯科技取得不易损坏的二极管封装结构专利,散热效率高延长使用寿命
专利摘要显示，本实用新型涉及二极管封装技术领域，且公开了一种不易损坏的二极管封装结构，包括散热基板，所述散热基板顶部的中间处设置二极管，所述二极管的外侧设置一号胶体层，所述一号胶体层的另一侧设置二号胶体层，所述...
武汉大福芯取得一种二极管测片装置专利,提高对二极管检测的效果
专利摘要显示，本实用新型公开了一种二极管测片装置，属于检测装置技术领域，包括底座及检测机构：所述底座的顶部设有输料带，所述输料带两侧位于底座的顶部开设有装配槽，所述装配槽的内部设置有定位组件，所述定位组件包括...
武汉英飞华取得超辐射发光二极管预耦合光纤固定夹具专利,有效提高超辐射发光二级管预耦合效率
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，武汉英飞华科技有限公司取得一项名为“一种超辐射发光二极管预耦合光纤固定夹具”的专利，授权公告号CN222213022U，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本实用新型提供了...
卡新电子科技取得一种带有多发光二极管模组的灯具专利,实现模组损坏时其余模组继续工作
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，卡新电子科技（上海）有限公司取得一项名为“一种带有多发光二极管模组的灯具”的专利，授权公告号CN222210133U，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本实用新型提供了一...
深圳市启美光电科技取得发光二极管用反射式结构专利,便于对发光二极管进行安装
专利摘要显示，本实用新型公开了一种发光二极管用的反射式结构，属于发光二极管技术领域，针对了二极管无法快速安装，且后期维护时无法便于更换的问题，包括定位板，所述定位板左右两侧对称固定连接有安装板，所述定位板前侧...
中国制造业处于升级转型阶段,对高效率二极管泵浦固体激光器需求增加
二极管泵浦固体激光器是一种利用二极管激光器作为泵浦源，通过将激光能量输入到固体激光介质中来产生激光的装置。它采用高功率的半导体二极管激光器作为泵浦源，通过将激光能量输入到固体激光介质（通常是晶体或玻璃）中，激发...
扬杰电子申请减小碳化硅二极管反向漏电流专利,使整个器件的反向漏电流更小
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种减小碳化硅二极管反向漏电流的制备方法”的专利，公开号CN119170500A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，一种减小...
阜宁睿锦取得一种二极管加工定位装置专利,实现了对二极管的快速定位夹持
专利摘要显示，本实用新型属于二极管加工技术领域，具体的说是一种二极管加工定位装置，包括弧形夹板，所述弧形夹板的一端弧面上与导向杆的底端固接，所述导向杆的弧面上活动安装有限位环，所述限位环的弧面上安装有电极，所述...
京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制备方法专利,能够保证焊盘层的形貌一致性
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该发光二极管芯片，包括：外延层和焊盘层；焊盘层位于外延层的一侧，且与外延层电连接，焊盘层包括至少两层子焊盘，各子焊盘沿外延层的...
江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法专利,可提升发光效率
专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；缓冲层依次包括第一AlN层、第二AlN层、第三AlN...
京东方华灿光电申请提高发光效率的发光二极管及其制备方法专利,提高LED的发光效率
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“提高发光效率的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN119153601A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本公开实施例...
福建华清电子申请一种氮化铝发光二极管的制备方法专利,解决二极管生产问题
专利摘要显示，本发明涉及光电子制造技术领域，提供一种氮化铝发光二极管的制备方法，解决现有技术制备的发光二极管性能相对较差，生产成本较高，不适宜大量生产的问题；包括以下步骤：1)在经过斜切处理的蓝宝石衬底表面依次...
乐金显示申请供体及使用其的发光二极管的转移方法专利,可在转移工艺期间去除芯片凸块和发光二极管之间间隙
专利摘要显示，本申请涉及供体及使用其的发光二极管的转移方法。根据本公开的一方面，一种供体可以包括：基础基板；树脂层，其设置在基础基板上并且包括多个芯片凸块；以及气囊层，其设置在基础基板和树脂层之间并且被配置为...
瑞利光申请微型发光二极管专利,缩小微型发光二极管的体积
专利摘要显示，本发明为一种微型发光二极管，透过使一基板设置一导电层，于该导电层上设置一发光组件，借由该发光组件的一第一发光半导体与一第二发光半导体相互垂直堆栈，并经由一导电凸块组的一第一导电凸块以及一第二导电凸...
