京东方华灿光电申请改善散热的发光二极管专利,提升发光二极管的散热效果
金融界2025年2月22日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“改善散热的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN119497477A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本公开提供了一种...
【二极管】新闻资讯
金融界2025年2月22日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“改善散热的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN119497477A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本公开提供了一种...
专利摘要显示,本申请提供了一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括:发光外延层包括依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,其中在俯视图下,发光外延层包含外周部及外周部所环绕的内侧区域,外...
金融界2025年2月22日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司申请一项名为“改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN119497474A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本公开提供了...
金融界2025年2月22日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“改善可靠性的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN119497472A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本公开提供了一种...
专利摘要显示,本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层和复合电极;复合电极位于外延层的一侧,复合电极包括至少一层钛金叠层,钛金叠层远离外延层。本公开可以有效的提高...
专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括半导体叠层、第一连接电极、第二连接电极、第一电极、第二电极、绝缘层、第一焊盘和第二焊盘,半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第...
专利摘要显示,本实用新型涉及发光二极管技术领域,且公开了一种可控制方式的发光二极管,包括封装顶壳,所述封装顶壳内部的一侧设置负极引脚,所述封装顶壳内部的另一侧设置有正极引脚,所述负极引脚的顶部设置有LED芯片,所...
专利摘要显示,本实用新型涉及LED封装技术领域,公开了一种发光二极管封装件,包括LED芯片和第一反射层,所述第一反射层将所述LED芯片的非衬底侧全部包裹;所述第一反射层的上表面不低于所述LED芯片的衬底侧,在所述LED芯片的...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种内置驱动的发光二极管,其包括灯罩、基座、发光二极管晶片、驱动IC及引线架;所述发光二极管晶片包括三色混光区域及白光区域,所述三色混光区域与白光区域之间设有隔板;所述灯罩与所述基座...
专利摘要显示,本实用新型涉及半导体领域,公开了一种倒装发光二极管,包括衬底、依次层叠于所述衬底之上的N型半导体层、有源层、P型半导体层,所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层中部的凹槽;CBL柱、透明导电层以及P...
专利摘要显示,一种薄片二极管及内置保护模块的光伏组件,它涉及太阳能光伏组件技术领域,薄片二极管包括二极管本体二铜箔、晶圆以及锡,二极管本体包括:第一铜箔和第层。内置保护模块的光伏组件包括封装表面材料、第一封装...
金融界2025年2月19日消息,国家知识产权局信息显示,三星显示有限公司取得一项名为“有机发光二极管显示器”的专利,授权公告号CN110970474B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界
金融界2025年2月19日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司取得一项名为“有机发光二极管显示器”的专利,授权公告号CN113284933B,申请日期为2016年8月。本文源自:金融界
金融界2025年2月19日消息,国家知识产权局信息显示,三星显示有限公司取得一项名为“近红外发光二极管及包括近红外发光二极管的装置”的专利,授权公告号CN111446376B,申请日期为2019年12月。本文源自:金融界
专利摘要显示,本实用新型公开了一种用于二极管加工的模压装置,包括底座,所述底座一端固定设有模压座,所述模压座上表面开设有多个通孔,所述模压座内设有多个液压缸一,所述液压缸一伸缩端固定设有升降板,所述升降板上连接...
在使用本实用新型焊接一个接线盒的二极管时,可对二极管的两端同时进行焊接作业,减少二极管的漏焊现象;本实用新型还通过设置控制器来控制通过电源引线组件的电流大小,进而控制加热芯的温度,从而控制焊头的温度,提高焊头的...
金融界2025年2月18日消息,国家知识产权局信息显示,中国电力科学研究院有限公司取得一项名为“二极管整流与MMC混合直流阻抗特性主导因素定位方法及相关装置”的专利,授权公告号CN117991024B,申请日期为2024年2月。...
金融界2025年2月18日消息,国家知识产权局信息显示,乐金显示有限公司取得一项名为“有机化合物和有机发光二极管以及包括其的有机发光装置”的专利,授权公告号CN114916230B,申请日期为2021年8月。本文源自:金融界
专利摘要显示,本实用新型涉及二极管加工装置技术领域,尤其涉及一种发光二极管生产加工用划片;在传统的二极管加工装置使用的过程中,由于加工装置启动后会产生震动,会造成切割装置对二极管切割时产生较大误差,从而不便实现...
