沐曦科技申请存储器输入接口相关专利,提升芯片运行频率
金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，沐曦科技（成都）有限公司申请一项名为“存储器输入接口功能路径测试方法、电子设备和介质”的专利，公开号CN119811458A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明涉及...
长江存储申请存储控制器相关专利,解决读取重试时间过长影响读写性能的问题
金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种存储控制器的操作方法、存储控制器及存储系统”的专利，公开号CN119811455A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本公开提供...
浙江屹晶取得一种微型逆变器、控制方法及存储介质专利
金融界2025年4月23日消息，国家知识产权局信息显示，浙江屹晶微电子股份有限公司取得一项名为“一种微型逆变器、控制方法及存储介质”的专利，授权公告号CN119341389B，申请日期为2024年12月。天眼查资料显示，浙江屹晶微电子...
上海华力取得静态随机存储器版图的验证方法专利
金融界2025年4月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“静态随机存储器版图的验证方法”的专利，授权公告号CN114004189B，申请日期为2021年11月。天眼查资料显示，上海华力集成电路...
[机构调研记录]广发基金调研佰维存储、中大力德等3只个股(附名单)
佰维存储为多家知名智能眼镜厂商提供存储器，具备研发封测一体化优势，助力产品轻薄小巧。2）中大力德（广发基金参与公司特定对象调研） 调研纪要：中大力德在2024年的营业收入为97,634.30万元，同比下降10.10%，归属于上市...
长江创新中心取得相变存储器封装结构专利
金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，长江先进存储产业创新中心有限责任公司取得一项名为“相变存储器的封装结构”的专利，授权公告号CN114256293B，申请日期为2021年12月。天眼查资料显示，长江先进存储产业...
独家|三星回应DDR4存储芯片停产传闻:不评论业界传言,生产在按序进行
4月22日消息，市场传三星电子通知客户于2025年4月终止1z制程8GbLPDDR4存储器生产（EndofLife），并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前出货，主要原因是国内手机LPDDR4存储芯片订单转到本土工厂制造，三星将...
中芯国际申请存算一体电路及SRAM存储器专利,使存算一体电路的读操作和写操作稳定性能够提高
专利摘要显示，一种存算一体电路及SRAM存储器，存算一体电路包括：写操作单元电路，包括第一晶体管以及与第一晶体管耦接的阻变存储器；与写操作单元电路相耦接的读操作单元电路，包括第二晶体管以及与第二晶体管耦接的第三晶体...
拉姆伯斯申请具有按需带宽提升的低功率存储器专利,降低存储器能耗
专利摘要显示，本公开的一些实施例涉及一种具有按需带宽提升的低功率存储器。在具有命令/地址接口、定时接口和数据接口的存储器部件中，命令/地址接口在第一间隔期间从控制部件接收第一命令/地址值，并且在第二间隔期间从控制...
国际商业机器公司申请具有互补的相邻单元的堆叠随机存取存储器专利,提供集成电路场效应晶体管单元结构
金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有互补的相邻单元的堆叠随机存取存储器”的专利，公开号CN119856579A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供一种集成电路(IC)的场效应...
国际商业机器公司申请具有绝缘层的多丝电阻存储器专利,降低复合 ReRAM 单元中的可变性
专利摘要显示，一种晶界自动对准的电阻存储器结构，其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成，各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝，每个元件一个细丝，目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。本文...
美光科技申请具有含支柱晶格的六边形存储器单元的存储器装置专利,提升存储器性能
各种应用可包含一种存储器装置，其具有存储器单元阵列，其中所述存储器单元中的每一者具有布置为耦合到电容器的六边形竖直沟道晶体管的全环绕栅极GAA晶体管。存取线可耦合到所述GAA晶体管的栅极且数字线可耦合到所述GAA晶体管...
长鑫科技申请存储芯片等专利,提升存储器性能
金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器”的专利，公开号CN119855165A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本公开提供了...
美光科技申请 NAND 存储器中的向量元素乘法专利,实现存储器的高效运算
存储器可包含多个串联连接的存储器单元串，其各自对应于被乘数的多个数字中的相应数字，且可进一步包含控制器，所述控制器经配置以使所述存储器针对乘数的多个数字中具有指示所述乘数的所述多个数字中的每一数字乘以被乘数的值...