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利,保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“用于功率MOSFET的凹陷型多晶硅ESD二极管”的专利，公开号CN119153460A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种用于功率晶体管...
绿健光电申请用于发光二极管的加工设备专利,提高生产效率
专利摘要显示，本发明公开了涉及二极管生产技术领域的一种用于发光二极管的加工设备，所述设备包括上料工位a、转动工位b、插接工位c、下料工位d四个工位，还包括主体架：包括设于主体架上的安装台，安装台的表面固定安装有固定...
深圳市美浦森半导体申请基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法及系统专利,可对快速恢复二极管芯片...
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料的二极管技术领域，一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法及系统，包括：对快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作，得到顺序芯片集，基于顺序芯片集构建实验参数集，对实验参数...
益而惠照明申请半导体照明器件制造自动夹具专利,便于装置连续不间断对发光二极管进行夹持上料
金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，南通市益...此设计能够便于装置能够连续不间断对发光二极管进行夹持上料，缩小了夹具在输送发光二极管之间所耗费的时间，从而提高了对发光二极管的加工效率。本文源自：金融界
光音智能科技取得一种二极管载带专利,用于解决二极管载带二极管脱落风险的问题
来源:金融界 金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示...本实用新型用于解决背景技术中提到的剪切后的二极管载带覆膜容易脱落，使得二极管载带上存放的二极管有脱落的风险，对使用造成不便的技术问题。本文源自：金融界
松翰股份有限公司申请运用于影像感测芯片测试的光源机混光系统专利,能使发光二极管数组产生所需的光源亮度
专利摘要显示，本发明提供一种运用于影像感测芯片测试的光源机混光系统，包括光源机、光学量测仪器以及计算机，所述光源机包括微控制器、发光二极管驱动器、发光二极管数组、及内存单元，所述发光二极管数组包括数个发光二极管...
H桥电路中的续流二极管有什么用?
“续流二极管”在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏 在H桥电路中，它与每个MOS管开关并联，连接在电感（负载）的两端。那它在H桥电路中的作用是什么？（一）防止电流突变 当电路中的功率开关器件进行切换时，根据...
上海华虹宏力申请提升 RC IGBT 中 FRD 结构反向恢复能力专利,提升快速恢复二极管部分反向恢复能力
在衬底上形成IGBT器件的第二导电类型的第一阱和快速恢复二极管的第二导电类型的第二阱，第一阱上形成有栅极沟槽，栅极沟槽中形成有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构之间的第一阱的上表面形成有第一导电类型的第一掺杂区，在外延层上...
滨海治润电子申请发光二极管自动化封装检测专利,能保证检测准确性
专利摘要显示，本发明涉及二极管检测技术领域，具体涉及一种发光二极管自动化封装检测装置，包括下侧开口的导向槽，导向槽的下侧设置皮带输送组件，皮带输送组件的两个皮带轮连接轴向偏移驱动装置，轴向偏移驱动装置能带动皮带...
苏州倍特力取得电子二极管生产用引脚折弯装置专利,提高二极管生产效率
金融界2024年12月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州倍特力电子科技有限公司取得一项名为“一种电子二极管生产用引脚折弯装置”的专利，授权公告号CN222113366U，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本实用新型属于二极管...
南通启锦智能科技取得一种二极管包装装置以及包装方法专利
金融界2024年12月6日消息，国家知识产权局信息显示，南通启锦智能科技有限公司取得一项名为“一种二极管包装装置以及包装方法”的专利，授权公告号CN118907523B，申请日期为2024年10月。本文源自：金融界
浙江广芯微电子申请用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制专利,解决了现有技术中无法精确满足不同区域电...
专利摘要显示，本发明公开了用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：通过识别肖特基二极管的沟槽结构特征，并获取相应的功效需求，解析出掺杂浓度分布需求。然后，通过仿真...
陕西航空电气申请模拟航空发电机中旋转整流二极管使用环境的组合应力测试装置专利,保证测试结果更精确
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，陕西航空电气有限责任公司申请一项名为“一种模拟航空发电机中旋转整流二极管使用环境的组合应力测试装置”的专利，公开号CN119044711A，申请日期为2024年8月。专利摘要...
重庆睿科半导体取得用于二极管加工的传输装置专利,防止二极管在运输中因晃动碰撞而损坏
本实用新型在传输柜内等距设置有多组容纳板，容纳板上表面矩形阵列有容纳槽，可将待进行转运的二极管单独放置在容纳槽内，并使用设置在容纳板上表面的固定组件，将大量的二极管固定压持在容纳槽内，可防止出现了堆积在一起的...
