为了解决“缺芯少魂”的问题，国家正在大力推动国产芯片的加速替代，众多半导体厂商纷纷投入到技术自研当中，推动国产芯片产能和技术的快速增长。在半导体领域当中，光刻机可以说是备受瞩目的存在，尤其是生产先进芯片不可或缺的高端EUV光刻机，更是受到了不少国人的关注。

作为人类目前技术最为复杂的设备，EUV光刻机的研发制造难度极高，其中拥有数万个零部件，来自于全球5000多家供应商的出货。甚至ASML的前任总裁还认为，没有任何国家可以单独完成EUV光刻机的研发。可实际上，如今在EUV光刻机领域，我国正在进行饱和式研发，并且发展速度不断的加快。

在传统的EUV光刻机方面，ASML采用的是LPP光源技术，这种技术能够通过高功率的CO2激光轰击锡液滴靶，从而生产12.5nm的极紫外线光。这种技术已经在实际应用当中得到了验证，其可行度非常之高，并且还形成一条完整的技术链路。

可是问题在于，这一技术相关的专利已经被ASML申请，哪怕我们在这一技术领域当中自主研发突破了相关的技术难题，也会受到专利的限制，在国内外市场上都会受到不小的影响。也正是因为这个缘故，国产EUV光刻机想要完成突破，最好的方式还是探索其他新的技术路线。

从目前公开的信息来看，我国在EUV光刻机领域正在进行饱和式研发，除了传统的LPP光源技术之外，我国还在开发和尝试DPP光源、SSMB光源技术以及光纤激光器、自由电子激光器EUV光源技术。

广东省智能机器人研究院就在尝试通过光纤激光器来激发锡液滴靶产生极紫外线，这种技术虽然与ASML的技术存在一定的相似性，但是本质上却有着极大的不同，上海光学精密器械研究院目前也正在研发类似的技术，并且还在尝试使用了掺铥光纤维激光器，这种方式能够进一步有效的提高光源效率。

还有前一段时间备受关注的清华大学“EUV光刻厂”技术，也就是SSMB EUV光源项目，目前正在雄安新区展开。这种光源技术的光源体积庞大，拥有十分出色的能力，能够有效的降低光刻机的运营成本。

在自由电子激光EUV光源技术方面，中国工程物理研究院的研发进度也十分迅速，目前已经取得了很多重要性的突破进展。

最重要的是，从公开的信息来看，我国目前已经公布的各种EUV光源技术方案，拥有更高的功率和效率，表现出ASML的EUV光刻机光源功率还要更加出色。

EUV光刻机作为如今最复杂的设备，自然不可能只有光源这一核心问题，除了光源之外，还有双工作台、物镜等核心组件，对于EUV光刻机来说都是必不可少的存在。除此之外，整机的组装、工作环境的稳定等，都是EUV光刻机的核心难题之一。

从目前公开的消息来看，我国在双工作台方面基本上已经完成了突破，技术水平能够满足EUV光刻机的制造需求，物镜等领域的发展也十分的迅速，并且还正在加速完成。一旦完成了EUV光刻机的国产替代研发，那么中国芯片产业链必然会进入了一个高速发展的阶段。

从芯片设计角度来看，我国在EDA设计软件、芯片指令集架构等方面都发展迅速，华为海思等中国企业的芯片设计水平也在迅速提升当中。在芯片制造方面，中芯国际、华虹半导体等中国芯片制造厂商，产能正在迅速提升当中，在先进工艺方面的发展也已经迈入快车道。

从麒麟9010芯片的性能表现来看，中国芯片制造厂商基本上已经突破了7nm乃至是5nm制程的芯片工艺，目前缺少的就是足够的EUV光刻机来进一步扩大产能，支持先进制程技术的研发。

在芯片封测领域，中企表现也十分出色，长电科技等中国芯片封测企业已经进入全球前十的行列，利杨半导体更是掌握了封测3nm制程芯片的技术水平能力。

按照如今的发展情况来看，其他半导体设备方面中企基本上也实现了28nm制程的国产化替代，可以说EUV光刻机已经是我国建设国产芯片产业链的最后一块拼图。相信在这种饱和式研发的推动之下，中国的国产EUV光刻机突破也只不过是时间问题罢了。

目前我国已经基本上完成了EUV光刻机的光源样机制造，接下来就是从EUV光刻机的整体情况入手，想必距离国产光刻机问世也已经不远了。

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