长鑫科技申请控制电路及存储器专利,避免存储器功能启用冲突
专利摘要显示，本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种控制电路及存储器，控制电路包括：第一信号调节电路，用于接收基于存储器的模式寄存器输出的第一标识信号和第二标识信号；第一标识信号用于指示存储器是否启动终端...
长鑫科技申请稳压电路和存储器专利,稳定输出电压
专利摘要显示，本公开提供了一种稳压电路和存储器，该稳压电路包括控制电路、第一调整电路和第二调整电路，控制电路用于将输出电压与预设电压进行比较，生成控制信号；第一调整电路用于根据控制信号对调整节点进行放电处理或者...
我国发布全球最快存储器,每秒可存25亿次!比传统闪存快一百万倍
科研团队将这款具有划时代意义的存储器命名为“破晓”。从外观上看，“破晓”仅有1平方厘米大小，与普通存储器并无明显差异，但它却蕴含着巨大的能量。通过创新的物理机制，“破晓”将存储器擦写速度提升至400皮秒实现一次擦...
合肥开梦科技申请数据读取控制方法以及存储器存储装置专利,提升存储器存储装置的效能
专利摘要显示，本发明提供一种数据读取控制方法以及存储器存储装置，可提升顺序映射表的建构质量及效率，并提升存储器存储装置的效能。数据读取控制方法用于可复写式非易失性存储器模块。数据读取控制方法包括：接收读取指令...
合肥开梦申请数据写入方法及存储器控制器专利,有效提高数据存储随机性和可靠性
专利摘要显示，本发明提供一种数据写入方法及存储器控制器，适用于具有多个存储单元的可复写式非易失性存储器模块。该方法包括以下步骤：首先，从主机系统获取原始数据。然后，对该原始数据执行多个随机化操作，以获取多个写入...
合肥开梦科技申请存储器管理方法与存储装置专利,提高对存储器模块的管理效率
专利摘要显示，本发明提供一种存储器管理方法与存储装置。所述方法包括：发送操作指令以指示第一实体管理单元中的第一实体单元执行第一操作；从多个管理信息中确定对应于第一实体管理单元的第一管理信息，其中第一管理信息记载...
深圳宏芯宇申请存储器管理方法与存储装置专利,提升存储装置的数据加密效率
所述方法包括：确定多个候选实体单元，其分散于存储器模块中不同的存储器区域中；检测系统事件，其包括存储装置的上电事件；响应于系统事件，从所述多个候选实体单元中选择第一实体单元，并读取所述第一实体单元；从存储器模块...
科美尔取得抗冲击的自动驾驶数据记录装置专利,能够增加存储器抗冲击能力
专利摘要显示，本实用新型属于数据记录技术领域，具体的说是一种抗冲击的自动驾驶数据记录装置，包括存储器和缓冲装置，存储器的两侧均固定连接有连接板；两个连接板的底端设有缓冲装置，缓冲装置包括底板，底板位于存储器的正...
英特尔申请对 N 维矩阵加载和存储指令的硬件支持专利,促进对存储器的访问
装置包括：图形处理器，该图形处理器包括通用图形执行资源，该通用图形执行资源包括矩阵加速器，矩阵加速器被配置成用于对存储器中存储的多个张量执行矩阵操作；以及电路系统，该电路系统被配置成用于促进由通用图形执行资源对...
长江存储申请存储器控制器及其操作方法、存储器系统专利,基于待更新映射信息更新有效数据表
专利摘要显示，本公开实施例提供一种存储器控制器及其操作方法、存储器系统。该存储器控制器包括：第一缓存器，被配置为缓存有效数据表和待更新映射信息；其中，有效数据表用于记录多个有效转换单元计数；有效转换单元计数指示...
美光科技公司取得存储器子系统专利
金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“32901.存储器子系统中的逻辑到物理页转译中的相干性问题解决方案”的专利，授权公告号CN113064548B，申请日期为2020年12月。本文源自：金融界
海光云芯取得优化存储器的传输信号的方法、存储器控制器及电子设备专利
优化存储器的传输信号的方法、存储器控制器及电子设备”的专利，授权公告号CN118692528B，申请日期为2024年6月。天眼查资料显示，海光云芯集成电路设计（上海）有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息...
