无锡芯领域申请一种存储器异步接口模块等专利,减少异步到同步转换消耗的资源
专利摘要显示，本发明公开了一种存储器异步接口模块、参数化设计方法、芯片，所述异步接口模块应用于系统级芯片或存储器芯片，主机通过异步接口模块对所述的存储器芯片或系统级芯片寄存器进行读写，芯片通过接口模块完成异步和...
长江先进存储取得相变存储器设备及其形成方法专利
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，长江先进存储产业创新中心有限责任公司取得一项名为“相变存储器设备及其形成方法”的专利，授权公告号CN114270520B，申请日期为2021年11月。天眼查资料显示，长江先进存储...
长江先进存储产业创新中心取得具有包含缺陷减少材料的选择器的相变存储器装置及其形成方法专利
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，长江先进存储产业创新中心有限责任公司取得一项名为“具有包含缺陷减少材料的选择器的相变存储器装置及其形成方法”的专利，授权公告号CN113795924B，申请日期为2021年7月。...
安华高科技取得具有铜接合互连存储器系统的铜接合存储器堆叠专利
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司取得一项名为“具有铜接合互连存储器系统的铜接合存储器堆叠”的专利，授权公告号CN115411038B，申请日期为2022年5月。本文源自：金融界
长鑫存储取得 DRAM 存储器及其形成方法专利
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“DRAM存储器及其形成方法”的专利，授权公告号CN112447605B，申请日期为2019年8月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年...
支付宝申请一种模型训练方法装置设备及可读存储介质专利,提升了训练完成的第一编码器的准确性
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，支付宝（杭州）信息技术有限公司申请一项名为“一种模型训练方法、装置、设备及可读存储介质”的专利，公开号CN119272142A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本说明书...
苏州元脑智能申请数据存储专利,优化示波器存储深度的使用
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“一种数据存储方法、装置、产品及数字示波器”的专利，公开号CN119271953A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本申请涉及信号处理...
旺宏电子申请存储器内搜索装置专利,能感测电流产生搜索结果
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器内搜索装置，该装置包括多个第一存储单元串、控制器以及感测电路。...控制器选择第一数据储存层的至少其中之一为至少一选中数据储存层，并提供搜索数据至至少一选中数据储存层对应的至少一...
中国第一汽车股份有限公司等申请基于车端座舱控制器的运行诊断专利,实现现场故障数据即时落盘存储
通过上述方案实现了现场故障数据的即时落盘存储，为后续的故障分析和处理提供了有力支持。天眼查资料显示，中国第一汽车股份有限公司，成立于2011年，位于长春市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本7800000万...
微软技术许可取得存储器高效的升级暂存专利
金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，微软技术许可有限责任公司取得一项名为“存储器高效的升级暂存”的专利，授权公告号CN112313617B，申请日期为2019年6月。本文源自：金融界
爱思开海力士取得存储器系统及其操作方法专利
金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“存储器系统及其操作方法”的专利，授权公告号CN114564145B，申请日期为2021年7月。本文源自：金融界
万润科技:公司作为半导体存储器领域的新进入者积极融入产业链生态圈
公司作为半导体存储器领域的新进入者，积极主动融入所处行业的产业链生态圈，加快构建以LED和半导体存储为核心的新一代信息技术“主产业”，致力于使公司成为在新一代信息技术领域具有行业影响力的科技型创新型上市公司。...
江苏明芯微电子取得一种堆叠式存储芯片的分布存储器专利,可有效降低外部灰尘杂质进入
专利摘要显示，本实用新型涉及存储器技术领域，尤其是指一种堆叠式存储芯片的分布存储器，包括存储器外壳，所述存储器外壳的一端固定有固定板，所述固定板的外壁粘合有半导体制冷片，所述固定板的另一端连接有六个贯穿存储器...
绿联取得一种网络存储器专利,提高网络存储器壳体组装效率
专利摘要显示，本实用新型涉及网络存储技术领域，具体涉及一种网络存储器。网络存储器包括壳体，壳体包括侧壳、前盖和后盖；侧壳的前端和后端的内侧面边沿处设置有扣位件扣位件朝外一端的内侧面设置有扣槽；前盖和后盖的边沿上...
