2024年9月，上海微电子一项编号CN202310226636.7的专利引爆全球半导体圈。这项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的技术，首次在EUV光刻机核心子系统取得实质性突破。通过电场约束+氢自由基反应技术，带电粒子污染减少率超90%，镜面寿命提升至1000小时，直接击穿西方对于我国在EUV光刻机领域发展的“技术蔑视”。
另外，当哈尔滨工业大学凭借“放电等离子体极紫外光刻光源”技术斩获创新大奖，上海光源的小型加速器实验则为下一代FEL路线铺平道路，这场持续十年的光刻机围剿与反围剿之战，终于迎来历史性转折点，而全球半导体产业链也将迎来重构。
二、技术路线解析：国产EUV的“三驾马车”
回顾2019年，我国遭遇西方市场的“芯片围剿”，陷入腹背受敌的困难时刻，其中最核心的难题就集中在EUV光刻机的“缺失”，如今六年时间过去，我国在EUV光刻机领域也逐渐走出了自己的道路：
LPP路线：对标ASML的“稳中求进”上海微电子公开的LPP光源专利，通过优化锡靶轰击技术，将光源收集效率提升至15%，较ASML方案减少30%的镜面污染。此次技术破局，虽然没有完全实现EUV光刻机的整机突破，但是却解决了ASML耗时15年攻克的无人控制难题，为未来国产EUV光刻机的设备维护成本降低提供了巨大帮助。
DPP路线：哈工大的“弯道超车”哈工大的放电等离子体技术（LDP）颠覆传统路径：通过高压电场激发锡云产生等离子体，能量转换效率达4.5%，是ASML激光方案的2.25倍。该技术将光源系统体积缩小40%，维护成本降低50%。
FEL路线：上海光源的“未来布局”上海光源团队基于同步辐射加速器，研发出直径28米的小型化自由电子激光装置，可输出功率250W的13.5nm EUV光，为工业级应用奠定基础。
当然，这主要是集中在光源系统上的三大技术路线，而在EUV光刻机的其它部件上，我们也在快速破局。
三、产业链突破：从“单点开花”到“系统集成”
光源：哈工大长脉冲激光器实现10kHz重复频率，单脉冲能量500 mJ，支撑DPP光源稳定运行。
光学系统：华为反射式物镜专利采用多层膜自适应补偿技术，将波前畸变控制在λ/50以内（λ=13.5 nm），解决柯勒照明均匀性难题。
双工件台：中科院3D-TSV光刻部件实现0.12 nm步进精度，速度达1.2 m/s，匹配ASML最新机型。
四、挑战与差距：国产EUV的“最后一公里”
当然，目前国内EUV光刻机的整机发展还需要时间，例如在掩膜系统方面，我们的国产化率还比较低，需要更多的时间去完成突破，而这也是国产EUV光刻机发展上的“最后一公里”，不过，这最后一公里的距离已经不远了，毕竟，我们是最善于创造奇迹的国度，从原子弹到盾构机，从北斗系统到大飞机C919，我们给世界创造了太多次的奇迹。
所以，接下来在EUV光刻机领域，我们也将继续不断的创造更多的奇迹。而一旦，国产EUV光刻机突破，那么，我们最擅长的“成本革命”，将让ASML的好日子彻底被颠覆，同时台积电等芯片代工巨头的市场份额以及利润都将被重新改写。
而在我国快速破局的同时，国际市场的态度也在悄然发生改变。
五、国际影响：全球半导体格局生变？
ASML态度转变：从“全面禁售”转向提议在华设立维修中心，试图以服务换市场。
技术范式竞争：美媒评价我国DPP路线“可能催生EUV 2.0时代”，因其兼容更短波长（5-7nm）。
六、结语：我国半导体的“登月时刻”
国产EUV光刻机的突破不仅是设备自主化，更标志着精密加工、超净材料等高端制造体系的全面升级。若能在2025-2028年窗口期内实现光源功率突破和产业链协同，我国有望成为全球首个同时掌握LPP、DPP、FEL三种EUV技术的国家。当前我们正从规则的追随者，变为标准的制定者。
所以，国产芯片产业链的发展情况已经越来越清晰了。