传统闪存快100万倍!复旦研发出全球最快存储芯片,已成功流片
4月18日，复旦大学相关科研团队宣布成功研制出全球最快半导体存储器"破晓"，每秒可执行25亿次操作，将传统闪存速度提升整整100万倍！这块1平方厘米的芯片背后，藏着改写存储技术发展史的颠覆性突破。复旦大学刘春森研究员团队...
铁电存储器股份有限公司申请读取状态可编程存储器单元感测反向脉冲专利,用于读取存储器元件的编程状态
互补存储器元件可以用于通过以下方式产生补偿电压：对第二存储器元件所连接的互补板线进行放电以对第二存储器元件所连接的互补位线进行充电，以及将位线连接到互补位线以向位线产生补偿电压。本文源自：金融界
比亚迪半导体申请存储器控制电路及方法专利,实现对存储器的特定擦写操作
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器控制电路及存储器控制方法，存储器控制电路包括第一状态机、第二状态机、擦写流程识别单元、擦写执行电路，擦写流程识别单元用于响应于处理器执行的擦写操作，向第一状态机发送目标请求，...
铠侠申请375.存储器系统及存储器器件专利,提高存储器控制效果
专利摘要显示，本发明的实施方式的存储器系统包含存储器器件与存储器控制器。存储器器件包含多个存储单元。存储器控制器构成为基于与多个存储单元各自的阈值电压分布的梯度有关的信息决定第1电压，执行跟踪动作。存储器控制器...
长鑫存储取得电容器及其形成方法、存储单元及存储器专利
电容器及其形成方法、存储单元及存储器”的专利，授权公告号CN112133828B，申请日期为2019年6月。天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业...
上海博维逻辑申请铁电存储器及读取方法专利,能获取第一数据或第二数据
专利摘要显示，公开了一种铁电存储器及对其存储单元进行读取的方法。所述铁电存储器包括：铁电存储单元，能被设置为与第一数据对应的第一状态或与第二数据对应的第二状态并且具有第一端口、第二端口和第一控制端口；板线；位线...
世界上最快的存储器每秒写入250亿比特,比当前技术快10000倍
今天发表在《自然》杂志上的研究结果，将非易失性存储器推向了以前为最快易失性内存保留的速度域，并为数据密集型人工智能硬件设定了基准。打破速度上限 传统的静态和动态RAM（SRAM、DRAM）在1-10纳秒内写入数据，但在断电时会...
昕原半导体取得用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器专利
金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司取得一项名为“用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器”的专利，授权公告号CN119360906B，申请日期为2024年12月。天眼查资料显示，...
绿联科技获得外观设计专利授权:“用于电子设备的存储管理器图形用户界面”
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示绿联科技（301606）新获得一项外观设计专利授权，专利名为“用于电子设备的存储管理器图形用户界面”，专利申请号为CN202430261143.2，授权日为2025年4月18日。专利摘要：1.本外观设计产品...
机构:受积极备货潮带动,预估二季度存储器合约价涨幅将扩大
4月17日，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期国际形势变化已切实改变了存储器供需方操作策略。受到积极备货潮带动，第二季的DRAM和NANDFlash合约价调涨幅度皆较原本预期扩大。然而，这波涨势的动能可能仅限于第二季，主要...
天翼云申请一种网络存储器集成快照服务专利,能轻松适应不同后端文件系统快照功能
专利摘要显示，本发明实施例提供了一种网络存储器集成快照服务方法、装置、设备和介质向网络存储器服务端发送预设快照参数，以使存储器服务端根据快照参数，确定权限集合；获取快照操作类型；根据快照操作类型，确定待操作数据...
风华创智申请访问局部寄存器时优化存储体冲突专利,提高指令性能
金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，北京风华创智科技有限公司申请一项名为“一种访问局部寄存器时优化存储体冲突的方法和装置”的专利，公开号CN119829131A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明涉及...
英特尔公司取得利用高速和低速非易失性存储器来促进快速引导的方法和装置专利
金融界2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司取得一项名为“利用高速和低速非易失性存储器来促进快速引导的方法和装置”的专利，授权公告号CN108694060B，申请日期为2018年3月。本文源自：金融界