绿联科技取得一种云存储器专利,实现第二硬盘拆装操作便利
专利摘要显示，本实用新型涉及云存储器技术领域，具体涉及一种云存储器。云存储器包括壳体、第一硬盘、安装框架；安装框架安装在壳体内，安装框架内形成硬盘插装空间，第一硬盘可拆卸插装在硬盘插装空间中；安装框架包括第一...
绿联科技取得一种网络存储器专利,显著提高网络存储器整体结构稳定性
专利摘要显示，本实用新型涉及网络存储技术领域，具体涉及一种网络存储器。网络存储器包括壳体、支撑组件和硬盘模组，硬盘模组设置于壳体内；支撑组件包括支撑脚、连接件和支撑板架；支撑脚安装在壳体的底部，用于支撑网络存储...
逆熵方兴取得一种用于信息管理的数据存储器专利,防止数据线与 USB 接口连接处松动
专利摘要显示，本实用新型涉及数据存储器技术领域，尤其涉及一种用于信息管理的数据存储器；在传统的数据存储器使用的过程中，当数据线受到外界物体碰撞后，会导致数据线与USB接口连接处发生脱落，从而不便实现防止松动的问题...
万润科技:公司主要从事半导体存储器应用产品的设计研发及销售
来源:金融界 金融界1月20日消息，有投资者在互动平台向万润科技提问：您好，请问我司在2022-2025年发展计划中明确以全力构建以LED、...公司回答表示：公司目前主要从事半导体存储器应用产品的设计研发及销售。本文源自：金融界
美光科技申请电力控制链专利,向存储器子系统的存储器组件提供电力
所述方法进一步包含响应于所述确定所述电力事件已发生，产生指示操作执行的信令以向所述存储器子系统的多个存储器组件提供电力，其中指示执行的所述信令包含电力控制信号在第一时间施加到第一存储器组件且在所述第一存储器组件...
力旺电子申请具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器专利,提高存储器性能
专利摘要显示，本发明公开一种具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器，其中包括第一存储单元。第一存储单元包括：第一选择晶体管，第一跟随晶体管与第一反熔丝晶体管。第一选择晶体管的第一漏/源端连接第一位线，第一选择晶体管的...
四川中微芯成申请多模式SPI接口的NOR Flash存储器专利,实现数据高速传输
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，四川中微芯成科技有限公司申请一项名为“一种带有CRC校验的多模式SPI接口的NORFlash存储器”的专利，公开号CN119311617A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明公开了...
联芸科技申请应用于存储器的固件保护方法和存储器专利,能够避免同一固件的所有备份全部损坏
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，联芸科技（杭州）股份有限公司申请一项名为“应用于存储器的固件保护方法和存储器”的专利，公开号CN119311468A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开一种应用于存储器...
深圳宏芯宇取得存储器控制方法及存储装置专利
金融界2025年1月17日消息，国家知识产权局信息显示，深圳宏芯宇电子股份有限公司取得一项名为“存储器控制方法及存储装置”的专利，授权公告号CN118276786B，申请日期为2024年5月。天眼查资料显示，深圳宏芯宇电子股份有限公司...
联和存储取得闪存存储器标记装置专利,提高闪存存储器的使用寿命
专利摘要显示，本实用新型公开一种闪存存储器标记装置，包括单片机，所述单片机包括检测模块和标记模块，所述检测模块与待测闪存存储器电连接，用于检测所述待测闪存存储器中出现位翻转现象的块；所述标记模块与所述检测模块...
联和存储取得 Nand flash 存储器测试装置专利,提高测试效率
专利摘要显示，本实用新型公开一种Nandflash存储器测试装置，包括：若干个不同型号的SoC平台，所述SoC平台配置有动态随机存取存储器，所述SoC平台均与待测闪存存储器电连接，以测试待测闪存存储器在若干个所述SoC平台上的兼容...
绿联科技取得一种 DDR 存储器电源管理电路及 NAS 设备专利,能节省能量
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市绿联科技股份有限公司取得一项名为“一种DDR存储器的电源管理电路及NAS设备”的专利，授权公告号CN222337926U，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本实用新型涉及...
