大家好，我是飘雷。
时间又到了一年一度的双十一大促，各大电商平台的促销活动正在如火如荼举行，相信也有不少朋友准备趁此机会入手自己心仪的SSD。
我自己近两年已经上手测试过几十款SSD了，在选购SSD时还是有一些自己的心得，年初也分享过8000余字的SSD选购闭坑扫盲指南。
鉴于有些朋友反映，上一篇选购指南中的知识点有些晦涩，所以本期就为大家带来更加简明扼要的双十一SSD选购思路吧，另外找来4款最近热度颇高的PCIe4.0 SSD进行了专业向的深入对比评测，并形成了万余字的详细横评报告（字数较多，建议先Mark再慢慢看）。
衷心希望本文能抛砖引玉，能帮助大家了解到底如何才能抽丝剥茧，在市面上琳琅满目的SSD产品中慧眼识真，趁着双十一大促的机会买到自己心仪的SSD产品。
话不多说，Let's go！
一、SSD简要选购思路这部分为了方便大家理解记忆，咱们不啰嗦，尽量用几句话带过，理解基础知识大体方向就行了。
1.选择接口对于大部分兄弟来说，我们最常接触到的还是消费级固态硬盘，主要分为2.5寸SATA SSD和M.2 SSD两种规格，其中又以M.2 SSD最为常见。
其中M.2接口的SSD也有SATA和NVMe两种协议，大家根据自己现有的电脑接口来购买，不要买错，咱们目前新装机时购买新硬盘一般基本都是M.2 NVMe规格的了。
2.选择PCIe协议由于SATA SSD的应用场景比较狭窄，所以我们主要考虑NVMe M.2 SSD的问题。
NVMe协议的M.2 SSD走的是PCIe通道，满速PCIe3.0 x4的M.2 SSD读取速度能达到3500MB/s左右，满速PCIe4.0 x4的M.2 SSD更是能达到7000MB/s以上。
同时NVMe SSD是可以向下兼容的，比如PCIe4.0 SSD完全可以插在PCIe3.0和PCIe2.0的M.2插槽上使用，只不过读写速度会受到接口的带宽限制而已。
所以个人建议优先选择PCIe4.0 SSD，假如主板只支持PCIe3.0接口的话，PCIe4.0的硬盘插在3.0接口上虽然速度会被限制，但是温度表现也会比原生PCIe3.0的SSD更好些，更何况以后升级了平台还能继续用。
而PCIe5.0 SSD虽然速度快，但是太热太贵，对普通用户来说实际体验还提升不大，暂时还不太建议入手。
3.选择存储颗粒目前消费级SSD市场中我们能买到的存储颗粒主要分为TLC和QLC两种，建议大家优先选择TLC颗粒的SSD，在寿命和性能方面更有优势。
其实QLC的SSD也不是不能用，起码对于普通家用用户来说没啥能明显感知的区别，只不过目前QLC颗粒还处于起步阶段，在数据密度和性价比方面优势不大，所以建议大家再观望一下，等等技术进步。
NAND颗粒的存储单元会在写入时按电位表施压充电，读取时按电位表反查数据。
TLC、QLC二者的区别在于，TLC在1个储存单位中存放3位数据，QLC在1个储存单位中存放4位数据。
每个单元存储的数据位数越多，需要的电位精度就越高，充电就更困难，检验失败还需要重新充电，写入就变得很慢，同时充电也会对浮栅晶体管造成更大损耗；读取时也需要更高的精度，因此也会稍慢。
而这也是QLC的写入性能和寿命要比TLC差一些的主要原因。
4.选择DRAM方案有独立DRAM缓存颗粒的SSD我们一般称之为有缓盘，随机读写性能更好，多为各家厂商的高端或旗舰产品，典型代表为海力士P44 Pro、三星SN850X、三星990Pro等，缺点是高性能带来了高发热，同时价格也是齁贵齁贵的。
反之，没有DRAM缓存的方案则称之为无缓盘，例如本文将要测试的致态TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部数据SN770、金士顿NV3和国产的佰维NV7400等等。
