据韩媒《The Elec》报道，三星计划年底前在韩国平泽的P4工厂以及美国得州工厂建设试产线。
据悉，位于美国得州的新工厂将是一家代工厂并用于生产5G、人工智能、高性能计算等先进芯片，P4工厂则用以生产存储以及逻辑芯片。
对于晶圆厂或芯片生产设备，试产线通常早于主生产线前三个月建成，因为新建的晶圆厂通常采用较先进工艺。如对于NAND以及对于4纳米到3纳米的逻辑芯片升级，通常意味着可能有更多的层和更先进工艺。
此外，在主生产线顺利的情况下，三星将于2024年的某个时间点进行商业化生产。
此前，市场也传出三星扩产计划。三星计划增加位于韩国平泽的P3工厂产能，提升用于生产DRAM内存芯片的12英寸晶圆产量。据悉，三星电子计划明年增加至少10台极紫外光刻机。
平泽 P4 工厂是三星一个主力工厂，该工厂目前已经拥有 P1、P2、P3 三个晶圆生产厂，堪称世界上最先进的晶圆生产区，而新建的 P4 主要是负责制造内存和逻辑芯片。考虑到三星 P3 工厂的策略，三星 P4 内存产线有望率先建成。
外媒认为，由于某些原因，三星不太可能大幅扩展其西安工厂的产能，而一旦新产线完成，预计三星将在 2024 年的某个时候在 P4 和泰勒工厂开始商业生产。
