西部数据退出NAND闪存业务(SSD)
据报道，西部数据已正式将其NAND闪存业务剥离出去，这意味着公司今后将不再涉足NAND闪存和固态硬盘（SSD）的生产领域。未来，西部数据将专注于机械硬盘市场，而其原有的NAND和SSD业务则交由闪迪接手。对于广大用户而言，这一...
华为独家中标中国移动全闪存存储产品扩容集采,需求数量2360个
IT之家3月5日消息，中国移动采购与招标网昨日公布了2025年至2027年全闪存存储产品集中采购（扩容）项目的 单一来源采购信息公告。公告显示，中国移动此次采购内容为全闪存存储配件，需求数量2360个，供应商仅有华为技术有限...
中国移动全闪存,华为独家中标!
3月5日消息，中国移动发布了2025年至2027年全闪存存储产品集中采购（扩容）项目的单一来源采购信息公告，采购2360个全闪存存储配件，华为成为唯一供应商。从中国移动角度看，选择单一来源采购，想必是经过慎重考量的。大规模集...
中国移动全闪存存储产品扩容集采:华为独家中标
C114讯 3月4日消息（九九）中国移动采购与招标网今日发布2025年至2027年全闪存存储产品集中采购（扩容）项目的单一来源采购信息公告。采购内容为全闪存存储配件，需求数量2360个，供应商是华为技术有限公司。
至誉推出旗舰 Nitro Pro 系列 CFe 4.0 Type B 存储卡,pSLC 闪存
该存储卡基于3DTLC模拟的pSLC闪存，具备稳定的读写性能和优秀的寿命。IT之家获悉，至誉NitroProCFexpress4.0TypeB存储卡 采用CNC铝合金材质外壳，拥有 IP67 防尘防水等级，30℃~+85℃ 的严苛工作温度范围，并具备抗冲击、...
3月4日朗科科技涨停分析:DRAM(内存)闪存,数字人民币概念热股
该股为DRAM（内存），闪存，数字人民币概念热股，当日DRAM（内存）概念上涨5.02%，闪存概念上涨4.78%，数字人民币概念上涨2.53%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不...
NAND闪存厂商最新营收排名出炉!三星拿下断层第一
[CNMO科技消息]根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第四季因PC、智能手机等消费性电子产品厂商持续去化库存，供应链大幅调整采购订单，造成NANDFlash价格反转向下，平均销售价格季减4%，整体出货位元也下滑2%，整体产业营...
闪存企业闪迪独立上市,当前市值约 67 亿美元
IT之家2月27日消息，闪存与先进存储技术企业Sandisk闪迪已在美国时间2月24日完成了与西部数据的业务分拆，正式成为一家独立的上市公司。截至IT之家发稿时闪迪的股价为每股46.58美元，市值67亿0752万美元，约合487.09亿元人民币...
曙光FlashNexus全闪存存储性能问鼎全球榜首
感谢热心读者提供的线索。2月26日，国际存储性能委员会（SPC...据中科曙光官网介绍，FlashNexus系列产品是曙光公司为满足企业级用户在全场景闪存化时代的需求而打造，专为支持关键业务设计，采用端到端NVMe架构的全闪存存储系统。
海康威视获得发明专利授权:“闪存数据处理方法、装置、设备及存储介质”
该方法包括：基于待执行的数据处理任务，向与SOC芯片处于连通状态的第一闪存存储器发送对应的第一数据处理命令，再基于模拟开关，切换与SOC芯片处于连通状态的闪存存储器，并向切换后的闪存存储器发送对应的数据处理命令，然后...
突破!三星拟采用长江存储NAND闪存混合键合专利技术
上个月的消息显示，长江存储已开始供应其第五代3DTLCNAND闪存产品。这款闪存共有294层结构，其中包含232个有源层。通过技术升级，长江存储成功将存储密度提升至与行业领先水平相当的高度，并实现了目前商业产品中最高的垂直栅...
西部数据完成闪存业务分拆,闪迪恢复独立运营
2月24日，位于美国加利福尼亚州圣何塞的西部数据公司正式宣布，已完成其闪存业务的分拆计划。分拆后，该部门将以独立公司的形式重新运营，并恢复使用“闪迪”这一品牌名称。通过此次调整，西部数据将更加专注于机械硬盘（HDD）...