无缓SSD的真实随机读写性能稍弱于有缓SSD，不过优点是价格便宜，同时发热量大大减小，非常适合笔记本、迷你主机等散热空间狭小的设备。
对于大部分普通用户来说，个人其实更推荐无缓SSD。
5.选择SSD品牌就跟咱们买家电喜欢买大厂产品似的，固态硬盘领域也有大厂与小厂之分。一般来讲大厂的品牌背书质量更加稳健，小厂的产品性价比更高，咱们还是要对这块有个了解，然后结合自己预算和使用需求来综合权衡。
目前世界上能自主生产存储颗粒的厂商很少很少，能用上自家工厂生产的NAND颗粒的品牌才有资格被称为原厂固态，具体来说只有致态（长江存储）、三星、西数、SK海力士（Solidigm）、东芝（铠侠）、美光（英睿达）这几家而已。
比较推荐大家在预算充足的时候优先入手原厂SSD，在存储颗粒可以自产自销的情况下，物料来源的质量和稳定性都最好，不用担心某些三方厂商一样偷偷换硬件方案（说的就是你，X士顿）。
同时，原厂SSD技术雄厚，可以搭配自产的主控芯片或者自行调校固件，一般会有更强的性能表现。
6.选择PCB布局这是一个很小的细节，一般不会有人注意到，不过在有些时候还真挺重要的。
M.2 SSD可以分为单面布局和双面布局，建议大家尽量选择单面布局的SSD。这类产品在背面没有存储颗粒之类的元器件，兼容性更强，在迷你主机或者笔记本电脑中加装时不用担心因为过厚导致无法安装的窘境。
另外单面布局的SSD，其发热集中于正面，方便我们使用散热片或者主动气流来进行散热，整体的发热表现要更好。
具体来说，在预算充足的情况下，更推荐大家入手原厂的PCIe4.0无缓SSD，尤其是咱们自家的致态TiPlus7100。那么可能有的朋友就要问了，致态TiPlus7100的实际表现究竟如何？与国外大厂的PCIe4.0无缓旗舰SSD相比，处于什么水平呢？
所以本次我斥巨资入手了致态TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部数据SN770和金士顿NV3这4款1TB容量的SSD进行横向评测，并形成了接近万字的分析报告。
是骡子是马拉出来溜溜，性能孰优孰劣，一对比就立刻就有结果了。
首先，这里我把参与横评的4位选手的主要信息整理成表格，方便大家对比。
其中每一行横向对比时，绿色代表更优，黄色代表普通，红色代表参数弱一些。可以看到致态TiPlus7100和三星990 EVO Plus占优的项目明显更多。
接下来咱们来具体看看这4位选手：
1.致态TiPlus7100 1TB
TiPlus7100是一款PCIe4.0满速无缓盘，采用了基于长江存储晶栈®Xtacking®技术架构的存储颗粒，该架构即便在世界范围内来说都属于技术最先进的一档。
作为长江存储旗下唯一零售存储品牌，致态给TiPlus7100用上了国产固态中体质最好的长存原厂颗粒，是真正的国产固态硬盘标杆，无论性能、质量还是寿命都是同类产品的上优之选，很推荐预算充足的朋友入手。这款SSD也是今天4位选手中我最推荐的。
2.三星990 EVO Plus 1TB
990 EVO Plus是三星刚刚发布的PCIe4.0无缓旗舰SSD，主控与存储颗粒都为三星自产，目前价格不便宜，1TB的售价接近600元。
目前市面上对这款SSD的深入测试比较少，作为存储领域龙头企业之一的新品，我自己还是很有兴趣了解一下的，本次顺带测试一下这款新贵的性能表现。
3.西部数据SN770 1TB
在西数系列的SSD产品线中，SN850X是PCIe4.0有缓旗舰盘，而在无缓盘这边，目前定位最高的竟然是SN770这款有点旧的PCIe4.0半速盘，让人有点摸不着头脑，感觉西数在产品节奏方面有点懈怠了。
不过从测试结果来看SN770本身还是原厂SSD中比较优秀的，毕竟有自产颗粒+自产主控的加持，技术力还是有的。