绿联科技取得一种网络附加存储器专利,驱动外界空气进入设备风道
专利摘要显示，本实用新型涉及网络附加存储技术领域，具体涉及一种网络附加存储器。网络附加存储器包括壳体、安装框架、第一硬盘、主控电路板和风扇；安装框架安装在壳体中，安装框架围设出具有硬盘插装口的硬盘插装空间，第一...
高通股份有限公司取得功率高效的近存储器模拟乘法和累加(MAC)专利
金融界2025年1月14日消息，国家知识产权局信息显示，高通股份有限公司取得一项名为“功率高效的近存储器模拟乘法和累加（MAC）”的专利，授权公告号CN114830136B，申请日期为2020年12月。天眼查资料显示，高通股份有限公司，...
硅存储技术取得包括多个矢量-矩阵乘法阵列和共享部件的用于深度学习神经网络的模拟神经存储器系统专利
金融界2025年1月14日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司取得一项名为“包括多个矢量-矩阵乘法阵列和共享部件的用于深度学习神经网络的模拟神经存储器系统”的专利，授权公告号CN112567391B，申请日期为2019...
万润科技:半导体存储器产品可应用多级存储场景
金融界1月13日消息，有投资者在互动平台向万润科技提问：你好，我司长江万润半导体所生产内存及硬盘产品是否可应用于AIPC...公司回答表示：公司半导体存储器产品可应用于消费级、工业级及企业级等存储应用场景。本文源自：金融界
昕原半导体取得具有受限丝状体的电阻切换存储器及其方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司取得一项名为“具有受限丝状体的电阻切换存储器及其方法”的专利，授权公告号CN115148901B，申请日期为2021年12月。天眼查资料显示，昕原半导体...
美光科技取得包含二维材料的晶体管以及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“包含二维材料的晶体管以及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统”的专利，授权公告号CN112420839B，申请日期为2020年8月。本文源自：金融界
美光科技公司取得包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法”的专利，授权公告号CN113345907B，申请日期为2021年2月。...
美光科技取得存储器阵列专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“存储器阵列”的专利，授权公告号CN113169172B，申请日期为2019年11月。本文源自：金融界
美光科技公司取得存储器阵列相关专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法”的专利，授权公告号CN112786611B，申请日期为2020年11月。本文源自：金融界
长鑫存储取得存储单元结构及其制备方法、读写电路及存储器专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储单元结构及其制备方法、读写电路及存储器”的专利，授权公告号CN117915653B，申请日期为2022年10月。天眼查资料显示，长鑫存储技术...
北极星特许集团取得存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，北极星特许集团有限责任公司取得一项名为“存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法”的专利，授权公告号CN112713151B，申请日期为2020年10月。本文源自：...
美光科技取得竖直 2-晶体管存储器单元专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“竖直2-晶体管存储器单元”的专利，授权公告号CN113272957B，申请日期为2019年12月。本文源自：金融界
美光科技取得具有用于2晶体管竖直存储器单元的共享存取线的存储器装置专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“具有用于2晶体管竖直存储器单元的共享存取线的存储器装置”的专利，授权公告号CN113383417B，申请日期为2019年12月。本文源自：金融界
长鑫存储取得延时锁相环电路、同步时钟信号方法及半导体存储器专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“延时锁相环电路、同步时钟信号方法及半导体存储器”的专利，授权公告号CN111200433B，申请日期为2018年11月。天眼查资料显示，长鑫存储...
罗伯特·博世有限公司取得用于运行电能存储器的方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，罗伯特·博世有限公司取得一项名为“用于运行电能存储器的方法”的专利，授权公告号CN110071537B，申请日期为2019年1月。本文源自：金融界
长鑫存储技术取得电容器及其相关专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“电容器及其形成方法、DRAM单元和存储器”的专利，授权公告号CN111834338B，申请日期为2019年4月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司...
长鑫科技取得一种存储器、存储器的操作方法和存储设备专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司取得一项名为“一种存储器、存储器的操作方法和存储设备”的专利，授权公告号CN118969053B，申请日期为2024年10月。天眼查资料显示，长鑫科技集团...
长鑫科技取得一种存储器、存储设备和存储器的操作方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司取得一项名为“一种存储器、存储设备和存储器的操作方法”的专利，授权公告号CN118969052B，申请日期为2024年10月。天眼查资料显示，长鑫科技集团...
