集邦咨询:春节后 DDR4 内存现货价格下跌、NAND闪存市场低迷
IT之家2月6日消息,根据TrendForce集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告,DRAM和NAND闪存市场近期表现各异。DRAM方面,消费者需求在春节后依然疲软,导致DDR4现货价格下跌;而NAND闪存市场交易低迷,供应商减产的效果尚未在市场...
【闪存】新闻资讯
IT之家2月6日消息,根据TrendForce集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告,DRAM和NAND闪存市场近期表现各异。DRAM方面,消费者需求在春节后依然疲软,导致DDR4现货价格下跌;而NAND闪存市场交易低迷,供应商减产的效果尚未在市场...
IT之家2月5日消息,PNY必恩威美国当地时间本月4日宣布推出三个系列的USBType-C接口闪存盘,包含主打高性能的PROEliteV3Type-C、小巧玲珑的Elite-XFitType-C和面向日常场景的EliteType-C。PROEliteV3Type-C PROEliteV3Type-C...
该股为信创,闪存,DRAM(内存)概念热股,当日信创概念上涨5.18%,闪存概念上涨4.89%,DRAM(内存)概念上涨4.12%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。
基板的顶部对称开设有第一滑槽,第一滑槽的内侧壁滑动连接有第一滑块,第一滑块的顶部固定连接有支撑组件,再通过支撑组件可以对处于悬浮状态的闪存芯片起到支撑作用,可以有效的防止在封装的过程中闪存芯片出现倒塌的现象,在...
据外媒报道,长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构,堆叠层数高达294层,并拥有232个有源层,实现了技术上的重大突破。长江存储的这一成果标志着公司在闪存技术方面取得了显著进展...
近日,据消息,长江存储已经开始了其第五代3DTLCNAND闪存的出货。这款闪存产品采用了Xtacking4.0架构,共有294层和232个有源层。据悉,长江存储已经在新的闪存产品上超越了韩国、美国等其他头部存储企业。目前,该公司推出的第...
本发明能在较低的电源电压下工作并通过所需要的位线电压,能提高闪存读取的准确性以及增强闪存系统的稳定性。天眼查资料显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子...
金融界2025年1月30日消息,国家知识产权局信息显示,苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“一种固态硬盘的闪存故障定位方法、系统、装置及介质”的专利,公开号CN119376988A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本发明公开...
所述方法,应用于对NAND闪存进行管理的文件系统,该方法包括:获取写入指令;基于实时任务场景和/或待存储数据的数据特性动态确定当前工作模式;当前工作模式包括高性能模式、高寿命模式中的一种;基于当前工作模式和/或压缩...
金融界2025年1月29日消息,国家知识产权局信息显示,上海领耐半导体技术有限公司取得一项名为“3D组对结构的单存储管NOR闪存及其操作方法”的专利,授权公告号CN118900570B,申请日期为2024年9月。天眼查资料显示,上海领耐...
金融界2025年1月29日消息,国家知识产权局信息显示,微芯片技术股份有限公司取得一项名为“具有改善的读取性能的分裂栅闪存单元”的专利,授权公告号CN112292729B,申请日期为2019年6月。本文源自:金融界
金融界2025年1月29日消息,国家知识产权局信息显示,北京磐芯微电子科技有限公司取得一项名为“闪存阵列”的专利,授权公告号CN113689893B,申请日期为2021年8月。天眼查资料显示,北京磐芯微电子科技有限公司,成立于2021年,...
金融界2025年1月28日消息,国家知识产权局信息显示,智新科技股份有限公司申请一项名为“新能源汽车电机控制器的CPU闪存和软件更新系统及方法”的专利,公开号CN119356707A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本发明公开了...
金融界2025年1月28日消息,国家知识产权局信息显示,南京云创大数据科技股份有限公司申请一项名为“全闪存数据写入方法、装置、电子设备和存储介质”的专利,公开号CN119356623A,申请日期为2024年12月。专利摘要显示,本申请...
A:手机闪存坏了通常是可以修的,不过具体情况要视损坏程度和原因而定。如果是闪存芯片的外部电路出现问题,如焊接点松动、线路断路等,专业的维修人员可以通过重新焊接、修复线路等方法来解决问题,恢复闪存的正常使用。比如...
该股为光通信,闪存,DRAM(内存)概念热股,当日光通信概念上涨2.75%,闪存概念上涨2.63%,DRAM(内存)概念上涨2.36%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资...