金融界2025年2月15日消息,国家知识产权局信息显示,厦门三安光电有限公司取得一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,授权公告号CN115472723B,申请日期为2022年8月。天眼查资料显示,厦门三安光电有限公司,成立于2014...
金融界2025年2月15日消息,国家知识产权局信息显示,元平台技术有限公司取得一项名为“多光电二极管像素单元”的专利,授权公告号CN112585756B,申请日期为2019年6月。本文源自:金融界
专利摘要显示,本实用新型涉及点胶机构领域的一种发光二极管点胶机构,包括机体,机体上设置有加工台、支撑龙门架、第一驱动组件、第二驱动组件和点胶组件,点胶组件包括基板、电动伸缩杆、齿条、齿轮和点胶头,电动伸缩杆、...
通过在MOS芯片上设置多个顶针,利用多顶针结构对该MOS二极管进行固晶,从而增加了MOS芯片的有效宽度,进而可降低MOS二极管导通状态下的电阻,提高器件的导通特性,同时采用多顶针结构可以减小MOS芯片上的电荷密度,降低电荷压...
专利摘要显示,本实用新型涉及稳压二极管技术领域,公开了一种散热式稳压二极管,包括底座和顶盖,所述底座上端面固定设置有壳体,所述壳体内壁底端面两侧均固定设置有卡座,所述壳体内壁底端面中点处嵌入设置有稳压芯片,所述...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种可旋转的发光二极管,包括第一套板、第二套板、二极管体、旋转调节组件、定位组件和安装套,所述二极管体两端设有转轴且转轴上套有轴承,两个所述轴承上分别套有一个安装套且安装套完全套住...
专利摘要显示,本发明涉及整流二极管生产焊接技术领域,且公开了一种整流二极管生产焊接装置及其工艺,包括底板,所述底板的顶部固定连接有支架,所述支架的内壁顶部设置有焊接器,所述底板的顶部设置有调节部件,所述底板的...
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,三星显示有限公司取得一项名为“有机发光二极管显示器”的专利,授权公告号CN110349997B,申请日期为2019年4月。本文源自:金融界
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,三星显示有限公司取得一项名为“有机发光二极管显示装置”的专利,授权公告号CN111490073B,申请日期为2019年12月。本文源自:金融界
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,首尔伟傲世有限公司取得一项名为“芯片级封装发光二极管”的专利,授权公告号CN114203880B,申请日期为2017年8月。本文源自:金融界
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,晶元光电股份有限公司取得一项名为“发光二极管封装”的专利,授权公告号CN111816744B,申请日期为2019年7月。本文源自:金融界
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,传感器无限公司取得一项名为“带过电流保护的PIN台面二极管”的专利,授权公告号CN113257844B,申请日期为2021年2月。本文源自:金融界
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,星钥(珠海)半导体有限公司申请一项名为“微型发光二极管器件及微型发光二极管器件的制备方法”的专利,公开号CN119342969A,申请日期为2024年11月。专利摘要显示,本发明...
微型发光二极管封装体,包括一第一基板、多个微型发光二极管芯片、一透明保护层与多个导电垫。其中第一基板具有相对的一上表面及一下表面。微型发光二极管芯片设置于第一基板的上表面,其中微型发光二极管芯片具有一第一电极及...
专利摘要显示,本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括:半导体叠层,自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层;透明导电层,形成于第二半导体层之上;保护层,形成于透明导电层之上;第二电极...
金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,三星显示有限公司取得一项名为“发光二极管显示装置”的专利,授权公告号CN112349247B,申请日期为2020年8月。本文源自:金融界
专利摘要显示,本实用新型涉及照明技术领域,提供了一种LED发光二极管保护电路,包括:用于防止电压突变或电流尖峰的双向瞬态抑制二极管、用于滤除纹波电压的滤波电路、用于防止电流过大和电压反接的限流与整流电路和LED发光...
