长期以来，ASML公司凭借其领先全球的光刻技术，尤其是极紫外光刻机（EUV），在全球光刻机市场中独领风骚，成为行业内难以撼动的霸主。
然而，近年来随着国际形势的风云变幻以及中国企业在光刻技术领域的奋力突破，整个行业格局正经历着深刻的变革。
ASML公司的 EUV光刻机，代表着当今光刻技术的巅峰水准。
其采用的极紫外光源，能够实现纳米级别的光刻精度，为芯片制造带来了前所未有的精细程度。
凭借这一技术优势，ASML在全球光刻机市场中占据了垄断地位，单台 EUV光刻机的售价高达 30亿人民币，成为全球同类设备单价的翘楚。
这些光刻机就像一台台“印钞机”，源源不断地为 ASML带来巨额利润，也使其在半导体制造领域拥有了绝对的话语权。
好景不长，在美国的干预和制裁下，全球半导体产业格局发生了巨大变化，ASML的垄断优势逐渐被打破。
曾经备受追捧的光刻机，如今在ASML的仓库中层层堆叠，堆积如山。
造成这一局面的原因是多方面的。
一方面，全球范围内真正有实力和需求接纳EUV光刻机的企业数量有限。
英特尔、三星、台积电等芯片制造巨头，早已完成了相关设备的深度布局，短期内对新设备的采购需求大幅下降。
另一方面，美国对中国半导体企业的制裁，尤其是将中芯国际列入“实体清单”，禁止其购买 EUV光刻机，使得 ASML失去了一个重要的潜在市场。
再加上全球芯片市场产能过剩，企业纷纷削减开支，对新设备的投资变得极为谨慎。
在这多重压力之下，ASML的光刻机销售遭遇了前所未有的寒冬，产能也急速下滑。
美国为了维护自身在半导体领域的霸权地位，不择手段地对中国企业进行制裁。
中芯国际作为中国芯片制造的领军企业，成为了美国制裁的重点对象。
美国将中芯国际列入“实体清单”，禁止美国企业向其提供先进的芯片制造设备和技术，其中就包括 EUV光刻机。
这一禁令对中芯国际的发展造成了巨大的阻碍。
原本计划通过引进EUV光刻机，实现芯片制造工艺从 14nm向 7nm甚至更先进制程的突破，从而在全球芯片市场中占据更有利地位的计划，因美国的制裁而化为泡影。
中芯国际的发展步伐被迫放缓，高端市场份额受到一定程度的挤压。
美国不仅对中芯国际进行制裁，还联合荷兰等国，对光刻机的出口实施严格限制。
美国通过政治施压等手段，迫使荷兰对ASML公司的光刻机出口许可证进行管控，限制向中国出口先进的 EUV和部分 DUV光刻机。
这一举措严重阻碍了中国半导体产业获取先进设备的途径，使得中国企业在光刻机技术引进方面面临重重困难。
然而，美国的制裁并没有让中国半导体产业屈服，反而激发了中国企业自主研发的决心和斗志。
在我国光刻机的研发征程中，上海微电子无疑是中流砥柱。
面对国外的技术封锁和重重困难，无数科研人员夜以继日地艰苦攻坚。
经过不懈努力，上海微电子成功研制出了DUV光刻机，填补了国内光刻技术领域的空白，打破了国外长期以来的技术垄断局面。
这一成果向全世界有力地证明了中国在光刻机技术领域的实力与决心。
这款DUV光刻机具备 90nm及以下的芯片制造能力，在光源、光学系统、精密机械等多个关键技术环节取得了显著突破。
其照明波长为193纳米，分辨率达 65纳米，套刻精度为 8纳米，已达到国际同类产品的较高水平，为我国芯片制造产业提供了重要的技术支撑。
在EUV光源技术方面，我国也取得了令人瞩目的进展。
哈工大自主研发了放电等离子体极紫外光刻光源，直接将光源技术提升到了13.5纳米。
这种电能产生等离子体提供紫外光的技术路线，与ASML的激光轰击锡液滴产生极紫外光的技术路线不同，为我国高端光刻领域光源的国产化需求提供了有力保障。
在零部件生产环节，众多国内企业积极投身其中，实现了部分关键零部件的国产化替代。
以光刻机的光学镜片为例，国内企业在非球面镜片的制造技术上取得了重大突破，能够生产出满足高精度要求的镜片产品。
在整机制造方面，上海微电子等企业发挥龙头引领作用，整合产业链资源，实现了光刻机的规模化生产。
此外，产业链上下游企业之间的协同创新能力也在不断增强，形成了良好的产业生态，从原材料供应、零部件制造、设备组装到售后服务，各个环节紧密配合，为我国光刻机产业的持续发展提供了坚实的基础。