若逻辑地址段的连续度小于或等于连续度阈值,则将映射对插入范围桶哈希结构,通过采用全局位图表、紧凑数组和范围哈希桶结构三种数据结构结合的混合映射结构,对映射对进行存储,能够优化闪存设备的内存开销,实现在纯顺序读写...
如今全球NAND闪存持续供过于求,相应市场面临严峻挑战,除了企业级SSD有动能支撑外,其他终端产品销量均普遍不如预期,供货商库存持续上升,订单需求下降。三星、SK海力士、铠侠、美光均已开始研究NAND闪存减产计划,从而缓解...
IT之家1月23日消息,如今全球NAND闪存持续供过于求,相应市场面临严峻挑战,除了企业级SSD有动能支撑外,其他终端产品销量均普遍不如预期,供货商库存持续上升,订单需求下降。据外媒TechPowerup报道,如今业界三星、SK海力士...
这款智能闪存盘获得苹果MFi认证,配备Lightening+Type-C双接口,与从iPhone6到iPhone16的各式苹果智能手机兼容。iLuxeStick闪存盘长约67.6mm,重约17.8g,容量覆盖128GB、256GB、512GB、1TB,配备H2+工业级嵌入式内存,支持5...
[钜惠来袭]联想ThinkPlus金属U盘64GB高速办公电脑闪存盘,此次促销价格仅为36.96元!原价48.9元,满1件打9.5折优惠活动让价格更加亲民。买到就是赚到哦!这款联想ThinkPlus金属U盘采用高性能芯片和闪存技术,大容量64GB足以...
金融界2025年1月18日消息,国家知识产权局信息显示,晶存阵列(上海)科技有限公司申请一项名为“闪存数据的读取方法、固态存储设备以及固件程序产品”的专利,公开号CN119311467A,申请日期为2024年12月。专利摘要显示,一种...
[TechWeb]1月17日消息,据外媒报道,由于供过于求,全球NAND闪存的价格已连续4个月下滑,为应对这一不利局面,厂商也开始减产,以平衡供求,进而稳定价格,美光就已经宣布将调整产出,消息人士透露三星电子也已决定削减产量。...
专利摘要显示,本实用新型公开一种闪存存储器标记装置,包括单片机,所述单片机包括检测模块和标记模块,所述检测模块与待测闪存存储器电连接,用于检测所述待测闪存存储器中出现位翻转现象的块;所述标记模块与所述检测模块...
三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量超过10%,平均月产量将从20万片晶圆降至17万片。与此同时,三星在韩国华城的两条关键生产线—12号和17号,也面临产量调整,以进一步缩减整体产能规模。当前全球NAND闪存市场供应过剩,...
IT之家1月13日消息,据《朝鲜日报》1月10日消息,三星电子已决定减少NAND闪存产量,主要是其位于中国西安的工厂。报道提到,这似乎是保护盈利能力的一项措施,因为随着全球NAND持续供过于求,预计今年价格将暴跌。考虑到SK...
这款SSD搭载了铠侠自研的BiCSFLASH3D闪存,同时其主控芯片以及SSD固件也均为铠侠自主研发。这种全方位的自主研发能力,使得XD8在性能、稳定性和兼容性方面均表现出色,为追求小巧机身与高性能存储的用户提供了理想的选择。同时...
1月8日,JEDEC固态技术协会发布了通用闪存存储标准UFS4.1及其配套的主机控制器接口标准UFSHCI4.1。这项新标准在兼容UFS4.0硬件的基础上,进一步提升了数据访问速度和整体性能,特别适用于移动应用和计算系统的高性能低功耗需求...
美国加州圣何塞,2025年1月7日—在全球科技行业瞩目的CES2025大会上,作为NAND闪存领域的先驱,KIOXIA(铠侠)再一次证明了它在存储技术创新中的核心地位。从数据中心到人工智能,从智能汽车到消费电子,铠侠以一系列突破性的...
专利摘要显示,本发明提供一种闪存及其制备方法,包括:提供衬底;形成硬掩膜层,硬掩膜层至少覆盖隔离层的侧壁表面;形成的第一侧墙位于硬掩膜层的侧壁表面;形成位于每个字线两侧的堆叠的浮栅和控制栅;形成的第二侧墙氧化层...
专利摘要显示,本发明提供一种闪存及其制作方法,包括:提供衬底,在衬底上依次形成介质层、浮栅层、层间绝缘层、控制栅层和牺牲层,在开孔内的牺牲层侧壁形成第一侧墙;刻蚀控制栅层和层间绝缘层直至露出浮栅层;形成的第二侧...