该带LED的头戴式耳机,包括固定座和辅助组件,固定座有两组且呈对称分布,固定座的顶部固定安装有连接座,辅助组件设置于连接座上,辅助组件包括有LED发光二极管、延伸座和导电头,连接座的顶部设置有LED发光二极管,LED发光...
金融界2025年1月22日消息,国家知识产权局信息显示,晶元光电股份有限公司取得一项名为“发光二极管显示器”的专利,授权公告号CN111370561B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界
金融界2025年1月22日消息,国家知识产权局信息显示,首尔伟傲世有限公司取得一项名为“深紫外线发光二极管”的专利,授权公告号CN111509096B,申请日期为2019年12月。本文源自:金融界
金融界2025年1月22日消息,国家知识产权局信息显示,上海大芯半导体有限公司取得一项名为“堆栈式背照单光子雪崩二极管图像传感器”的专利,授权公告号CN111968999B,申请日期为2020年9月。天眼查资料显示,上海大芯半导体有限...
专利摘要显示,本实用新型公开一种发电机二极管的压装工装及装置,用于发电机电盖或者整流板的二极管安装,包括浮动座、固定座,所述浮动座设于所述固定座的上侧,所述浮动座与所述固定座之间连接有弹簧,所述浮动座设有若干个...
专利摘要显示,本实用新型涉及二极管检测领域,尤其涉及一种二极管用检测装置,包括底座,所述底座的顶部固定有支撑盘,所述支撑盘的顶部转动连接有转盘,所述底座的内部固定有第一步进电机,所述第一步进电机的输出轴固定与...
通过第一驱动电机带动固定块朝向光伏二极管的方向移动,直到固定块接触到光伏二极管的外侧表面为止,且固定块在移动的过程中会改变电阻块的电阻值,从而让照明灯的光照强度越变越强,进而模拟一天内的太阳光照强度,并筛选出...
金融界2025年1月18日消息,国家知识产权局信息显示,中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请一项名为“一种小型贴片式二极管阵列封装方法及其封装结构”的专利,公开号CN119314955A,申请日期为2024年11月。...
金融界2025年1月18日消息,国家知识产权局信息显示,广州光达创新科技有限公司取得一项名为“一种有机光电二极管及其所构成的阵列以及该有机光电二极管的制备方法”的专利,授权公告号CN113823744B,申请日期为2021年8月。...
金融界2025年1月18日消息,国家知识产权局信息显示,宁波铼微半导体有限公司取得一项名为“一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管及其制备方法”的专利,授权公告号CN112614898B,申请日期为2020年12月。天眼查资料显示,...
金融界2025年1月18日消息,国家知识产权局信息显示,珠海兴诺能源技术有限公司申请一项名为“二极管存在性检测电路、系统及供电设备”的专利,公开号CN119310363A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请提供一种二极管...
金融界2025年1月17日消息,国家知识产权局信息显示,武汉芬能科技有限公司取得一项名为“二极管引直机构及其装置”的专利,授权公告号CN111790846B,申请日期为2020年6月。天眼查资料显示,武汉芬能科技有限公司,成立于2010年...
本实用新型通过设计旋转结构和存放结构,使用时,启动驱动电机,带动两组翻转箱净泡在酸洗液中,并以反复翻转的方式对二极管芯片进行酸洗,酸洗结束后,驱动电机带动翻转箱脱离酸洗液,以便于翻转箱内部酸洗液的滴落,降低...
专利摘要显示,本实用新型属于二极管技术领域,公开了一种发光二极管加工用切脚装置,其技术要点是:包括工作台,所述工作台表面固定安装有固定架,固定架内顶壁固定安装有液压缸,液压缸的伸缩端固定安装有横板,所述工作台...
萨科微(SLKOR)推出的1SMA4730A稳压二极管,正是为此而设计的一款高性能电子元件。这款稳压二极管以其出色的稳压特性和广泛的应用领域,成为了电子工程师们手中的得力助手。1SMA4730A稳压二极管的核心特性在于其稳定的输出...