爱思开海力士取得半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法”的专利，授权公告号CN113539337B，申请日期为2020年10月。本文源自：金融界
长鑫存储取得存储器的检测相关专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储器的检测方法、检测系统、可读介质及电子设备”的专利，授权公告号CN114550796B，申请日期为2022年2月。天眼查资料显示，长鑫存储...
意法半导体取得单端相变存储器设备及读取方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“单端相变存储器设备及读取方法”的专利，授权公告号CN111128275B，申请日期为2019年10月。本文源自：金融界
意法半导体取得非易失性存储器装置特别是相变存储器和读取方法专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“非易失性存储器装置、特别是相变存储器和读取方法”的专利，授权公告号CN110444241B，申请日期为2019年4月。本文源自：金融界
长鑫存储取得数据总线翻转电路和存储器专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“数据总线翻转电路和存储器”的专利，授权公告号CN115410615B，申请日期为2022年9月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017...
硅存储技术取得对深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器中包含故障存储器单元的行或列的冗余存储器访问...
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司取得一项名为“对深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器中包含故障存储器单元的行或列的冗余存储器访问”的专利，授权公告号CN112368716B，申请...
意法半导体取得安全微处理器的存储器的修改专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体(鲁塞)公司和意法半导体(大西部)公司取得一项名为“安全微处理器的存储器的修改”的专利，授权公告号CN112149185B，申请日期为2020年6月。本文源自：金融界
迈络思科技取得基于IOMMU的计算机系统的置信带外存储器获取专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，迈络思科技有限公司取得一项名为“基于IOMMU的计算机系统的置信带外存储器获取”的专利，授权公告号CN110347616B，申请日期为2019年4月。本文源自：金融界
马维尔亚洲私人有限公司取得修改NVMe PRP列表指针和数据指针以利于路由PCIe存储器请求专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，马维尔亚洲私人有限公司取得一项名为“修改NVMePRP列表指针和数据指针以利于路由PCIe存储器请求”的专利，授权公告号CN110825669B，申请日期为2019年8月。本文源自：金融界
长鑫存储技术有限公司取得存储器测试相关专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储器测试方法、装置、设备及存储介质”的专利，授权公告号CN114385426B，申请日期为2020年10月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限...
美光科技公司取得用于执行存储器内处理操作的方法及相关存储器装置和系统专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“用于执行存储器内处理操作的方法及相关存储器装置和系统”的专利，授权公告号CN114341802B，申请日期为2020年8月。本文源自：金融界
超盈智能取得基于监控存储器的数据存储方法及系统专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳超盈智能科技有限公司取得一项名为“基于监控存储器的数据存储方法及系统”的专利，授权公告号CN118502675B，申请日期为2024年7月。天眼查资料显示，深圳超盈智能科技...
美光科技取得关联数据类型与流标识符以映射至顺序写入存储器装置专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“关联数据类型与流标识符以映射至顺序写入存储器装置”的专利，授权公告号CN114647376B，申请日期为2021年12月。本文源自：金融界
美光科技取得用于存储器子系统的逻辑装置的服务质量控制专利
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“用于存储器子系统的逻辑装置的服务质量控制”的专利，授权公告号CN114981770B，申请日期为2020年12月。本文源自：金融界
1月10日赛腾股份涨停分析:高带宽存储器HBM,新能源车零部件,半导体概念热股
证券之星消息，赛腾股份1月10日涨停收盘，收盘价62.73元。...该股为高带宽存储器HBM，新能源车零部件，半导体概念热股。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。
1月9日宏昌电子涨停分析:铜箔/覆铜板,环氧树脂,高带宽存储器HBM概念热股
该股为铜箔/覆铜板，环氧树脂，高带宽存储器HBM概念热股，当日铜箔/覆铜板概念上涨5.27%，环氧树脂概念上涨3.05%，高带宽存储器HBM概念上涨1.21%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备...
联华电子申请电阻式存储器结构及其制造方法专利,提升电阻式存储器器件的可靠度与数据保存能力
上述电阻式存储器结构包括衬底、介电层、导电插塞、电阻式存储器器件、间隔件与保护层。介电层位于衬底上。导电插塞位于介电层中。导电插塞具有位于介电层的外部的突出部。电阻式存储器器件位于导电插塞上。电阻式存储器器件...