4.金士顿NV3 1TB
金士顿虽然是老牌大厂了，但实际上它家的SSD其实并非原厂盘范畴，本质上来说和佰维、光威等一样都属于第三方存储厂商，甚至阿金都还没有自己的颗粒封装产品线咧。
不过由于金士顿的存储产品在线下渠道商的销量很高，还是有相当一部分消费者很认可这个品牌的，以至于经常有朋友认为这是原厂盘。所以这次还是选了刚上市不久的NV3来参与对比测试，同样为大家展示一下性能。
有一说一，这块盘其实很有点奇怪。
看标称性能参数和320TBW的耐用度，给人的第一印象是，这似乎是一块QLC SSD。
但是实际测试过程中发现，在大部分项目中NV3就是TLC盘的性能指标，但是SLC缓外写入速度又像QLC盘，让人摸不着头脑。
揭开贴纸瞅了眼，颗粒被重新打上了金士顿自己的标，看不出原始制造商，主控是群联的PS5027
-E27：
所以在完成测试之后，我回过头额外用FlashID看了一眼，确认我手头这一块使用的是东芝的TLC颗粒。
按理说一块1TB容量的TLC SSD，没必要只给320TBW的，鉴于金士顿在NV2上各种让人眼花缭乱的颗粒方案组合，所以不排除这块盘在后期有更换为QLC颗粒的可能性。
简单看过外观后，咱们首先使用CrystalDiskInfo来看一眼这四款SSD的SMART参数：
可以看到，致态TiPlus7100和三星990 EVO Plus采用了NVMe 2.0协议版本，而西数SN770和金士顿NV3则采用了旧一些的NVMe 1.4版本。NVMe 2.0协议相较于NVMe 1.4而言技术更新，可以减少对存储数据的重写，降低硬盘的写入放大系数，减少CPU计算负荷，提高SSD性能和寿命。
另外4款SSD中，致态TiPlus7100的可用容量最大，为1024.2GB（10进制），其他三款SSD均为1000.2GB。
接下来再来查看一下CrystalDiskInfo没有列出的更详细的SMART信息：
这其中比较值得我们注意的就是SSD的功耗档位设置与温控策略了，我整理成了表格方便对比：
可以看到，由于这4款SSD均为DRAM-Less无缓盘，所以功耗都不高，致态TiPlus7100和金士顿NV3的最高功耗也不过只有6.5W而已，实际使用时其实还要低于这个功率。而在功耗墙方面，致态TiPlus7100设置的比较宽松，警告温度为90℃，温度墙为95℃，超过这个温度就要触发降速了，其他几块盘的温控设置如表中所示。不过温度墙数值高并不意味着发热高，致态TiPlus7100在实际使用过程中的发热反而是4款SSD中比较低的，这一点会在下面的温度表现环节进行详细展示。由于Windows中2进制与10进制的换算关系（在Windows的资源管理器中明明用二进制的GiB来计算容量，可是非要显示10进制为GB），4款SSD上机后在Windows磁盘管理器中显示的可用容量都会减少一些，这是正常情况，并非厂商偷工减料导致。
如下图所示，致态TiPlus7100在Windows中的可用容量为953.87GiB（二进制），其余三款SSD均为931.5GiB，对用户来说致态相当于直接多给了20多GiB的可用容量，还是挺好的。
测试平台本次测试使用的测试平台配置如下：
CPU：intel i5-14600KF主板：AORUS Z790 ELITE X内存：佰维 DX100 DDR5-6800 16GB X2SSD：Intel 傲腾900P 280G（系统盘）、雷克沙ARES 4TB（对拷盘）显卡：蓝戟Intel A380系统：Windows11 专业版 24H2需要说明的是，SSD的性能除了会受到CPU主频和单核性能影响以外，整个平台的PCIe有效载荷Maximum Payload Size（MPS）也会对测试结果产生影响——正常来讲，MPS越大，数据包传输效率越高，带宽上限更大。