铠侠第10代闪存332层创纪录!容量、性能也都是世界第一
快科技2月21日消息，铠侠宣布了与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，...
华虹宏力取得镜像位SONOS闪存单元及其制造方法专利
金融界2025年2月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司取得一项名为“镜像位SONOS闪存单元及其制造方法”的专利，授权公告号CN114121994B，申请日期为2021年11月。天眼查资料显示，上海华虹宏力...
闪迪预计闪存市场很快升温:供需交叉将于上半年到来
IT之家2月14日消息，闪迪在其投资者日演示文稿中预测，NAND闪存市场的需求将很快从目前的缓慢回升状态走出，进入快速上升轨道，供需交叉点将于2025上半年到来。闪迪认为在需求快速上升的背景下，几大闪存NAND闪存原厂将于二、...
BiCS8 NAND 闪存驱动,闪迪公布三款 2025 年固态硬盘新品
这 三款SSD均基于BiCS8(218L)NAND闪存，两款属于客户端产品线，另一款则是企业级型号。在客户端领域，闪迪将推出基于QLC的PCSN5100S，这一性价比SSD将采用PCIe4.0×4接口，提供512GB、1TB、2TB三种容量版本，可选M.22230外形...
闪迪秀高带宽闪存 HBF:助力单 AI GPU 满足前沿模型推理存储需求
而在当地时间本月11日的投资者活动上，闪迪介绍了其有望改变AI推理GPU存储生态的前沿技术高带宽闪存HBF。闪迪的HBF是一款带宽优化的NAND产品，采用了与HBM基本一致的设计思路（大量I/O引脚、多层堆叠）并与HBM共享相同电气接口...
杭州芯势力申请闪存存储器固件部署专利,保障闪存存储器可靠性
专利摘要显示，本申请涉及闪存存储器技术领域，公开了一种闪存存储器固件部署方法、系统和闪存存储器，该方法包括：在第一部署阶段，对所有固件进行等级划分，以及对闪存存储器中用于运行固件的存储空间进行区间划分，其中，每...
上海华力取得闪存器件制造方法专利
金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“一种闪存器件的制造方法”的专利，授权公告号CN113948522B，申请日期为2021年9月。天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限...
上海华力取得一种闪存存储器字线驱动电路专利
金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司取得一项名为“一种闪存存储器字线驱动电路”的专利，授权公告号CN112885393B，申请日期为2021年2月。天眼查资料显示，上海华力微电子有限公司，成立...
兆易创新取得一种闪存及其制造方法专利
金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，兆易创新科技集团股份有限公司取得一项名为“一种闪存及其制造方法”的专利，授权公告号CN113129940B，申请日期为2019年12月。天眼查资料显示，兆易创新科技集团股份有限...
三星 SK海力士开始减少NAND闪存的产量
三星电子与SK海力士开始减少NAND闪存的产量，这是为了应对供应过剩而采取的措施。两家公司正在将NAND闪存旧工艺生产线转为新工艺的技术迁移。这个过程大约需要三个月的时间，在此期间设备尚未投入使用，因此无法进行晶圆加工，...
UFS4.1闪存“偷偷”发布?为何国内外却说辞不同
1.支持主机发起的碎片整理：UFS4.1可以由操作系统发起 碎片整理，而之前的UFS闪存大多只能由闪存主控进行碎片整理。2.缓冲区大小调整：UFS4.1闪存可以由操作系统随时更改缓冲区（也就是 SLC Cache）的请求，有利于根据闪存的...
紫光闪存512GB固态硬盘特价促销仅需255元
紫光闪存UNISFLASHMEMORYL1NVMeM.2固态硬盘512GB（PCI-E4.0）现在有优惠活动。使用详情页领取的优惠券，最终价格只需255.55元/件。原价269元，价格实惠。这款硬盘采用了先进的PCIeGen3*4通道技术，顺序读取速度高达3250MB/s，...
德明利:公司产品主要为存储模组,并自研量产了多款闪存主控芯片
公司产品主要为存储模组，具体包括固态硬盘、嵌入式存储、移动存储、内存条等，并自研量产了多款闪存主控芯片。目前公司内存条产品暂未在定期报告中单独统计列示，您可关注后续定期报告内容。投资者：请问截止1月27日股东收盘...