联华电子申请磁性存储器元件专利,能用于存储器领域
专利摘要显示，本发明公开一种磁性存储器元件，包括一磁隧穿结叠层以及一盖层。该磁隧穿结叠层包括一参考层、一隧穿能障层，位于该参考层上，以及一自由层，位于该隧穿能障层上。该盖层设置在该磁隧穿结叠层上，并且包括一金属...
长江存储申请制造半导体器件的方法及半导体器件、存储器系统专利,能够制备半导体器件
金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制造半导体器件的方法及半导体器件、存储器系统”的专利，公开号CN119255608A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本申请的实施...
湖北星辰申请半导体器件及其制造方法、存储器系统专利,可降低半导体器件温度
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统；其中，半导体器件包括：第一芯片；多个半导体结构，位于第一芯片在第一方向上的一侧表面，且均与第一芯片耦接；多个半导体结构在第二方向上间隔排布...
爱思开海力士取得存储器设备及其操作方法专利
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“存储器设备及其操作方法”的专利，授权公告号CN113724762B，申请日期为2021年2月。本文源自：金融界
金胜电子取得一种智能计算机用静态存储器专利
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金胜电子科技有限公司取得一项名为“一种智能计算机用静态存储器”的专利，授权公告号CN116564366B，申请日期为2023年5月。天眼查资料显示，深圳市金胜电子科技有限...
存储器技术创新驱动的AI革命 帕特·基辛格接班人履职ISSCC
原定的全体会议演讲人包括英特尔前首席执行官帕特·基辛格和三星电子DS部门存储器业务主管李祯培。然而，由于两家半导体巨头在2024年末都经历了领导层变动，因此他们均不能出席此次大会。英特尔选择由代工技术开发高级副总裁...
万润科技:加快培育半导体存储器核心竞争力
金融界1月2日消息，有投资者在互动平台向万润科技提问：您好：我司2023年获得专利（一种提高闪存块管理中闪存块组织效率的...公司回答表示：公司系半导体存储器领域的新进入者，正在加快培育和构建核心竞争力。本文源自：金融界
万润科技:主营半导体存储器应用产品设计研发
金融界1月2日消息，有投资者在互动平台向万润科技提问：请问董秘，万润科技在武汉有储存芯片的生产线吗？或者有计划或正在...公司回答表示：公司结合市场需求和自身实际情况，目前主要从事半导体存储器应用产品的设计研发及销售。...
格力电器获得发明专利授权:“Flash存储器的数据读写方法”
专利摘要：本申请是关于一种Flash存储器的数据读写方法。该方法包括：获取待存储数据；读取第m单元的校验位数据，m为大于或等于零的整数；根据第m单元的校验位数据判断第m单元的数据存储情况，若第m单元中无存储数据，则在第m...
爱思开海力士取得存储器控制器及其操作方法专利
金融界2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“存储器控制器及其操作方法”的专利，授权公告号CN113703661B，申请日期为2020年9月。本文源自：金融界
中电智能取得基于存储器数据加载的实现装置及方法专利
金融界2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，中电智能科技有限公司取得一项名为“基于存储器数据加载的实现装置及方法”的专利，授权公告号CN112698782B，申请日期为2019年10月。天眼查资料显示，中电智能科技有限公司...
格力取得一种空调器的控制方法、装置、空调器和存储介质 专利
金融界2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司取得一项名为“一种空调器的控制方法、装置、空调器和存储介质”的专利，授权公告号CN115930388B，申请日期为2022年12月。天眼查资料显示，珠海...
存储器概念股冲高,朗科科技涨逾10%
每经AI快讯，存储器概念股冲高，朗科科技涨逾10%，协创数据涨逾6%。存储器概念股冲高,朗科科技涨逾10% 来源:每日经济新闻 发表时间:2024/12/30 09:53:35
华天科技:尚未开展HBM存储器封装业务
每经AI快讯，12月29日，华天科技在互动平台表示，公司尚未开展HBM存储器封装业务，HBM4对公司现有业务无重大影响。华天科技:尚未开展HBM存储器封装业务 来源:每日经济新闻 发表时间:2024/12/29 17:31:21
中国电信获得发明专利授权:“数据加密方法、装置、存储介质及处理器”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中国电信（601728）新获得一项发明专利授权，专利名为“数据加密方法、装置、存储介质及处理器”，专利申请号为CN202111585259.3，授权日为2024年12月27日。专利摘要：本申请公开了一种...
