英飞凌申请包括测试结构的半导体 Wafer 专利,简述测试结构的半导体 Wafer 的专利技术成果
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“包括测试结构的半导体Wafer”的专利，公开号CN119742299A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，被公开的是一种包括测试结构的半导体...
英飞凌科技申请具有用于补偿电桥电路温度系数的补偿电阻的传感器电路专利,补偿电桥电路的温度系数
金融界2025年4月1日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有用于补偿电桥电路的温度系数的补偿电阻的传感器电路”的专利，公开号CN119738752A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明...
英飞凌取得具有粘附促进剂的用于电子器件的无机包封剂专利
金融界2025年4月1日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有粘附促进剂的用于电子器件的无机包封剂”的专利，授权公告号CN112151465B，申请日期为2020年6月。本文源自：金融界
对话英飞凌科技高级副总裁范永新:未来AI或将消耗大部分电力 高能效功率芯片成节能降耗关键
3月28日，全球功率半导体龙头英飞凌举行英飞凌无锡30周年活动，英飞凌科技高级副总裁、英飞凌无锡总经理范永新接受了《每日经济新闻》记者的采访。历经三十年的深耕发展，无锡工厂已成为英飞凌全球最大的IGBT（绝缘栅双极晶体...
英飞凌科技奥地利有限公司申请具有带有金属硅化物栅极区的垂直功率晶体管的半导体装置专利,提高半导体装置...
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“具有带有金属硅化物栅极区的垂直功率晶体管的半导体装置”的专利，公开号CN119698061A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本公开...
天华新能:为美光、AMD、英飞凌、中芯国际等半导体企业提供防静电超净技术产品
在半导体集成电路领域的客户包括美光、AMD、英飞凌、中芯国际等；在硬盘存储领域的客户包括希捷、西部数据、SAE、长城开发等。此外，公司的客户中还包括捷普、博世汽车部件等全球知名企业。本文源自：金融界
英飞凌高管专访:详解GaN/SiC/AI/机器人布局与中国本土化发展!
期间，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟接受了包括芯智讯的专访，介绍了英飞凌在...
英飞凌科技取得具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件”的专利，授权公告号CN111415983B，申请日期为2020年1月。本文源自：金融界
英飞凌取得功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法”的专利，授权公告号CN111584614B，申请日期为2020年2月。本文源自：金融界
英飞凌科技股份有限公司取得晶体管器件专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“晶体管器件”的专利，授权公告号CN110620138B，申请日期为2019年6月。本文源自：金融界
英飞凌科技取得具有 dV/dt 可控性的 IGBT 专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有dV/dt可控性的IGBT”的专利，授权公告号CN109698230B，申请日期为2018年10月。本文源自：金融界
英飞凌科技奥地利有限公司取得半导体器件专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN110246897B，申请日期为2019年3月。本文源自：金融界
英飞凌科技取得包括 LDMOS 晶体管的半导体装置专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“包括LDMOS晶体管的半导体装置”的专利，授权公告号CN111916500B，申请日期为2017年6月。本文源自：金融界
英飞凌科技取得功率半导体晶体管专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“功率半导体晶体管”的专利，授权公告号CN110943120B，申请日期为2019年9月。本文源自：金融界
英飞凌科技取得具有自对准源区的功率半导体器件专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有自对准源区的功率半导体器件”的专利，授权公告号CN110858546B，申请日期为2019年8月。本文源自：金融界
英飞凌科技取得半导体器件和用于形成半导体器件的方法专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“半导体器件和用于形成半导体器件的方法”的专利，授权公告号CN109994383B，申请日期为2018年12月。本文源自：金融界
英飞凌科技奥地利有限公司取得功率半导体装置相关专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司取得一项名为“功率半导体装置、功率模块组件及测量电流的方法”的专利，授权公告号CN111952295B，申请日期为2020年5月。本文源自：金融界
英飞凌科技股份有限公司取得空间高效且低寄生的半桥专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“空间高效且低寄生的半桥”的专利，授权公告号CN113140551B，申请日期为2021年1月。本文源自：金融界
英飞凌取得具有芯片封装件和无相交线圈布局的装置专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有芯片封装件和无相交线圈布局的装置”的专利，授权公告号CN113540047B，申请日期为2021年4月。本文源自：金融界
英飞凌科技取得具有传感器芯片和汇流排的传感器装置专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有传感器芯片和汇流排的传感器装置”的专利，授权公告号CN112542439B，申请日期为2020年9月。本文源自：金融界
英飞凌科技奥地利有限公司取得半导体晶片相关专利
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司取得一项名为“半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法”的专利，授权公告号CN110391202B，申请日期为2019年4月。本文源自：金融界
英飞凌取得母衬底、Wafer 复合体以及制造半导体器件的方法专利
金融界2025年3月28日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“母衬底、Wafer复合体以及制造半导体器件的方法”的专利，授权公告号CN112420504B，申请日期为2020年8月。本文源自：金融界