目前消费级PC平台中，只有AMD处理器才能支持512字节MPS，理论上PCIe4.0x4接口可以提供7.56GB/s的数据传输速率（7.877GB/s x96%）；Intel平台只支持256字节的MPS，实践中PCIe4.0x4接口的理论速率上限就被限制到了7.24GB/s以内（7.877GB/s x92%）。
所以在CrystalDiskMark等软件的测试过程中，可能会发生顺序读写速度被Intel平台所限，无法达到官方标称性能的情况，还请大家理解，这并不是SSD本身质量问题导致。
基础测试1.CrystalDiskMark作为最常用的硬盘测试软件之一，CrystalDiskMark能够非常直观的展示SSD在SLC缓内的读写性能表现，大部分SSD厂商的标称参数也正是由该软件测试而来的。在对4款SSD进行格式化后，使用CrystalDiskMark分别对其进行测速。
根据CrystalDiskMark的测试结果，在顺序读写方面，致态TiPlus7100的读取速度为7108.75 MB/s，写入速度为6398.11 MB/s，7读3写混合速度为5969.19 MB/s，无论是单纯的读/写还是混合读写性能，均排名第一。其余3款产品按从强到弱的顺序排列，分别是三星990 EVO Plus、金士顿NV3和西数SN770。
而在多队列多线程的最高随机读写速度方面，可以看到致态TiPlus7100在随机读取方面成绩最好，随机写入性能位居第三名。
Q1T1 4K随机读写性能方面，除了金士顿NV3以外，其余3款SSD在重要的4K单队列随机读取项目中均取得了90 MB/s以上的好成绩。
这里需要提醒大家，像CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark和Txbench的基础测试这类软件，对SSD的测试结果是浮于表面的，只有参考价值，大家一般看看顺序读写速度即可。
这类软件测试原理和测试项目基本相同，在左侧都会罗列几种不同队列的测试项目，在测试过程中都会先在SSD的SLC缓存内生成一块固定容量存储空间用于读写测试，所以一般选择其一用来测试即可，并且部分测试项目会受到SLC缓存的加速作用影响，并不能完全代表SSD的真实性能表现。
所以如果你看到一份SSD测评中只有几个类似软件的测试结果，那大概率是作者在灌水，或者并不懂SSD吧，总之参考意义就不大了。
2.Windows大文件读写Windows的文件资源管理机制其实很拉胯，以咱们平时最常用的复制——粘贴操作为例，在Win10下单进程的实际读写速度通常在3GB/s左右；即使升级到Win11，单进程写入速度也基本很难超过4GB/s。
在这里我使用FIO生成了一个100GB的不可压缩伪随机数据测试文件，首先从对拷盘中向4款SSD中进行写入操作。
最终汇总的写入曲线如下图所示，由于有着SLC缓存的加持，4款SSD的写入曲线都很稳，基本都没啥波动。
把大致的写入速度汇总成柱形图可以看出来，还是致态TiPlus7100速度更快一些。
而读取测试时，就要将刚才写入4款SSD中的100GB测试文件再复制到对烤盘，最终曲线汇总如下：
可以看到在单文件读取方面，4款SSD中也都没啥问题，偶发的波动应当是对烤盘端导致。同样在该项测试中，也依然是致态TiPlus7100的速度最快：
另外这里三星990 EVO Plus的读取速度明显比其他3款SSD低一些，个人盲猜是由于这款SSD的WriteBack策略太积极导致，在读取测试时正好遇到了主控将SLC缓存中的数据回写至TLC区域的过程，耽误了部分性能。
3.Fastcopy大文件读写测试由于Windows的复制粘贴只是利用了SSD的单队列读写性能，为了观察在实际使用时这几位选手的极限顺序读写性能，这里我们使用Fastcopy同样对刚才的100GB测试文件进行读写操作，并分别对比消耗的时间。