通用闪存存储标准UFS4.1正式发布,与UFS4.0硬件兼容的同时,进一步提高了数据访问速度和整体性能。主要改进包括:主机启动碎片整理、调整WriteBooster缓冲区和PartialFlush、永久可启动逻辑单元、RPMB身份验证、增强的异常类型...
专利摘要显示,本发明公开了一种基于闪存控制器的数字人应用加速方法及系统,方法包括:在主机侧外部连接闪存控制器,将数字人系统各模型预置至闪存控制器的模型存储单元;将数字人形象视频预置至存储模块,通过NPU模块进行...
NAND闪存方面,中国企业也不容小觑。中国长江存储成功开发了232层3D NAND,并推出了配备该公司第五代3D NAND内存的PCIe 5.0 SSD内存。当然,长江存储的市场份额并没有那么高,但由于其向中国联想等国内公司提供NAND闪存,该...
金融界2025年1月8日消息,国家知识产权局信息显示,微芯片技术股份有限公司取得一项名为“用于使用预测的经保留与读取干扰补偿的阈值电压偏移补偿值来执行对闪存存储器的读取的方法和装置”的专利,授权公告号CN117157711B,...
该股为光通信,DRAM(内存),闪存概念热股,当日光通信概念上涨5.06%,DRAM(内存)概念上涨4.64%,闪存概念上涨4.45%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资...
该股为DRAM(内存),闪存,WiFi概念热股,当日DRAM(内存)概念上涨4.64%,闪存概念上涨4.45%,WiFi概念上涨4.21%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。
紫光闪存1TB移动固态硬盘,拥有出色的读写速度和稳定性。采用3DNAND技术,数据传输更快速、稳定,可满足大文件存储需求。另外,此款产品还具有防水、防震、防摔等特性,确保数据安全。此外,独特的磁吸设计让安装和拆卸更加...
其实,这样的问题只需一个闪存盘就能解决。泡泡网2024年度优秀产品—闪迪至尊高速™酷锃™OTGUSB3.2(TypeC)闪存盘,就能很好地缓解大家的存储焦虑。这款闪存盘拥有小巧迷你的机身设计,重量轻到几乎可以忽略,外出携带毫无负担...
金融界2025年1月4日消息,国家知识产权局信息显示,深圳大普微电子科技有限公司取得一项名为“非对齐存储结构的闪存设备及数据存储方法”的专利,授权公告号CN114356234B,申请日期为2021年12月。天眼查资料显示,深圳大普微...
证券之星消息,大为股份1月3日涨停收盘,收盘价14.25元。...该股为DRAM(内存),闪存,WiFi概念热股。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。
PConline 2024智臻科技奖】2024年,随着数字存储需求的不断增长和移动办公的普及,闪存盘市场迎来了新的发展机遇。用户对于闪存盘的期望不再局限于基本的存储功能,而是更加注重其传输速度、耐用性以及与现代设备的审美匹配。...
专利摘要显示,本实用新型涉及闪存颗粒技术领域,具体涉及一种闪存颗粒测试装置,包括支座、上压盖以及下压盖;所述支座设于上压盖与下压盖之间;所述支座的顶部设有上顶针模组;所述支座的底部设有下顶针模组;所述支座在上...
这款联想thinkplus迷你金属闪存优盘采用了先进的USB3.1接口和EVO系列固态硬盘,具有卓越的读写速度和稳定性。容量大高达128GB,可以存储大量的文件和资料,无需担心空间不足的问题。另外,产品小巧便携,易于携带和使用,是...
但是高清的影像对存储容量与性能的需求可以说是永无止境,所以不少用户还会再选择更便携、兼容性更好的USB-C闪存盘作为存储设备,而备受消费者青睐的三星便携式USB-C闪存盘系列已然成为首选。三星USB-C闪存盘有64GB、128GB、...
证券之星消息,大为股份12月26日涨停...该股为DRAM(内存),闪存,WiFi概念热股,当日DRAM(内存)概念上涨4.08%,闪存概念上涨4.06%,WiFi概念上涨3.94%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
证券之星消息,恒烁股份12月...该股为AI算力芯片,闪存,小米概念股概念热股,当日AI算力芯片概念上涨6.79%,闪存概念上涨4.06%,小米概念股概念上涨2.89%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
一是锁死逻辑芯片在14nm,二是锁死NAND闪存在128层,三是锁死DRAM内存在18nm,不允许中国的技术进入美国的封锁层之下。为此,美国更是联合日本、荷兰等,对先进的半导体设备进行封锁,任何可以制造封锁层下面的设备,都禁运… ...