集邦咨询:春节后 DDR4 内存现货价格下跌、NAND闪存市场低迷
IT之家2月6日消息，根据TrendForce集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，DRAM和NAND闪存市场近期表现各异。DRAM方面，消费者需求在春节后依然疲软，导致DDR4现货价格下跌；而NAND闪存市场交易低迷，供应商减产的效果尚未在市场...
PNY 推出三系列 USB Type-C 闪存盘,至高 10Gbps 规格
IT之家2月5日消息，PNY必恩威美国当地时间本月4日宣布推出三个系列的USBType-C接口闪存盘，包含主打高性能的PROEliteV3Type-C、小巧玲珑的Elite-XFitType-C和面向日常场景的EliteType-C。PROEliteV3Type-C PROEliteV3Type-C...
2月5日大为股份涨停分析:信创,闪存,DRAM(内存)概念热股
该股为信创，闪存，DRAM（内存）概念热股，当日信创概念上涨5.18%，闪存概念上涨4.89%，DRAM（内存）概念上涨4.12%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。
深圳市永利杰科技取得用于内存芯片的封装结构专利,可防止闪存芯片在封装中倒塌
基板的顶部对称开设有第一滑槽，第一滑槽的内侧壁滑动连接有第一滑块，第一滑块的顶部固定连接有支撑组件，再通过支撑组件可以对处于悬浮状态的闪存芯片起到支撑作用，可以有效的防止在封装的过程中闪存芯片出现倒塌的现象，在...
国产之光!长江存储出货第五代3D TLC NAND闪存
据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。长江存储的这一成果标志着公司在闪存技术方面取得了显著进展...
长江存储开启全新闪存产品出货 长度超越韩国 美国
近日，据消息，长江存储已经开始了其第五代3DTLCNAND闪存的出货。这款闪存产品采用了Xtacking4.0架构，共有294层和232个有源层。据悉，长江存储已经在新的闪存产品上超越了韩国、美国等其他头部存储企业。目前，该公司推出的第...
上海华虹宏力申请灵敏放大器电路专利,能提高闪存读取的准确性
本发明能在较低的电源电压下工作并通过所需要的位线电压，能提高闪存读取的准确性以及增强闪存系统的稳定性。天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子...
苏州元脑智能申请固态硬盘的闪存故障定位方法专利,提升故障定位的精确度和速度
金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“一种固态硬盘的闪存故障定位方法、系统、装置及介质”的专利，公开号CN119376988A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明公开...
联和存储科技申请一种数据处理方法专利,提高了存储效率、存储性能、延长了 NAND 闪存的使用寿命
所述方法，应用于对NAND闪存进行管理的文件系统，该方法包括：获取写入指令；基于实时任务场景和/或待存储数据的数据特性动态确定当前工作模式；当前工作模式包括高性能模式、高寿命模式中的一种；基于当前工作模式和/或压缩...
上海领耐取得3D组对结构的单存储管NOR闪存及其操作方法专利
金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海领耐半导体技术有限公司取得一项名为“3D组对结构的单存储管NOR闪存及其操作方法”的专利，授权公告号CN118900570B，申请日期为2024年9月。天眼查资料显示，上海领耐...
微芯片技术股份有限公司取得具有改善的读取性能的分裂栅闪存单元专利
金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，微芯片技术股份有限公司取得一项名为“具有改善的读取性能的分裂栅闪存单元”的专利，授权公告号CN112292729B，申请日期为2019年6月。本文源自：金融界
北京磐芯微电子取得闪存阵列专利
金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，北京磐芯微电子科技有限公司取得一项名为“闪存阵列”的专利，授权公告号CN113689893B，申请日期为2021年8月。天眼查资料显示，北京磐芯微电子科技有限公司，成立于2021年，...
智新科技申请新能源汽车电机控制器的 CPU 闪存和软件更新系统及方法专利,实现更新 MCU 应用软件时刷写防呆...
金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，智新科技股份有限公司申请一项名为“新能源汽车电机控制器的CPU闪存和软件更新系统及方法”的专利，公开号CN119356707A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明公开了...