金融界2025年1月11日消息,国家知识产权局信息显示,友达光电股份有限公司取得一项名为“发光二极管封装结构及其制造方法及发光面板”的专利,授权公告号CN115347089B,申请日期为2022年8月。天眼查资料显示,友达光电股份有限...
金融界2025年1月11日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“一种发光二极管外延片及制备方法”的专利,授权公告号CN114242855B,申请日期为2021年12月。天眼查资料显示,江西兆驰半导体有限公司...
二极管模块包括主体、正极金属引脚、负极金属引脚和二极管,正极金属引脚和负极金属引脚均连接于主体,二极管设置于主体,二极管的P极与正极金属引脚电连接、二极管的N极与负极金属引脚电连接;盒体设置有负极导电端子和正极...
专利摘要显示,本实用新型提供一种抗干扰碳化硅二极管封装结构,涉及二极管封装技术领域,包括:底壳,所述底壳的顶部设有顶壳,所述底壳和顶壳之间设有二极管芯片,所述底壳和顶壳的表面分别开设有第一圆孔和第二圆孔,所述第...
专利摘要显示,二极管引线加工治具。涉及二极管加工领域。包括底板和盖板,所述底板的顶面设有间隔设置的框架槽和管脚槽,所述框架槽用于放置框架,所述管脚槽用于放置管脚,所述盖板上设有芯片槽和引线槽,所述芯片槽位于盖板...
星海二极管SF16 1A 400V DO-41 二极管FR107 SOD-123FL 1A 1000V 一、二极管的作用 二极管是一种具有单向导电性的电子元件,广泛应用于电子电路中。它的主要作用包括: ①整流作用: 二极管最常见的作用是将交流电(AC)转换为...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种激光二极管阵列光源模组,包括激光二极管模组与防护盒,所述激光二极管模组的外表面固定连接有连接环,所述激光二极管模组的下表面固定连接有散热鳍片,所述连接环的内表面螺纹连接有四个...
专利摘要显示,本发明公开了透明有机发光二极管及电子设备,透明有机发光二极管包括:非发光区设置于相邻的两个发光区之间;发光区和非发光区设于基板上;发光区包括:第一电极层、有机层以及第二电极层;第一电极层设于基板上...
金融界2025年1月8日消息,国家知识产权局信息显示,广东聚华印刷显示技术有限公司取得一项名为“量子点发光二极管、二维材料及其制备方法”的专利,授权公告号CN115377315B,申请日期为2021年9月。天眼查资料显示,广东聚华...
金融界2025年1月8日消息,国家知识产权局信息显示,扬州乾照光电有限公司取得一项名为“具有量子点层的外延结构及其制作方法和发光二极管芯片”的专利,授权公告号CN114267759B,申请日期为2021年12月。天眼查资料显示,扬州乾...
金融界2025年1月8日消息,国家知识产权局信息显示,新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“二极管装置及形成二极管装置的方法”的专利,授权公告号CN114361284B,申请日期为2021年9月。本文源自:金融界
专利摘要显示,本实用新型涉及发光二极管技术领域,具体地说,涉及一种发光二极管的封装支架。其包括安装组件,所述安装组件包括一对从上到下间隔设置的基板,位于上方的所述基板顶部中央设有固定座,所述固定座相远离的两侧均...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种发光二极管外延结构,包括从下而上依次设置的衬底、电子提供层、发光层和空穴提供层,在所述电子提供层与发光层中间增加微型电容层。所述微型电容层包括一层以上的微型电容结构,所述微型...
金融界2025年1月7日消息,国家知识产权局信息显示,济南汉江光电科技有限公司取得一项名为“一种用于X射线仪器的光电二极管与中心光束遮挡器的集成部件”的专利,授权公告号CN222259209U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种具有防水结构的发光二极管,涉及光电子器件技术领域,具体为一种具有防水结构的发光二极管,包括基板,所述基板的内部固定连接有导电杆,所述基板顶部的中心开设有安装槽,所述安装槽的底部...
IT之家1月5日消息,芬兰阿尔托大学的研究团队在红外传感器领域取得重大突破,成功开发出一种基于锗材料的光电二极管(photodiode),其灵敏度比目前广泛使用的锗基传感器高出35%。这一进展有望使红外设备在性能、成本和效率...