2024ZOL年度推荐产品:三星Type-CUSB3.2闪存盘 获奖理由: 三星Type-CUSB3.2闪存盘专为移动设备而设计,身形小巧方便携带,采用Type-C接口,可方便的在智能手机、平板电脑、笔记本电脑之间传输数据,最高400MB/s的速度和最大...
该方法包括:通过存储控制器获取多个闪存颗粒各自对应的错误比特数和读取电压的偏移量数据,再由处理器获取每个闪存颗粒的错误比特数的归一化值和偏移量数据的归一化值,获取错误比特数和偏移量数据的权重值,根据错误比特数的...
证券之星消息,兆易创新12月...该股为汽车芯片,DRAM(内存),闪存概念热股,当日汽车芯片概念上涨4.74%,DRAM(内存)概念上涨4.66%,闪存概念上涨4.57%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
金融界2024年12月17日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市众联精工科技有限公司取得一项名为“一种用于全尺寸闪存晶圆片性能测试分选全自动设备”的专利,授权公告号CN222152954U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本...
这家NAND闪存(用于智能手机和数据中心服务器存储信息的芯片)领域的先驱公司经过多年复杂而广泛的谈判,于周三上市。谈判涉及贝恩资本、SKInc.西部数据(WDC.US)和日本政府。其IPO一度被吹捧为这家从东芝剥离的公司复兴的开始...
据证券时报,记者获悉,近日,华为技术有限公司和信雅达科技股份有限公司共同确认,双方已完成企业内容管理平台ECM与华为OceanStorDorado全闪存存储兼容互认证工作。经过测试,信雅达内容管理平台SunECM3.6与华为...
[超值秒杀]紫光闪存512GB磁吸移动固态硬盘限时抢购价389元![高性价比]原价399元,现在下单即可享受满69减10元优惠,真正的好价仅此一时。[极速传输]采用USB3.2接口,读取速度高达2000MB/S,数据备份快速高效。[优质存储]选用...
金融界2024年12月14日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市广通远驰科技有限公司取得一项名为“闪存分区数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质”的专利,授权公告号CN113050887B,申请日期为2021年3月。本文源自:金融界
证券之星消息,兆易创新12月13日涨停收盘,收盘价92...该股为闪存,DRAM(内存),超高清视频概念热股,当日闪存概念上涨1.32%,DRAM(内存)概念上涨0.69%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
据最新报道,三星公司成功研发出创新性的400层堆叠NANDFlash闪存技术,并已开始将其投入大规模生产。这一突破有望超越SK海力士此前宣布量产的321层NANDFlash技术。预计三星将在2025年国际固态电路会议上详细介绍其1Tb容量的400...
专利摘要显示,本发明公开了一种片内闪存的编程方法、装置及系统,应用于片内闪存技术领域,应用于上位机,包括:确定待使用的多个下载线程;上位机通过调试器连接有多个待调试芯片,待调试芯片具有片内闪存,调试器通过调试...
IT之家12月9日消息,韩媒SEDaily当地时间本月6日援引消息人士的话称,三星电子此前已在旗下研发机构完成了4XX层第10代3DV-NAND闪存的开发,并从上月开始将该技术转移至位于平泽1号工厂的量产线上。参考IT之家此前报道,三星...
金融界2024年12月7日消息,国家知识产权局信息显示,宁波领开半导体技术有限公司取得一项名为“Nor闪存阵列及其操作方法”的专利,授权公告号CN116437669B,申请日期为2023年4月。本文源自:金融界
IT之家12月4日消息,铠侠日本当地时间今日宣布,其车载UFS4.0嵌入式闪存产品在业界率先获得ASPICECL2(IT之家注:即AutomotiveSPICE能力等级2)认证。AutomotiveSPICE中SPICE的全称为 S oftware P rocess I mprovementand C ...
证券之星消息,大为股份...该股为DRAM(内存),闪存,汽车零部件概念热股,当日DRAM(内存)概念上涨1.49%,闪存概念上涨0.58%,汽车零部件概念上涨0.05%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
而闪存盘收纳展示台设计独特,内含一枚128GB的金士顿DataTravelerSE9G3闪存盘和一个黑默丁格造型的闪存盘。定价均为159元人民币,在京东商城有售。此外,还有一个金士顿×双城之战II联名闪存盘产品系列,其中包括128GB的...