使用Fastcopy对4款SSD进行写入的截图汇总如下：
读取截图也如下图所示：
将以上数据做成图表可以进行更直观地对比。可以看到，在使用Fastcopy写入时，4款SSD的耗时相差不大，误差不过1秒左右。
倒是读取100GB文件的耗时有了较大区别，其中西数SN770和致态TiPlus7100的速度最快，二者耗时分别为21.2s、21.4s，金士顿NV3的耗时要比二者长了3.5s左右，而三星990 EVO Plus的读取速度最慢，耗时竟然达到了31.5s。
应用场景模拟测试1.PCMARK 10 完整系统盘基准测试有很多朋友很关注将SSD作为系统盘时的使用表现，但是实际这个关于是否流畅的体验很难用语言描述，毕竟主观感受真的没有量化数据来得清晰。
尤其像咱们日常使用Windows系统时，由于系统在后台运行的进程往往不受我们控制，很难自行规划一个排除变量的测试流程。
所以这里我们使用PCMark10的完整系统盘基准测试功能，来对SSD实现量化评估，而不是像某些KOL一样，将被测盘作为Win系统盘时使用游戏加加对其进行测试，并且测得SSD读写延迟低于CPU三缓后，宣称西数SN5000S是一款“读取密集型固态”——后台进程你都控制不了，变量都无法排除，还测个什么劲儿呢测？啥时候消费级SSD也配称作读取密集型了？
图源：@HOMOLAB
PCMark 10的完整系统盘基准测试包含23项测试场景，每个场景都会运行三次，通过对来自流行应用程序和常见任务的相关实际硬盘轨迹跟踪，可以全面而且反映现在最新存储设备的性能。
具体来说，测试项目包括Windows 10启动、应用程序/游戏启动、复制多个大文件和许多小文件、Office和Adobe应用程序运作时的硬盘轨迹等。
PCMARK 10自带对比功能，可以看到，除了西数SN770得分相对略低以外，其余3款SSD分别都达到了4000以上的高分。可以说，4000分基本可以看做一个分水岭，超过这个分数的，都是目前消费级PCIe4.0 SSD中的T0旗舰水平。
而西数SN770的3650分其实也不算低了，也是比较优秀的成绩，只是和三位大哥同台竞技，才显得稍微弱了一丢丢而已。
2.LightRoom文件载入时长对比为了贴合PCMARK 10更倾向于办公场景的测试，这里我决定实战一波，在这4款SSD上，分别使用Lightroom导入总大小为6.36GB的191张RAW格式照片，并对导入耗时进行记录与对比。
4款SSD的导入耗时如下图所示：
这里还是用图表来展示，4款SSD中，导入最快的是致态TiPlus7100的18s，其次依次是金士顿NV3的19s和西数SN770的19.5s紧随其后，只是没想到三星990 EVO Plus的成绩要显著慢了一截。
3.《黑神话:悟空》载入时长对比接下来还是用实际游戏的载入速度来称称斤两吧。
这里我通过STEAM安装了128GB的《黑神话：悟空》，并且选择其中的基准测试项目，来横向对比4款SSD加载进入测试画面的耗时。
可以看到，实际加载《黑神话：悟空》测试工具时，速度最快的是致态TiPlus7100的18.2s，西数SN770也是基本无差的18.3s，金士顿NV3比二者慢了1s左右，反倒是三星990 EVO Plus加载需要22.8s，耗时还是长得挺明显。
要知道我可是刚安装完游戏就立马进行测试的，理论上来讲其实游戏文件应当还处于SLC缓存范围内才对，搞不太懂为啥三星990EP的表现明显不同，或许是黑猴子128GB的文件体积已经超出了其SLC缓存容量的缘故？
专业向测试1.全盘读写曲线 & SLC缓存方案对比为了深入探索4款SSD的SLC缓存方案，这里我们对其进行RAW格式下的全盘范围顺序读写测试（128KB，Q32T1），并以曲线图的形式为大家展示，各家方案的区别一眼就能看出来。