格力电器获得发明专利授权:“空调两器的检测方法、计算机可读存储介质和空调系统”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“空调两器的检测方法、计算机可读存储介质和空调系统”，专利申请号为CN202411165649.9，授权日为2024年12月27日。专利摘要：本申请...
12月27日佰维存储跌6.03%,金信稳健策略混合A基金重仓该股
该股为信创、华为产业链、智能眼镜/MR头显、东数西算/算力、AI手机、半导体、高带宽存储器HBM、大基金概念、DRAM（内存）概念热股。12月27日的资金流向数据方面，主力资金净流出3.68亿元，占总成交额16.13%，游资资金净流入1....
兴森科技:CSP封装基板下游应用中存储类占比约70%,韩系存储芯片厂商为公司重要客户
预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，目前兴森有向韩国厂商提供封装基板这类产品吗？谢谢！公司回答表示：...
存储器概念股二次拉升
恒烁股份、大为股份涨停，澜起科技涨逾9%，全志科技涨逾7%。存储器概念股二次拉升 来源:第一财经 发表时间:2024/12/26 14:13:49
山东云海国创申请一种设备中访问控制专利,提高数据在内存和外接存储器传输中的安全性
专利摘要显示，在本发明实施例中提供了一种设备中访问控制的方法、装置及介质，设备包括目标部件，目标部件中内存空间包括安全内存空间和非安全内存空间，目标部件设置有外接存储器，外接存储器中存储区域包括安全存储区域和非...
美光科技申请使用拆分逻辑块地址的部分引用存储器专利,提升存储器操作效率
专利摘要显示，本申请案涉及使用拆分逻辑块地址的部分引用存储器。一种方法包含接收包含逻辑块地址LBA的存储器操作。所述方法还包含将所述LBA拆分成第一部分及第二部分。所述方法进一步包含使用逻辑到物理L2P表来确定存储器的...
深圳云豹智能申请存储器测试控制专利,节省测试资源
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，深圳云豹智能有限公司申请一项名为“存储器的测试控制方法、装置、芯片、设备和存储介质”的专利，公开号CN119179610A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本发明实施例...
合肥开梦科技申请实体单元管理方法与存储装置专利,提升存储器模块可靠度
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，合肥开梦科技有限责任公司申请一项名为“实体单元管理方法与存储装置”...由此，可在提升存储器模块的可靠度及尽可能维持可用的实体单元的数量之间取得平衡。本文源自：金融界
杭州星幂申请基于网络存储快速迁移容器专利,实现容器快速迁移
资源存储器，用于存 储nm节点迁移过程中原容器的镜像数据；本发明通过集群控制 器输出的锁定指令和恢复指令来控制初始nm节点的容器快速 向目标nm节点迁移，通过访问资源存储器使多个nm节点快速同 步镜像。本文源自：金融界
长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利,降低绝缘层中产生空隙的概率,提高产品良率
专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，该形成方法包括：提供衬底和初始位线结构，衬底包括第一掺杂区和第二掺杂区，初始位线结构与第一掺杂区电连接，初始位线结构的至少一侧...
长鑫存储申请存储单元、存储器及其制备方法专利,提升存储器存储性能
专利摘要显示，本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。所述存储单元，包括写晶体管和读晶体管。写晶体管包括：第一栅极、第一源极、第一漏极以及位于第一源极和第一漏极之间的沟道体；其中，第一栅极与写字线相连接，第...
汇舸环保通过港交所上市聆讯;“存储器第一股”冲刺港股丨港交所早参
NO.2“存储器第一股”江波龙冲刺港股 近日，“存储器第一股”江波龙（SZ301308，股价95.26元）公告称，拟发行H股股票并申请在港交所主板挂牌上市。近年来，江波龙的业绩波动较大，连续三年现金流量净额为负数，存货高企致现金...