金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,广东匠芯创科技有限公司申请一项名为“缓存数据写入方法、...无需每次在执行新的写入操作的过程中直接调用闪存,减少了写入闪存的次数,提高了闪存的耐用性。本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,珠海妙存科技有限公司申请一项名为“描述符链管理方法及闪存控制器、电子设备、存储介质”的专利,公开号CN119045746A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请公开了...
IT之家11月29日消息,紫光闪存宣布推出UNISUF200系列TF卡,该卡读速为180MB/s,可选64/128/256GB三种版本,定价为49.9元起,IT之家整理价格信息如下: 64GB:49.9元起 128GB:79.9元起 256GB:159.9元起 据介绍,系列存储卡...
金融界2024年11月25日消息,国家知识产权局信息显示,四川云海芯科微电子科技有限公司取得一项名为“一种闪存颗粒分级方法、装置、电子设备及存储介质”的专利,授权公告号CN118737252B,申请日期为2024年9月。本文源自:金融...
IT之家11月22日消息,紫光闪存今日发布了UNISPNC1紫翎系列磁吸式移动固态硬盘,采用圆形磁吸设计,支持4K视频直录及企业定制服务。UNISPNC1支持iPhone15/16系列手机 4K60HzProRes直录功能,可达2000MB/s的读速与1800MB/s的写速...
该方法包括:基于待执行的数据处理任务,向与SOC芯片处于连通状态的第一闪存存储器发送对应的第一数据处理命令,再基于模拟开关,切换与SOC芯片处于连通状态的闪存存储器,并向切换后的闪存存储器发送对应的数据处理命令,然后...
金融界2024年11月21日消息,国家知识产权局信息显示,上海威固信息技术股份有限公司取得一项名为“一种数据闪存管理方法及存储系统”的专利,授权公告号CN116382592B,申请日期为2023年4月。本文源自:金融界
在本次会议上,国内存储企业时创意SCY发布了1TB容量款UFS3.1嵌入式闪存芯片。时创意此前已推出过128~512GB容量的UFS3.1芯片,此次推出的 1TB款扩展了时创意高速UFS产品的容量覆盖。时创意的1TB款UFS3.1闪存尺寸为11×13×1.2mm...
SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb(太字节)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存。与上一代产品相比,这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%,同时数据读取的能效也提高了超过10%。SK...
IT之家11月21日消息,SK海力士刚刚宣布开始量产全球最高的321层1Tb(太比特,与TB太字节不同)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存。据介绍,此321层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%,并且数据读取...
11月21日,SK海力士宣布,开始量产全球最高的321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存。SK海力士表示,计划从明年上半年起向客户提供321层产品。
明年下半年,消费端闪存的价格有机会迎来反弹上升的转机。TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋预测,2024年第四季度闪存价格将同比下降8%,2025年第一季度会再下降10%。这样,会让下游PC、手机终端厂商的利润水平改善提升,加上...
IT之家11月20日消息,半导体行业规范制定组织JEDEC下属固态技术协会美国当地时间本月18日宣布推出NAND闪存接口互操作性标准JESD230G。JESD230G规范在性能方面引入了4800MT/s接口速率的支持;而在功能方面添加了SCA(IT之家注:...
[TechWeb]11月14日消息,据国外媒体提到,韩国第二大企业集团SK提交的季度报告显示,会长崔泰源已被选为NAND闪存厂商Solidigm的董事长。外媒在报道中提到,根据SK集团提交的文件,崔泰源是在9月份的董事会上被任命为Solidigm...
Solidigm去年7月发布了D5-P5336系列,最大容量61.44TB,192层堆叠QLC闪存,提供U.2 15毫米、E3.S 7.5毫米、E1.L 9.5毫米三种形态规格。支持PCIe 4.0 x4,顺序读写最高7GB/s、3.1GB/s,4K随机读取最高1005K IOPS,16KB随机写入...
该产品支持PCIe5.0技术,并且采用了自家生产的TLC闪存而非QLC闪存。美光6500ION提供了U.215毫米、E3.S-1T9.5毫米和E1.L9.5毫米三种规格,闪存、主控、缓存、固件等组件均为美光自家出品。其中闪存为美光第八代TLC闪存,堆叠层...