南京云创大数据申请全闪存数据写入专利,兼顾磁盘空间利用率和数据写入效率
金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，南京云创大数据科技股份有限公司申请一项名为“全闪存数据写入方法、装置、电子设备和存储介质”的专利，公开号CN119356623A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本申请...
手机闪存坏了还能修吗?如果不能,还可以提取数据照片吗?
A：手机闪存坏了通常是可以修的，不过具体情况要视损坏程度和原因而定。如果是闪存芯片的外部电路出现问题，如焊接点松动、线路断路等，专业的维修人员可以通过重新焊接、修复线路等方法来解决问题，恢复闪存的正常使用。比如...
1月24日德明利涨停分析:光通信,闪存,DRAM(内存)概念热股
该股为光通信，闪存，DRAM（内存）概念热股，当日光通信概念上涨2.75%，闪存概念上涨2.63%，DRAM（内存）概念上涨2.36%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资...
深圳大普微电子申请混合映射结构相关专利,优化闪存设备内存开销
若逻辑地址段的连续度小于或等于连续度阈值，则将映射对插入范围桶哈希结构，通过采用全局位图表、紧凑数组和范围哈希桶结构三种数据结构结合的混合映射结构，对映射对进行存储，能够优化闪存设备的内存开销，实现在纯顺序读写...
NAND闪存过剩 消息称三星、SK海力士、美光等制造商计划今年减产以稳定价格
如今全球NAND闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。三星、SK海力士、铠侠、美光均已开始研究NAND闪存减产计划，从而缓解...
NAND 闪存过剩,消息称三星/铠侠/SK海力士/美光等计划今年减产
IT之家1月23日消息，如今全球NAND闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。据外媒TechPowerup报道，如今业界三星、SK海力士...
博帝推出苹果 MFi 认证双接口智能备份闪存盘 iLuxe Stick
这款智能闪存盘获得苹果MFi认证，配备Lightening+Type-C双接口，与从iPhone6到iPhone16的各式苹果智能手机兼容。iLuxeStick闪存盘长约67.6mm，重约17.8g，容量覆盖128GB、256GB、512GB、1TB，配备H2+工业级嵌入式内存，支持5...
ThinkPluto 联想金属U盘64GB高速办公电脑闪存盘36.96抢购价!
[钜惠来袭]联想ThinkPlus金属U盘64GB高速办公电脑闪存盘，此次促销价格仅为36.96元！原价48.9元，满1件打9.5折优惠活动让价格更加亲民。买到就是赚到哦！这款联想ThinkPlus金属U盘采用高性能芯片和闪存技术，大容量64GB足以...
晶存阵列申请闪存数据读取相关专利,能够减少固件对 RRT 的遍历时间
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，晶存阵列(上海)科技有限公司申请一项名为“闪存数据的读取方法、固态存储设备以及固件程序产品”的专利，公开号CN119311467A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，一种...
美光减产后 SK海力士也计划将上半年NAND闪存产量削减一成
[TechWeb]1月17日消息，据外媒报道，由于供过于求，全球NAND闪存的价格已连续4个月下滑，为应对这一不利局面，厂商也开始减产，以平衡供求，进而稳定价格，美光就已经宣布将调整产出，消息人士透露三星电子也已决定削减产量。...
联和存储取得闪存存储器标记装置专利,提高闪存存储器的使用寿命
专利摘要显示，本实用新型公开一种闪存存储器标记装置，包括单片机，所述单片机包括检测模块和标记模块，所述检测模块与待测闪存存储器电连接，用于检测所述待测闪存存储器中出现位翻转现象的块；所述标记模块与所述检测模块...
三星 NAND 闪存工厂计划削减产量超过10%
三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量超过10%，平均月产量将从20万片晶圆降至17万片。与此同时，三星在韩国华城的两条关键生产线—12号和17号，也面临产量调整，以进一步缩减整体产能规模。当前全球NAND闪存市场供应过剩，...
NAND 闪存过剩预计价格暴跌:消息称三星西安工厂大幅减产
IT之家1月13日消息，据《朝鲜日报》1月10日消息，三星电子已决定减少NAND闪存产量，主要是其位于中国西安的工厂。报道提到，这似乎是保护盈利能力的一项措施，因为随着全球NAND持续供过于求，预计今年价格将暴跌。考虑到SK...
