几天前工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，其中氟化氩光刻机收到了广泛关注，因为这是国产光刻机历史上的首台DUV光刻机，这意味着我国在芯片制造设备的发展上迈入了新的阶段，虽然这台光刻机的分辨率≤65nm，这意味着它能够生产制造的将是65nm芯片，如果经过多重曝光，最高精度可能达到55nm级别，虽然相较于主流的10nm、7nm、5nm精度来说还有很大差距，但是，当我们的光刻机技术进入到DUV阶段，接下来将进入快速迭代期。

这并不是无的放矢，回顾一下全球顶尖EUV光刻机制造厂商ASML公司光刻机的发展历史可以发现，ASML公司的第一台DUV光刻机是在2010年研发出来的，当时无论是分辨率还是套刻精度都很一般，可是，这就像一块敲门砖，从这第一台DUV光刻机问世以后，ASML的DUV光刻机进入到了爆发的快车道，在2016年研发的NXE:3400B/3400C，已经可以实现7nm甚至是5nm芯片的生产制造。

所以说，按照ASML公司的研发经验来看，我们在未来五年内，国产光刻机肯定是可以有一个快速迭代的，当然，最为核心的难题目前是，当下我国突破的依旧是干式光刻机，而ASML公司已经用事实证明，浸润式光刻机无疑是光刻机技术发展的主流。

所以，想要快速破局，我们将目标投入到浸润式光刻机的研发同样非常重要。

而对于我国DUV光刻机的突破，美国方面无疑是被击中了七寸，所以最近几天里，美国媒体方面也对我国的国产DUV光刻机进行了评论，不过他们认为我国研发的DUV光刻机，大概水平在ASML10年前的水准，因为在2015年的时候，ASML公司研发了一款TWINSCAN XT:1460K光刻机，其分辨率就≤65nm，套刻≤5nm。

不可否认，从事实上看的确如此，但是，回顾一下2020年的时候，西方媒体对我国研发光刻机的评论，就可以发现，他们认为给我们图纸我们都研发不出来光刻机，但是，现在话风已经开始转变了，现在变成了，我们的光刻机落后ASML的10年。

那么，下一次呢？下一次的评论会不会变成，中国光刻机落后ASML公司5年，再下一次是不是就追上了ASML呢？所以说，本质上这一次中国在光刻机上使出了关键一招，同时也意味着该来的终于来了，因为我们已经交出了答卷，这一招让美国媒体已经乱了分寸，让他们变得很酸，甚至欧美已经开始瑟瑟发抖了，他们害怕自己多年努力建立起来的芯片产业链优势被我们颠覆。

其实，事情的变化就在这五年内，2019年的时候，欧美牛气哄哄，认为他们一断供，我们芯片就要凉了，到了2020年拜登时代的时候，这种认知更是被扩大了，而2020到2022这两年，美国也是在加大封锁力度，认为自己胜券在握。

可是，到了2023年下半年整个画面却发生了根本性改变，在2023年上半年，无论是耶伦还是雷蒙多都趾高气昂的告诉我们，想要和美国缓和，那么我们就要放弃对于高科技领域的研发投入。

可是下一秒，华为芯片的回归，直接打脸了拜登、耶伦、雷蒙多等人，也是从2023年下半年开始，整个情况开始逆转，我们从芯片到EDA软件再到芯片制造设备都开始出现大规模突破。

虽然我们依旧只能生产制造低端芯片，但是，芯片限制的压力已经小了非常多，甚至于我们都发现，我们现在只是缺时间，只要有时间我们就可以实现最终突破，从来没有人认为我们无法完成突破，这一点哪怕是美国智库都如出一辙。