专利摘要显示,一种二极管编带装置,用于解决部分二极管编带包装未对塑料膜限位,使编带封装歪斜,封装效果较差。包括工作台,工作台上有进料台,进料台设有载带槽,载带槽内有载带,工作台上有操作箱,操作箱转动有第一出料辊...
专利摘要显示,本实用新型公开了二极管技术领域的一种二极管并联结构,包括固定座、移动座和二极管体,所述移动座位于所述固定座的右侧,所述二极管体位于所述固定座和所述移动座的顶部,且从前往后依次排列,所述固定座的内腔...
实际光电接收模块包括第一雪崩二极管,参考光电接收模块包括第二雪崩二极管,第一雪崩二极管和第二雪崩二极管具有相同的电气特性,第一雪崩二极管具有光电接收功能,第二雪崩二极管具有光电屏蔽功能;实际光电接收模块的一端、...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种二极管快速测试装置,包括底座和对二极管主体进行测试的测试部,所述测试部包括:支撑座:其固定于底座顶部外壁,且支撑座上表面焊接有支架;电动伸缩杆:其固定于支架顶部外壁,且电动伸缩...
专利摘要:本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法,二极管结构包括衬底以及在衬底上叠层设置的第一外延层、第二外延层和第一导电层,其中,第一外延层和第二外延层具有相同的掺杂类型,二极管结构还包括多个第一...
专利摘要:本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构,第一外延结构包括第二外延层和第一导电层,第二外延层位于第一外延沟槽的内表面,第一导电层位于第一外延沟槽中,其中,第二外延层具有...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种二极管生产点胶装置,包括设备主体、点胶槽和点胶器,点胶槽内顶部前侧连接设有第一电动导轨架,第一电动导轨架电动驱动设有第二电动导轨架,第二电动导轨架底部电动驱动设有移动块,移动块...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种发光二极管芯片,包括层叠的衬底、外延层、透明导电层、Cr金属层、电极和钝化层,在外延层上间隔设置透明导电层和Cr金属层,透明导电层上设置P电极位,Cr金属层上设置N电极位,P电极位上...
金融界2024年12月28日消息,国家知识产权局信息显示,成都格林纳光科技有限公司取得一项名为“一种半导体量子点发光二极管封装结构”的专利,授权公告号CN222214204U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型适用于...
专利摘要显示,本实用新型涉及二极管封装技术领域,且公开了一种不易损坏的二极管封装结构,包括散热基板,所述散热基板顶部的中间处设置二极管,所述二极管的外侧设置一号胶体层,所述一号胶体层的另一侧设置二号胶体层,所述...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种二极管测片装置,属于检测装置技术领域,包括底座及检测机构:所述底座的顶部设有输料带,所述输料带两侧位于底座的顶部开设有装配槽,所述装配槽的内部设置有定位组件,所述定位组件包括...
金融界2024年12月28日消息,国家知识产权局信息显示,武汉英飞华科技有限公司取得一项名为“一种超辐射发光二极管预耦合光纤固定夹具”的专利,授权公告号CN222213022U,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本实用新型提供了...
金融界2024年12月28日消息,国家知识产权局信息显示,卡新电子科技(上海)有限公司取得一项名为“一种带有多发光二极管模组的灯具”的专利,授权公告号CN222210133U,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本实用新型提供了一...
专利摘要显示,本实用新型公开了一种发光二极管用的反射式结构,属于发光二极管技术领域,针对了二极管无法快速安装,且后期维护时无法便于更换的问题,包括定位板,所述定位板左右两侧对称固定连接有安装板,所述定位板前侧...
二极管泵浦固体激光器是一种利用二极管激光器作为泵浦源,通过将激光能量输入到固体激光介质中来产生激光的装置。它采用高功率的半导体二极管激光器作为泵浦源,通过将激光能量输入到固体激光介质(通常是晶体或玻璃)中,激发...
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种减小碳化硅二极管反向漏电流的制备方法”的专利,公开号CN119170500A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,一种减小...