华擎产品线扩张至电源领域:四大系列,旗舰型号搭载碳化硅二极管
用料方面，华擎“太极”电源采用全日系电容、英飞凌CoolMOS、SiCSBD（碳化硅肖特基势垒二极管）。该系列电源具备10年保修。幻影电竞 来到幻影电竞PhantomGaming系列，这一批电源拥有750W、850W、1000W、1300W、1600W五种功率...
江西兆驰半导体取得一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法专利
金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法”的专利，授权公告号CN115602775B，申请日期为2022年9月。本文源自：金融界
山西中科潞安紫外取得一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法专利
金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司取得一项名为“一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN111668355B，申请日期为2020年5月。本文源自：金融界
錼创显示科技取得微型发光二极管显示面板专利
金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，錼创显示科技股份有限公司取得一项名为“微型发光二极管显示面板”的专利，授权公告号CN113937197B，申请日期为2021年10月。本文源自：金融界
摩尔镓芯取得准垂直结构PIN二极管及其制备方法专利
金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司取得一项名为“准垂直结构PIN二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN118315442B，申请日期为2024年4月。本文源自：金融界
咏华宇取得基于图像处理的发光二极管照明质量检测方法专利
金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市咏华宇电子有限公司取得一项名为“基于图像处理的发光二极管照明质量检测方法”的专利，授权公告号CN118310719B，申请日期为2024年4月。本文源自：金融界
常州银河电器申请轴向超薄芯片产品制造方法专利,制备得到的二极管具有多种优点
S3、封装：将中间晶圆片经焊接、酸洗、上胶、固化、模压、老化、回流焊、二次老化处理，得到半成品二极管。本申请制备得到的二极管具有气孔小、尺寸薄、风险低、抗应力能力优异以及耐焊接热能力优异等优点。本文源自：金融界
常州银河申请一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺专利,制备的二极管具有高浪涌能力
专利摘要显示，本申请涉及半导体分离器件生产的技术领域，具体公开了一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺。一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺，包括以下步骤：S1、晶圆片选择：选择电阻为20‑27Ω*cm，厚度为265‑280μm的单...
广州欧森精密制造取得发光二极管色光测试装置专利,能够实现发光二极管的稳定检测
本实用新型通过稳定组件的设置，能够实现对发光二极管稳定夹持，从而解决了现有绝缘筒与发光二极管之间存在距离，使得操作者需要手动将其进行扶持的问题，有效地实现了发光二极管的稳定检测，提高发光二极管的检测效率。...
海威半导体取得一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法专利
金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，海威半导体（南通）有限公司取得一项名为“一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN111048636B，申请日期为2019年12月。本文源自：金融界
江西兆驰半导体取得发光二极管外延片及其制备方法、LED专利
金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利，授权公告号CN118693197B，申请日期为2024年8月。本文源自：金融界
芜湖德豪润达光电取得发光二极管芯片以及其制备方法专利
金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，芜湖德豪润达光电科技有限公司取得一项名为“发光二极管芯片以及其制备方法”的专利，授权公告号CN110752275B，申请日期为2019年11月。本文源自：金融界
京东方取得无机发光二极管芯片及其制造方法专利
金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“无机发光二极管芯片及其制造方法”的专利，授权公告号CN113767480B，申请日期为2020年3月。本文源自：金融界
上海晶岳电子取得单向平面二极管的 TVS 器件及其制造方法专利
金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海晶岳电子有限公司取得一项名为“一种单向平面二极管的TVS器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN116632071B，申请日期为2023年5月。本文源自：金融界
威森美微电子取得一种桥式整流二极管检测装置专利
金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，江苏威森美微电子有限公司取得一项名为“一种桥式整流二极管检测装置”的专利，授权公告号CN116099772B，申请日期为2023年1月。本文源自：金融界
滨海治润电子申请二极管焊接分选装置专利,实现为焊接工作进行分选
专利摘要显示，本发明涉及二极管分选技术领域，具体涉及一种二极管焊接分选装置，包括振动盘振动盘下侧串联式连接数个分选装置，分选装置包括竖管，竖管上端内部及下端内部分别固定安装第一导向管和第二导向管，第一导向管的...