铠侠亮相CES 2025 闪存技术引领数字未来
这款SSD搭载了铠侠自研的BiCSFLASH3D闪存，同时其主控芯片以及SSD固件也均为铠侠自主研发。这种全方位的自主研发能力，使得XD8在性能、稳定性和兼容性方面均表现出色，为追求小巧机身与高性能存储的用户提供了理想的选择。同时...
通用闪存存储标准UFS 4.1发布 性能大幅提升
1月8日，JEDEC固态技术协会发布了通用闪存存储标准UFS4.1及其配套的主机控制器接口标准UFSHCI4.1。这项新标准在兼容UFS4.0硬件的基础上，进一步提升了数据访问速度和整体性能，特别适用于移动应用和计算系统的高性能低功耗需求...
铠侠CES2025重磅亮相:闪存技术的无限可能
美国加州圣何塞，2025年1月7日—在全球科技行业瞩目的CES2025大会上，作为NAND闪存领域的先驱，KIOXIA（铠侠）再一次证明了它在存储技术创新中的核心地位。从数据中心到人工智能，从智能汽车到消费电子，铠侠以一系列突破性的...
华虹宏力申请闪存制备方法专利,闪存元胞外侧侧墙尺寸减小
专利摘要显示，本发明提供一种闪存及其制备方法，包括：提供衬底；形成硬掩膜层，硬掩膜层至少覆盖隔离层的侧壁表面；形成的第一侧墙位于硬掩膜层的侧壁表面；形成位于每个字线两侧的堆叠的浮栅和控制栅；形成的第二侧墙氧化层...
上海华虹宏力申请闪存及其制作方法专利,增加字线关断能力
专利摘要显示，本发明提供一种闪存及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成介质层、浮栅层、层间绝缘层、控制栅层和牺牲层，在开孔内的牺牲层侧壁形成第一侧墙；刻蚀控制栅层和层间绝缘层直至露出浮栅层；形成的第二侧...
通用闪存存储标准UFS 4.1正式发布 性能进一步提升
通用闪存存储标准UFS4.1正式发布，与UFS4.0硬件兼容的同时，进一步提高了数据访问速度和整体性能。主要改进包括：主机启动碎片整理、调整WriteBooster缓冲区和PartialFlush、永久可启动逻辑单元、RPMB身份验证、增强的异常类型...
上海锋行致远申请基于闪存控制器的数字人应用加速专利,降低了硬件成本
专利摘要显示，本发明公开了一种基于闪存控制器的数字人应用加速方法及系统，方法包括：在主机侧外部连接闪存控制器，将数字人系统各模型预置至闪存控制器的模型存储单元；将数字人形象视频预置至存储模块，通过NPU模块进行...
韩媒:从DDR5到3D NAND闪存,中国半导体加速崛起!
NAND闪存方面，中国企业也不容小觑。中国长江存储成功开发了232层3D NAND，并推出了配备该公司第五代3D NAND内存的PCIe 5.0 SSD内存。当然，长江存储的市场份额并没有那么高，但由于其向中国联想等国内公司提供NAND闪存，该...
微芯片技术取得用于使用预测的经保留与读取干扰补偿的阈值电压偏移补偿值来执行对闪存存储器的读取的方法和...
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，微芯片技术股份有限公司取得一项名为“用于使用预测的经保留与读取干扰补偿的阈值电压偏移补偿值来执行对闪存存储器的读取的方法和装置”的专利，授权公告号CN117157711B，...
1月7日德明利涨停分析:光通信,DRAM(内存)闪存概念热股
该股为光通信，DRAM（内存），闪存概念热股，当日光通信概念上涨5.06%，DRAM（内存）概念上涨4.64%，闪存概念上涨4.45%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资...
1月7日大为股份涨停分析:DRAM(内存)闪存,WiFi概念热股
该股为DRAM（内存），闪存，WiFi概念热股，当日DRAM（内存）概念上涨4.64%，闪存概念上涨4.45%，WiFi概念上涨4.21%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。
紫光闪存1TB移动固态硬盘到手价779元
紫光闪存1TB移动固态硬盘，拥有出色的读写速度和稳定性。采用3DNAND技术，数据传输更快速、稳定，可满足大文件存储需求。另外，此款产品还具有防水、防震、防摔等特性，确保数据安全。此外，独特的磁吸设计让安装和拆卸更加...