专利摘要显示,本实用新型属于二极管加工技术领域,具体的说是一种二极管加工定位装置,包括弧形夹板,所述弧形夹板的一端弧面上与导向杆的底端固接,所述导向杆的弧面上活动安装有限位环,所述限位环的弧面上安装有电极,所述...
专利摘要显示,本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体制备技术领域。该发光二极管芯片,包括:外延层和焊盘层;焊盘层位于外延层的一侧,且与外延层电连接,焊盘层包括至少两层子焊盘,各子焊盘沿外延层的...
专利摘要显示,本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法,涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;缓冲层依次包括第一AlN层、第二AlN层、第三AlN...
金融界2024年12月21日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“提高发光效率的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN119153601A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本公开实施例...
专利摘要显示,本发明涉及光电子制造技术领域,提供一种氮化铝发光二极管的制备方法,解决现有技术制备的发光二极管性能相对较差,生产成本较高,不适宜大量生产的问题;包括以下步骤:1)在经过斜切处理的蓝宝石衬底表面依次...
专利摘要显示,本申请涉及供体及使用其的发光二极管的转移方法。根据本公开的一方面,一种供体可以包括:基础基板;树脂层,其设置在基础基板上并且包括多个芯片凸块;以及气囊层,其设置在基础基板和树脂层之间并且被配置为...
专利摘要显示,本发明为一种微型发光二极管,透过使一基板设置一导电层,于该导电层上设置一发光组件,借由该发光组件的一第一发光半导体与一第二发光半导体相互垂直堆栈,并经由一导电凸块组的一第一导电凸块以及一第二导电凸...
金融界2024年12月21日消息,国家知识产权局信息显示,万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“用于功率MOSFET的凹陷型多晶硅ESD二极管”的专利,公开号CN119153460A,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,一种用于功率晶体管...
专利摘要显示,本发明公开了涉及二极管生产技术领域的一种用于发光二极管的加工设备,所述设备包括上料工位a、转动工位b、插接工位c、下料工位d四个工位,还包括主体架:包括设于主体架上的安装台,安装台的表面固定安装有固定...
专利摘要显示,本发明涉及半导体材料的二极管技术领域,一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法及系统,包括:对快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作,得到顺序芯片集,基于顺序芯片集构建实验参数集,对实验参数...
金融界2024年12月20日消息,国家知识产权局信息显示,南通市益...此设计能够便于装置能够连续不间断对发光二极管进行夹持上料,缩小了夹具在输送发光二极管之间所耗费的时间,从而提高了对发光二极管的加工效率。本文源自:金融界
来源:金融界 金融界2024年12月13日消息,国家知识产权局信息显示...本实用新型用于解决背景技术中提到的剪切后的二极管载带覆膜容易脱落,使得二极管载带上存放的二极管有脱落的风险,对使用造成不便的技术问题。本文源自:金融界
专利摘要显示,本发明提供一种运用于影像感测芯片测试的光源机混光系统,包括光源机、光学量测仪器以及计算机,所述光源机包括微控制器、发光二极管驱动器、发光二极管数组、及内存单元,所述发光二极管数组包括数个发光二极管...
“续流二极管”在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏 在H桥电路中,它与每个MOS管开关并联,连接在电感(负载)的两端。那它在H桥电路中的作用是什么?(一)防止电流突变 当电路中的功率开关器件进行切换时,根据...
在衬底上形成IGBT器件的第二导电类型的第一阱和快速恢复二极管的第二导电类型的第二阱,第一阱上形成有栅极沟槽,栅极沟槽中形成有沟槽栅极结构,沟槽栅极结构之间的第一阱的上表面形成有第一导电类型的第一掺杂区,在外延层上...
专利摘要显示,本发明涉及二极管检测技术领域,具体涉及一种发光二极管自动化封装检测装置,包括下侧开口的导向槽,导向槽的下侧设置皮带输送组件,皮带输送组件的两个皮带轮连接轴向偏移驱动装置,轴向偏移驱动装置能带动皮带...
金融界2024年12月9日消息,国家知识产权局信息显示,苏州倍特力电子科技有限公司取得一项名为“一种电子二极管生产用引脚折弯装置”的专利,授权公告号CN222113366U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型属于二极管...
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