没有EUV光刻机，也能制造出等效于7nm的芯片

众所周知，现如今制造7nm芯片，通常需要使用EUV光刻机。然而，最近有一款领先品牌的芯片却达到了等效于7nm的级别，其晶体管密度高达98MTr/mm2，相当于每平方毫米有9800万个晶体管，与台积电、三星的7nm工艺相媲美。这一消息迅速引起了网友们的关注和热议，不仅国内，就连海外媒体也纷纷展开了对这款芯片的拆解和分析。最终得出的结论是，这款芯片并没有EUV光刻机的痕迹。这一成果的出现证明了，制造7nm芯片并不一定需要依赖EUV光刻机。ASML公司，作为全球唯一能够生产EUV光刻机的企业，也为此松了一口气。如果这款芯片出现了EUV光刻机的痕迹，ASML恐怕会成为众矢之的。因为美国不允许ASML将EUV光刻机出口到中国大陆，ASML决不敢承担这样的风险。

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这款不依赖EUV光刻机制造的等效于7nm的芯片究竟是如何实现的呢？事实上，通过浸润式光刻机，多次曝光的方法完全可以实现7nm工艺。而多重曝光方式包括LELE（多层多暴光）、LFLE（多层多焦点曝光）和SADP（自对准双距透镜模式）等等。与使用EUV光刻机相比，采用多重曝光方式意味着工艺更为复杂，良率和效率会下降，而成本则会增加。然而，当其他选择都不可行时，多重曝光方式仍然是一个可行的选项。早期台积电采用的第一代N7工艺也是使用浸润式光刻机，比如苹果的A12芯片和华为海思的麒麟980芯片，都是基于浸润式光刻机生产的。台积电直到第二代N7工艺才开始引入EUV光刻机，并在当时强调这是EUV7nm工艺，与非EUV工艺进行了区分。因此，使用浸润式光刻机制造7nm芯片并非是一件不可思议的事情。而国内现在越来越多的浸润式光刻机购买和自主研发，使得我们拥有制造7nm芯片的能力和底气。

未来或可用现有设备制造5nm芯片

近期，浸润式光刻机之父、前台积电研发副总林本坚提出了一个令人振奋的观点，他认为中国大陆甚至可能利用现有设备进行改进，制造出5nm级别的芯片，并非必须依赖EUV光刻机。这一观点引发了广泛的讨论。如果这一观点成为现实，将不仅仅是中国大陆的芯片制造产业受益，全球约98%的芯片制造也将成为现实。对于这一未来的前景，我们充满期待。

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虽然林本坚提出的观点还没有得到验证，但我们不能否认这样的可能性存在。如果中国大陆真能在不依赖EUV光刻机的情况下，利用现有设备进行创新和改进，制造出5nm级别的芯片，将对整个芯片行业产生巨大的影响。在全球芯片市场中，中国大陆的制造能力和技术水平起到了至关重要的作用。这一新观点的出现，给了我们更大的信心和动力，鼓舞了整个行业的士气。同时，我们也期待这一技术突破的实现，因为它将不仅提升了中国大陆在全球芯片制造领域的地位，也有望促进行业的创新和发展。

总结：

从上述讨论可以看出，制造7nm芯片并非一定需要EUV光刻机，而是可以通过多重曝光的方式在浸润式光刻机下实现。虽然这种方法相较于使用EUV光刻机来说工艺更为复杂，成本和效率也会有所增加和降低，但这不妨碍我们的能力和底气。国内拥有大量的浸润式光刻机，并且正在加紧自主研发，未来有望突破5nm级别甚至更高水平的芯片制造。林本坚提出的利用现有设备制造5nm芯片的观点，也引发了行业内外的关注。我们期待着未来芯片制造技术的突破，相信这将为全球芯片产业带来新的变革和发展机遇。同时，我们也要保持谨慎乐观的态度，面对未来的挑战和机遇，持续推动科技创新，助力我国实现芯片制造的自主化和国际领先地位，为人类科技进步做出更大贡献。