年度优秀产品!闪迪至尊高速酷锃OTGUSB3.2(TypeC)闪存盘让你告别存储焦虑
其实，这样的问题只需一个闪存盘就能解决。泡泡网2024年度优秀产品—闪迪至尊高速™酷锃™OTGUSB3.2(TypeC)闪存盘，就能很好地缓解大家的存储焦虑。这款闪存盘拥有小巧迷你的机身设计，重量轻到几乎可以忽略，外出携带毫无负担...
深圳大普微电子取得非对齐存储结构的闪存设备及数据存储方法专利
金融界2025年1月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳大普微电子科技有限公司取得一项名为“非对齐存储结构的闪存设备及数据存储方法”的专利，授权公告号CN114356234B，申请日期为2021年12月。天眼查资料显示，深圳大普微...
1月3日大为股份涨停分析:DRAM(内存)闪存,WiFi概念热股
证券之星消息，大为股份1月3日涨停收盘，收盘价14.25元。...该股为DRAM（内存），闪存，WiFi概念热股。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。
2024智臻科技奖:金士顿DTSE9G3闪存盘
PConline 2024智臻科技奖】2024年，随着数字存储需求的不断增长和移动办公的普及，闪存盘市场迎来了新的发展机遇。用户对于闪存盘的期望不再局限于基本的存储功能，而是更加注重其传输速度、耐用性以及与现代设备的审美匹配。...
广东长兴半导体取得闪存颗粒测试装置专利,可同步测试多个闪存颗粒并优化线路长度节约空间
专利摘要显示，本实用新型涉及闪存颗粒技术领域，具体涉及一种闪存颗粒测试装置，包括支座、上压盖以及下压盖；所述支座设于上压盖与下压盖之间；所述支座的顶部设有上顶针模组；所述支座的底部设有下顶针模组；所述支座在上...
联想ThinkPlus迷你闪存U盘惊爆价24.6到手
这款联想thinkplus迷你金属闪存优盘采用了先进的USB3.1接口和EVO系列固态硬盘，具有卓越的读写速度和稳定性。容量大高达128GB，可以存储大量的文件和资料，无需担心空间不足的问题。另外，产品小巧便携，易于携带和使用，是...
全平台兼容 支持苹果ProRes录制,三星便携式USB-C闪存盘太全面了
但是高清的影像对存储容量与性能的需求可以说是永无止境，所以不少用户还会再选择更便携、兼容性更好的USB-C闪存盘作为存储设备，而备受消费者青睐的三星便携式USB-C闪存盘系列已然成为首选。三星USB-C闪存盘有64GB、128GB、...
12月26日大为股份涨停分析:DRAM(内存)闪存,WiFi概念热股
证券之星消息，大为股份12月26日涨停...该股为DRAM（内存），闪存，WiFi概念热股，当日DRAM（内存）概念上涨4.08%，闪存概念上涨4.06%，WiFi概念上涨3.94%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。
12月26日恒烁股份涨停分析:AI算力芯片,闪存,小米概念股概念热股
证券之星消息，恒烁股份12月...该股为AI算力芯片，闪存，小米概念股概念热股，当日AI算力芯片概念上涨6.79%，闪存概念上涨4.06%，小米概念股概念上涨2.89%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。
中国逻辑芯片、NAND闪存,DRAM内存,全部突破美国封锁层
一是锁死逻辑芯片在14nm，二是锁死NAND闪存在128层，三是锁死DRAM内存在18nm，不允许中国的技术进入美国的封锁层之下。为此，美国更是联合日本、荷兰等，对先进的半导体设备进行封锁，任何可以制造封锁层下面的设备，都禁运… ...
ZOL推荐2024:三星Type-CUSB3.2闪存盘获年度用户口碑奖
2024ZOL年度推荐产品：三星Type-CUSB3.2闪存盘 获奖理由： 三星Type-CUSB3.2闪存盘专为移动设备而设计，身形小巧方便携带，采用Type-C接口，可方便的在智能手机、平板电脑、笔记本电脑之间传输数据，最高400MB/s的速度和最大...