仔细观察致态TiPlus7100的全盘写入曲线，可以看到这是国产SSD中非常常见的三段式特征，标准的动态SLC缓存方案，特别适合大容量数据集中写入的操作。
空盘状态下，致态TiPlus7100 1TB的SLC缓存在150GB左右，环内写入速度在5600MB/s左右，调用了一半剩余空间用于模拟SLC缓存。出缓后立刻进入第二段TLC直写阶段，并且直写速度达到了惊人的2500MB/s左右。当TLC区域用光后，进入了第三段WriteBack惩罚阶段，此时SSD要一边将SLC缓存中的数据重新释放为TLC区域，一边还要兼顾新数据的写入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能达到900MB/s上下，性能非常强劲。接下来我们再来看看三星990 EVO Plus的写入曲线：
三星990 EVO Plus 1TB的SLC缓存给的有点小，空盘情况下只有108GB左右，不过缓内写入速度挺不错，能达到6200MB/s左右。虽然不是全盘模拟方案，但是三星还是选择了把WriteBack惩罚前置，在SLC缓存耗尽后直接进入WriteBack惩罚阶段，写入速度大幅度下降至不到1000MB/s，并且波动很大，稳不下来。感觉三星的存储固件部门有些吃老本了，这个懒惰的回收策略其实挺让人摸不着头脑的。本身990 EVO Plus给的SLC缓存就较小，不利于爆发式写入任务，这下出缓后直接进入性能惩罚？缓内缓外都没吃到红利，就让人有点麻爪。西数SN770 1TB的全盘读写曲线如下图所示：
西数SN770采用的是典型的全盘模拟SLC缓存方案，虽然缓内空间很大，在空盘状态下达到了全盘的1/3容量，缓内写入的表现也不错，但是一旦遇到真正的超大量数据写入，SLC Cache耗尽后，写入速度就会一落千丈，WriteBack惩罚阶段直接跌落至500MB/s左右的速度。本来以为SN770作为西数在PCIe4.0时代的旗舰级黑盘，会延续SN750的辉煌表现，没想到它只是SN550的进阶版而已。接下来看看金士顿的全盘读写曲线，真的很有意思，值得多说几句：
金士顿NV3与西数SN770类似，也是采用了全盘模拟方案，使用剩余空间的1/3模拟SLC缓存，不过看到这条写入曲线后，我陷入了深深的矛盾，很难想象一条曲线既有TLC特征，又有点像QLC盘。首先，金士顿NV3的SLC缓存占全盘的1/3左右，正常来说正好是TLC SSD模拟SLC的比例，到这里还没啥问题。但是它出缓后的写入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到过这个速度，属实有点过于慢了，比SN770还慢。而文章开头提过的，FlashID显示结果证明了我手头这块NV3确实是TLC颗粒——那你为啥要把参数和TBW标注得像块QLC SSD一样？为啥缓外写入速度要这么慢？盲猜金士顿NV3的固件其实是为了QLC颗粒调校的？再结合320TBW，只能说后续有大概率要偷摸换成QLC颗粒。只能说阿金你是会玩整活儿的。考虑到有的朋友还是有点懵，我们来对这款SSD的SLC缓存方案做个简单的解读吧。
1.以顺序写入一次全盘的耗时来对比，汇总成图表如下，可以看到致态TiPlus7100是毫无疑问最快的，耗时断崖式领先其他3位选手：
2.致态TiPlus7100的优势还在于，SLC缓存耗尽后会先进入TLC直写阶段，高达2500MB/s的写入直写速度同样能尽量保障写入效率，反观其他位选手出缓即断崖式掉速。
这就说明，如果需要单次超大容量的数据写入工作，致态TiPlus7100采用的动态SLC缓存方案更有优势的，效率更高、用时更短。