通科电子取得一种二极管电学特性测试方法专利
金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，东莞市通科电子有限公司取得一项名为“一种二极管电学特性测试方法”的专利，授权公告号CN118707286B，申请日期为2024年8月。本文源自：金融界
杭州高裕电子科技股份有限公司取得一种二极管全动态老化电路专利
金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，杭州高裕电子科技股份有限公司取得一项名为“一种二极管全动态老化电路”的专利，授权公告号CN116466207B，申请日期为2023年4月。本文源自：金融界
史巴克电子申请二极管三极管电气性能检测及不良品剔除装置专利,提高不良品剔除的可靠性和准确性
金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，史巴克电子（南通）有限公司申请一项名为“二极管三极管电气性能检测及不良品剔除装置”的专利，公开号CN118904770A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明涉及电气...
厦门士兰明镓化合物半导体取得发光二极管专利,控制开口形状即可控制发光形状
专利摘要显示，本实用新型实施例公开了一种发光二极管，该发光二极管从下到上依次包括衬底、外延层、介质层和电流扩展层。外延层从下到上依次叠置第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层。介质层覆盖外延层的表面和侧壁，介质...
爱立信取得有机发光二极管(OLED)显示器以及生产 OLED 显示器的方法专利
金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，瑞典爱立信有限公司取得一项名为“有机发光二极管(OLED)显示器以及生产OLED显示器的方法”的专利，授权公告号CN112956028B，申请日期为2018年11月。本文源自：金融界
常州佳讯光电取得用于光伏二极管贴装装置专利,有益于对多个光伏二极管模块同时进行定位贴装的工作
专利摘要显示，本实用新型涉及二极管加工技术领域，尤其涉及一种用于光伏二极管贴装装置，包括接线座，所述接线座的外壁开设有凹槽所述凹槽内放置有PCB板所述PCB板的外壁开设有贴装槽，所述贴装槽内设置有光伏二极管模块。...
江苏亨鑫科技取得基于二极管结构的互调标准件专利
金融界2024年11月2日消息，国家知识产权局信息显示，江苏亨鑫科技有限公司取得一项名为“基于二极管结构的互调标准件”的专利，授权公告号CN115296760B，申请日期为2022年8月。本文源自：金融界
华星光电取得发光二极管的转移方法专利
金融界2024年11月2日消息，国家知识产权局信息显示，惠州华星光电显示有限公司和深圳市华星光电半导体显示技术有限公司取得一项名为“发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板”的专利，授权公告号CN114141930B，申请日期...
京东方申请一种显示模组及显示装置专利,增加显示模组中发光二极管的数量,提升发光亮度
光源，设置在所述背板的一侧，所述光源包括多个沿第一方向间隔排列的发光二极管，且相邻的两个所述发光二极管之间形成不包含阻隔件的间隙；柔性支撑层，设置在所述背板的一侧，所述柔性支撑层沿第一方向延伸，且多个所述发光...
江西圆融光电取得一种载片装置专利,可避免对晶圆正面的碰触从而提高发光二极管良率
来源:金融界 ...专利摘要显示，本实用新型公开了一种载片装置，属于半导体加工技术领域，包括框形支架主体，所述框...本实用新型可避免对晶圆正面的碰触，从而能够避免对晶圆正面的刮伤污染，提高了发光二极管良率。本文源自：金融界
浙江博能新能源申请薄膜光伏系统防反汇流套件专利,避免二极管集中发热,提高散热效果
本发明二极管位于负极套件负插内，避免二极管集中发热，提高散热效果，薄膜光伏系统防反汇流套件为可拆分结构，便于损坏结构的更换，通过第一密封套与第二密封套对连接处密封，提高密封性，有利于防水效果。本文源自：金融界
天合光能申请旁路二极管和光伏接线盒专利,有效提高旁路二极管的散热能力和长期可靠性
二极管芯片，所述二极管芯片设于所述第二板件的第一面，所述二极管芯片的一极与所述第二板件连接，所述二极管芯片的另一极与所述第一板件连接。所述旁路二极管通过第一板件和第二板件的形状设置，将二极管芯片安装于面积大的第...
意法半导体取得激光二极管电流驱动装置专利
金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体(R&D)有限公司取得一项名为“激光二极管电流驱动装置”的专利，授权公告号CN110635351B，申请日期为2019年6月。本文源自：金融界
山东同华半导体取得贴片二极管压扁机专利,提高生产效率
所述轴杆的另一端安装有轴承环，该实用新型通过使用多组气缸进行挤压，有望提高挤压的速度和稳定性，确保贴片二极管在挤压通槽中能够快速而均匀地完成挤压处理，且电动推杆的智能退缩和抵合板的反转，贴片二极管可以轻松掉落到...