首先,这款硬盘采用长江存储第三代三维闪存芯片,使用TLC颗粒,单颗闪存芯片接口速度高达1600MB/s,写入寿命高达1200TBW。其顺序读取速度可达3500MB/s,顺序写入速度则分别为2700MB/s、3100MB/s、3200MB/s。同时,它还具有...
金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,英韧科技股份有限公司取得一项名为“由NAND闪存控制器实现的电镜像”的专利,授权公告号CN112486516B,申请日期为2020年11月。本文源自:金融界
证券之星消息,翔港科技11月12日涨停收盘,收盘价34.72元。该股于9点44分涨停,19次打开涨停,截止收盘封单资金为...该股为化妆品,包装印刷,闪存概念热股。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
证券之星消息,兴森科技11月12日涨停收盘,收盘价14.29元。该股于13点0分涨停,5次打开涨停,截止收盘封单资金为1.2...该股为折叠屏,闪存,PCB板概念热股。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
证券之星消息,翔港科技11月11日...该股为闪存,智能制造,工业互联网概念热股,当日闪存概念上涨6.27%,智能制造概念上涨3.23%,工业互联网概念上涨3.22%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市泉彗达科技有限公司申请一项名为“NAND闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备”的专利,公开号CN118915965A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本申请...
IT之家11月8日消息,PNY昨日(11月7日)发布新闻稿,宣布推出PROElitePrimemicroSD闪存卡和PerformancePrimemicroSD读卡器,协同工作可实现超高速性能,满足用户对严苛任务的需求。PROElitePrimemicroSD闪存卡 这款闪存卡在...
这款固态硬盘整体尺寸80.15x22.15x2.38mm,为M.22280规格,重约9g,搭载了三星5nm自研控制器和第8代V-NANDTLC闪存。这款产品支持NVMe2.0协议,采用PCle4.0x4/5.0x2接口,支持TurboWrite2.0智能技术,顺序读速至高7250MB/s,...
UNISFLASHMEMORY紫光闪存1TB磁吸移动固态硬盘USB3.2,读速高达2000MB/S,兼容手机、平板、笔记本电脑等多种设备。闪存采用TLC颗粒,容量大达1TB,数据传输稳定安全。机身轻巧便携,方便携带,为您的数据保驾护航。现在购买还有...
尽管在北美和日本市场,韩国OLED面板依然占据主导地位,但在全球最大的智能手机市场—中国,韩国企业的市场份额已经从2021年的77.9%骤降至2023年的16%。这种转变的背后,是中国政府对本土科技产业的大力支持,以及中国面板制造...
铠侠推出业界首款四层单元技术QLCUFS4.0闪存。这款闪存采用先进的BiCSFLASH3DNAND技术,与高效的主控芯片集成于JEDEC标准封装之内,支持M-PHY5.0和UniPro2.0最新规范,并保持了对UFS3.1标准的向下兼容性。在性能方面,512GB...
铠侠公司今日宣布,其已开始量产业界首款QLC(四层单元)UFS4.0闪存。这种新型闪存具有比传统TLC(三层单元)UFS更高的bit密度,适合需要更大存储容量的移动设备。据悉,这款512GBQLCUFS闪存利用了UFS4.0接口速度,并且其顺序...
QLC(四层单元)UFS提供比传统TLC(三层单元)UFS拥有更高的bit密度,使其适合需要更高存储容量的移动设备。IT之家从铠侠官方公告获悉,该新型512GBQLCUFS利用了UFS4.0接口速度,顺序读取速度可达4,200MB/s,顺序写入速度可达3...
来源:证券之星 证券之星消息,翔港科技10月29日涨停收盘,收盘价27.63元。该股于10点25分涨停,1次打开涨停,...该股为工业互联网,闪存,智能制造概念热股。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
相信没有什么比512GB的三星Type-C闪存盘更合适的了。闪存盘就是大家熟悉的U盘,主打的就是一个身形小巧便携,三星Type-C更是只有拇指的一半大小,极光蓝和秘境灰配色颜值在线,靠近接口的位置做了弧形的过渡收窄,方便用户拔插...
证券之星消息,万润科技10月24日涨停收盘...该股为闪存,DRAM(内存),LED概念热股,当日闪存概念上涨1.43%,DRAM(内存)概念上涨0.98%,LED概念上涨0.6%。以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。
金融界2024年10月23日消息,国家知识产权局信息显示,武汉凌久微电子有限公司取得一项名为“一种显示设备中闪存连续读模式配置系统及配置方法”的专利,授权公告号CN118567568B,申请日期为2024年6月。本文源自:金融界
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