2.SLC缓外4K随机读取性能SSD的小粒度随机存取性能是影响我们日常使用流畅性的关键。虽然SSD的真实运行过程是各种粒度、各种读写比例混杂的复杂流程，但是从4K小粒度随机读写的性能中，我们可以管中窥豹。
我们日常使用电脑时，打开软件或者加载游戏等操作，所访问的基本都是已经被挪出SLC Cache外的、在TLC区域内的数据。
在这种情况下，测试TLC区域内真实状态下的4K随机读取性能就是一件很有意义的事情。
这里为了保证测试前SSD能够进入脏盘稳态，先以128KB Q32T4顺序写入填盘两次后，再对4款SSD进行时长为600s的Q1T1 4K随机读取测试，最终得到了如下所示的SLC缓外4K随机读取速度曲线图。
将平均速度汇总成柱形图更方便对比：
致态TiPlus7100和新出的NV3并列在第一梯队，平均速度都达到35MB/s左右，基本没大差距。西数SN770取得了第三名，达到了32.85MB/s。反倒是同样最新发布的三星990 EVO Plus竟然还不到30MB/s，这是我万万没想到的。3.4K随机长时间写入测试这里简单科普下，一个SSD在正常工作期间会经历三个阶段，参考SNIA的提法，分别是：
FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、刚开封的盘。经过安全擦除的SSD也近似于FOB状态。这个时候的盘所有的页都是空白的，任何写入操作都可以直接进行编程，不需要考虑擦除、垃圾回收等操作的影响。消费类SSD的标称性能都是处于这个状态。这个阶段的测试成绩可以看做是养精蓄锐之后的冲刺，漂亮，但不可持续。
Transition：过渡或者转换状态。这个状态的性能会明显低于全新时的表现，但是又高于稳定态。不同的SSD在这个阶段的性能表现和持续时间差异较大，这与主控、固件、介质都有关系。随着技术进步，较新式的数据中心SSD会比早期的SSD更容易度过这个阶段。这个阶段可以看做是跑步期间休息了一会儿，再次跑起来的时候显得还比较轻松，但也不可持续。
Steady State：稳定态或稳态。测试成绩比之前的要低，但波动不大了，譬如连续五次测试的平均性能变化不超过20%。这是长跑的真正状态，呼吸节奏均匀，对肌肉酸痛已经麻木，配速比较稳定。随着时间持续，性能可能会进一步下降，但变化比较平缓。
由于SSD在标称容量之外，还有一些保留的空间（OP），所以，为了在测试时确保所有页被写入，设计的写入量一定要明显大于标称容量，通常操作就是直接满盘写两遍进行预处理，然后进行4K随机写入，以观察写入速度是否能够收敛。
该项测试对于普通家用用户来说其实不用太在意，毕竟我们平时使用时都会有SLC缓存加速的，不过对于极少数重度生产力用户来说，可以通过该项测试来评估SSD的主控性能和固件调校水平。
在上面的测试环节中，我们已经对4款SSD进行了长时间顺序写入操作，正好完成了填盘预处理，所以抱着别浪费机会的想法，顺带着对这4款SSD也进行了Q1T1 4K随机写入60min的项目，记录写入曲线如下（为方便理解与对照，这里使用MB/s而不是IOPS作为单位）。
如图所示，致态TiPlus7100的写入曲线几乎没有离散，很收敛，不过遗憾的是稳定之后的QD1 4K随机写入速度有点慢。
三星990 EVO Plus，总体来说看起来收敛了，不过有部分降速到几乎为0的波动极大的情况出现，另外整体的写入速度同样也不快。
西数SN770的散点图就不太好看了，肉眼可见的稳不住，无论是中段还是后段，波动都很大，稳不下来。
金士顿NV3的曲线比西数SN770的离散程度还要离谱，前半段的波动极大，后半段速度降下来之后也稳不住，无法形成收敛。
简单来说，散点图中点位越集中、越收敛，意味着在极限工况下的QD1 4K随机写入性能越稳定，从侧面也可以反映出SSD本身软硬件结合下的调校实力。