深圳宏芯宇申请闪存测试相关专利,提升闪存颗粒划分准确性
该方法包括：通过存储控制器获取多个闪存颗粒各自对应的错误比特数和读取电压的偏移量数据，再由处理器获取每个闪存颗粒的错误比特数的归一化值和偏移量数据的归一化值，获取错误比特数和偏移量数据的权重值，根据错误比特数的...
12月18日兆易创新涨停分析:汽车芯片,DRAM(内存)闪存概念热股
证券之星消息，兆易创新12月...该股为汽车芯片，DRAM（内存），闪存概念热股，当日汽车芯片概念上涨4.74%，DRAM（内存）概念上涨4.66%，闪存概念上涨4.57%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。
众联精工取得全尺寸闪存晶圆片性能测试分选全自动设备专利,提高闪存晶圆片的容量及功能分选的效率
金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市众联精工科技有限公司取得一项名为“一种用于全尺寸闪存晶圆片性能测试分选全自动设备”的专利，授权公告号CN222152954U，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本...
估值仅52亿美元 NAND闪存巨头铠侠IPO意外遇冷
这家NAND闪存(用于智能手机和数据中心服务器存储信息的芯片)领域的先驱公司经过多年复杂而广泛的谈判，于周三上市。谈判涉及贝恩资本、SKInc.西部数据(WDC.US)和日本政府。其IPO一度被吹捧为这家从东芝剥离的公司复兴的开始...
华为全闪存存储和信雅达企业内容管理平台完成兼容互认证
据证券时报，记者获悉，近日，华为技术有限公司和信雅达科技股份有限公司共同确认，双方已完成企业内容管理平台ECM与华为OceanStorDorado全闪存存储兼容互认证工作。经过测试，信雅达内容管理平台SunECM3.6与华为...
紫光闪存512GB 磁吸移动固态硬盘限时抢购价389元!
[超值秒杀]紫光闪存512GB磁吸移动固态硬盘限时抢购价389元！[高性价比]原价399元，现在下单即可享受满69减10元优惠，真正的好价仅此一时。[极速传输]采用USB3.2接口，读取速度高达2000MB/S，数据备份快速高效。[优质存储]选用...
深圳市广通远驰科技取得闪存分区数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质专利
金融界2024年12月14日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广通远驰科技有限公司取得一项名为“闪存分区数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质”的专利，授权公告号CN113050887B，申请日期为2021年3月。本文源自：金融界
12月13日兆易创新涨停分析:闪存,DRAM(内存)超高清视频概念热股
证券之星消息，兆易创新12月13日涨停收盘，收盘价92...该股为闪存，DRAM（内存），超高清视频概念热股，当日闪存概念上涨1.32%，DRAM（内存）概念上涨0.69%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。
突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产
据最新报道，三星公司成功研发出创新性的400层堆叠NANDFlash闪存技术，并已开始将其投入大规模生产。这一突破有望超越SK海力士此前宣布量产的321层NANDFlash技术。预计三星将在2025年国际固态电路会议上详细介绍其1Tb容量的400...
苏州国芯科技申请片内闪存编程专利,能实现快速对多个芯片片内闪存编程
专利摘要显示，本发明公开了一种片内闪存的编程方法、装置及系统，应用于片内闪存技术领域，应用于上位机，包括：确定待使用的多个下载线程；上位机通过调试器连接有多个待调试芯片，待调试芯片具有片内闪存，调试器通过调试...
消息称三星完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发,开始向量产线转移
IT之家12月9日消息，韩媒SEDaily当地时间本月6日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了4XX层第10代3DV-NAND闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽1号工厂的量产线上。参考IT之家此前报道，三星...
宁波领开取得 Nor 闪存阵列及其操作方法专利
金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，宁波领开半导体技术有限公司取得一项名为“Nor闪存阵列及其操作方法”的专利，授权公告号CN116437669B，申请日期为2023年4月。本文源自：金融界
铠侠宣布旗下车载 UFS 4.0 闪存在业界率先获得 ASPICE CL2 认证
IT之家12月4日消息，铠侠日本当地时间今日宣布，其车载UFS4.0嵌入式闪存产品在业界率先获得ASPICECL2（IT之家注：即AutomotiveSPICE能力等级2）认证。AutomotiveSPICE中SPICE的全称为 S oftware P rocess I mprovementand C ...