凌嘉科技申请存储器稳定参数校准专利,提高产品竞争力
在所述待测试存储器的温度大于第一预设值或待测试存储器工作预设时间段的情况下，得到所述待测试存储器的稳定参数，以使所述待测试存储器采用所述稳定参数工作本申请实施例中芯片可以内置低成本的DDR或者兼容更多型号的DDR，...
爱思开海力士申请执行编程操作的半导体存储器装置专利,将位线电压设置为编程禁止电压
在被选存储器单元的编程操作期间，电源电压被施加到位线连接晶体管以将与具有大于主验证电压的阈值电压的存储器单元连接的位线的电压设置为编程禁止电压。此外，小于编程禁止电压的第二编程允许电压被施加到位线连接晶体管。...
爱思开海力士申请存储器装置相关专利,提高存储器装置性能
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置以及包括存储器装置的存储器系统”的专利，公开号CN119152914A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本文提供了一种存储器...
华邦电子申请非易失性存储器装置及其擦除方法专利,实现存储器装置擦除的高效精确控制
专利摘要显示，本公开涉及一种非易失性存储器装置及其擦除方法，所述擦除方法包括：通过向存储器区块施加擦除条件来启动存储器区块的擦除操作；对存储器区块的至少一部分实行与第一擦除验证电压相比较的第一擦除验证程序；响应...
爱思开海力士申请存储器装置及操作方法专利,提升存储器装置性能
根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括分别连接到多条字线的多个存储器单元；外围电路，其包括电压生成电路和连接到存储器单元并锁存从存储器单元感测到的数据的页缓冲器；以及控制逻辑，其被配置...
20亿大手笔收购后资金链吃紧,“存储器第一股”江波龙冲向港股
蓝鲸新闻12月20日讯（记者邵雨婷）“存储器第一股”江波龙(301308.SZ)官宣“A+H”计划。12月18日晚，江波龙发布公告称，拟发行H股股票并申请在香港联交所主板挂牌上市。近年来，存储芯片行业整体承压，江波龙的业绩波动较大，...
南亚科技申请测试存储器的系统及方法专利,有助于增加测试的效率
处理器操作地耦接存储器装置并用以:产生写入指令以写入第一数据至存储器装置；产生第一读取指令以自存储器装置读取第二数据并比较第一数据及第二数据；调整供应电压至具有不同于第一值的第二值；以及产生第二读取指令以自存储...
闪迪技术申请非均匀存储器阵列中的错误率管理专利,管理错误率
专利摘要显示，多个控制电路被配置为单独地连接到阵列，这些阵列各自包括多个非易失性存储器单元。每个非易失性存储器单元包括可编程电阻元件。每个控制电路被配置有单独地址偏移。该多个控制电路被配置为：从存储器控制器并行...
长江存储申请存储器系统中的数据处理专利,提高存储器系统的数据处理效率
该存储器系统可以包括存储器控制器和存储器件。该方法可以包括：接收包括比特并且要被写入存储器件的数据；对与第一状态相对应的比特的第一比特数和与第二状态相对应的比特的第二比特数进行计数；以及响应于比特的第二比特数...
慧荣科技申请快闪存储器控制器相关专利,提升快闪存储器错误更正效率
该方法包含：使用错误更正码电路对从快闪存储器装置的快闪存储器芯片的储存区块中所存取的数据进行错误更正码操作以产生一错误更正码结果；当判断该错误更正码结果指示出错误更正码失败时，将该储存区块所相应的一取任务暂存于...
美光科技申请存储器装置中自校准专利,实现无需主机装置调用再训练均衡器
专利摘要显示，本公开涉及存储器装置中的自校准。系统及方法包含使用半导体装置自训练所述半导体装置的均衡器。所述半导体装置接收用于再训练所述均衡器的条件的指示。所述半导体装置基于所述自训练期间导出的经训练值操作所述...
新唐科技申请电子装置及其测试方法专利,对电子装置中的OTP存储器进行测试编程
专利摘要显示，本发明提供了一种电子装置及其测试方法，包括向电子装置提供一或多个信号以执行测试程序的方法，该测试程序涉及对电子装置中的一次性可编程OTP存储器进行编程。通过执行一系列的一或多个迭代程序来验证一或多个...