单就稳定性而言，4款SSD中表现最好的还是致态TiPlus7100，其次为三星990 EVO Plus、西数SN770和金士顿NV3。
温度表现再进行前面的测试项目时，为了排除变量，确保选手们不会因为过热降速的缘故导致测试结果出现偏差，我使用了利民的SSD风冷散热器来为SSD进行散热，效果也是极为出色。
不过考虑到大部分朋友使用SSD时都不会这么折腾，所以还是很有必要测试一下4位选手在未加装散热器时，只凭自身散热的真实温度表现。
测试环境为使用开放式机架平台上，通过延长线将SSD放置至机架外，排除主板上CPU风冷散热器和显卡风扇的主动气流干扰。
实际上对于SSD的颗粒和主控来说，只是顺序读取的话，其实负载并不算高的。
熟悉SSD的朋友们都知道，在使用CrystalDiskMark进行测试时，如果SSD发热较大，或者我们没做好散热措施，就有可能会遇到SSD过热降速导致结果不准的情况，这也从侧面说明了，CrystalDiskMark的测试过程本身就是负载相当高的场景。
更妙的是CrystalDiskMark的测试项目可以通过固定流程来排除变量，所以这里我们将散热器拆下，记录4款SSD在测试过程中的传感器回传温度，并绘制成图形和图表，以方便对比它们在高负载下的发热情况：
简单摘录曲线图中的数据吧，在室温均为20.5℃的情况下，致态TiPlus7100和金士顿NV3相对凉快得多，二者传感器记录下来的最高温度都没有超过70℃，所以在日常使用时就算不加装散热片，基本也不用怕过热降速的情况发生。
而三星和西数这边的温度就着实有点高了，最高点分别达到了103℃和100℃，对于这类发热较大的SSD来说，金属散热片之类的散热措施就成为了必需品。
尤其对于想要在笔记本电脑或者迷你主机、客厅游戏主机中加装SSD的朋友来说，一定一定要注意SSD的发热问题，散热环境不理想的情况下就不要用这么热的盘了，用致态TiPlus7100这类凉爽的国产SSD，它不香嘛？
总结
以上就是本次横向测评的全部测试了，相信大家看到这里也累了，我们就做个简要的总结吧。
1.经过对比大家就能看到，平时每次都为大家推荐的致态TiPlus7100真的是确实强。
诚然致态TiPlus7100并没有在所有项目中都取得第一名，但是无论在顺序读写速还是随机读写测试中，它的表现都上佳，就连发热表现也很优秀，适合从台式机到笔记本电脑再到迷你主机、游戏主机等等各类场景中使用。
所以说在文章开头咱并没有尬吹哈，致态TiPlus7100确实是一块非常棒的PCIe4.0满速无缓旗舰SSD，不仅没有落后于进口品牌，反而打的有来有回，称之为国产之光并不为过。
2.三星990 EVO Plus这款新品的表现让我喜忧参半。
三星作为龙头大哥，实力确实是强，990 EVO Plus也是一款优秀的无缓盘，不过在许多测试项目中都体现出固件和算法方面的颓势，感觉这两年三星在技术方面似乎有些懈怠了。
3.金士顿NV3这款新品，其实整体测下来没啥大毛病，尤其在模拟实际应用场景的测试中，表现真的不错。
不过考虑到它在SLC缓存耗尽后不到300MB/s的写入性能着实拉胯，外加奇怪的官方标称参数，以及特别像QLC的调校策略，总感觉不知道啥时候阿金就可能会偷摸把颗粒换成QLC呢，这就属实不太推荐入手了。
4.至于西数SN770，感觉并没有继承SN750在PCIe3.0时代的西数黑盘光环。
半速的顺序读写性能使得它其实撑不起西数在无缓SSD领域的架子，目前无缓盘已经逐渐成为主流，对于西数来说，迫切需要推出一款类似三星990 EVO Plus这样的满速PCIe4.0无缓盘来填充产品线。
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