12月4日大为股份涨停分析:DRAM(内存)闪存,汽车零部件概念热股
证券之星消息，大为股份...该股为DRAM（内存），闪存，汽车零部件概念热股，当日DRAM（内存）概念上涨1.49%，闪存概念上涨0.58%，汽车零部件概念上涨0.05%。以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成，不构成投资建议。
金士顿x《双城之战2》联名内存/闪存盘:45.9元起
而闪存盘收纳展示台设计独特，内含一枚128GB的金士顿DataTravelerSE9G3闪存盘和一个黑默丁格造型的闪存盘。定价均为159元人民币，在京东商城有售。此外，还有一个金士顿×双城之战II联名闪存盘产品系列，其中包括128GB的...
广东匠芯创申请缓存数据写入等专利,减少写入闪存次数提高耐用性
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，广东匠芯创科技有限公司申请一项名为“缓存数据写入方法、...无需每次在执行新的写入操作的过程中直接调用闪存，减少了写入闪存的次数，提高了闪存的耐用性。本文源自：金融界
珠海妙存申请描述符链管理方法及相关专利,有效利用闪存控制器硬件性能
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，珠海妙存科技有限公司申请一项名为“描述符链管理方法及闪存控制器、电子设备、存储介质”的专利，公开号CN119045746A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本申请公开了...
紫光闪存 UNIS UF200 TF 存储卡开售:读速 180MB/s,49.9 元起
IT之家11月29日消息，紫光闪存宣布推出UNISUF200系列TF卡，该卡读速为180MB/s，可选64/128/256GB三种版本，定价为49.9元起，IT之家整理价格信息如下： 64GB：49.9元起 128GB：79.9元起 256GB：159.9元起 据介绍，系列存储卡...
四川云海芯科微电子科技取得一种闪存颗粒分级方法相关专利
金融界2024年11月25日消息，国家知识产权局信息显示，四川云海芯科微电子科技有限公司取得一项名为“一种闪存颗粒分级方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，授权公告号CN118737252B，申请日期为2024年9月。本文源自：金融...
紫光闪存 UNIS PN C1 紫翎系列磁吸式移动固态硬盘发布
IT之家11月22日消息，紫光闪存今日发布了UNISPNC1紫翎系列磁吸式移动固态硬盘，采用圆形磁吸设计，支持4K视频直录及企业定制服务。UNISPNC1支持iPhone15/16系列手机 4K60HzProRes直录功能，可达2000MB/s的读速与1800MB/s的写速...
海康威视申请闪存数据处理专利,解决嵌入式系统数据处理效率低的问题
该方法包括：基于待执行的数据处理任务，向与SOC芯片处于连通状态的第一闪存存储器发送对应的第一数据处理命令，再基于模拟开关，切换与SOC芯片处于连通状态的闪存存储器，并向切换后的闪存存储器发送对应的数据处理命令，然后...
上海威固取得一种数据闪存管理方法及存储系统专利
金融界2024年11月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海威固信息技术股份有限公司取得一项名为“一种数据闪存管理方法及存储系统”的专利，授权公告号CN116382592B，申请日期为2023年4月。本文源自：金融界
时创意宣布 1TB 容量 UFS 3.1 嵌入式闪存芯片量产
在本次会议上，国内存储企业时创意SCY发布了1TB容量款UFS3.1嵌入式闪存芯片。时创意此前已推出过128~512GB容量的UFS3.1芯片，此次推出的 1TB款扩展了时创意高速UFS产品的容量覆盖。时创意的1TB款UFS3.1闪存尺寸为11×13×1.2mm...
全球最高级别321层闪存量产 读取性能提升13%
SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb（太字节）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存。与上一代产品相比，这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%，同时数据读取的能效也提高了超过10%。SK...
SK 海力士宣布量产 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存
IT之家11月21日消息，SK海力士刚刚宣布开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，与TB太字节不同）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存。据介绍，此321层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，并且数据读取...
SK海力士开始量产321层NAND闪存
11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（TripleLevelCell）4DNAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品。