2024年底哈尔滨工业大学航天学院的赵永蓬教授团队给我们带来了一个震撼的好消息：他们成功研发出了“放电等离子体极紫外光刻光源”。这个光源的波长为13.5纳米，打破了国外技术的垄断。
咱得了解一下极紫外光源（EUV）的重要性，EUV光源是EUV光刻机的核心部件，光刻机就像是芯片制造过程中的“印刷机”，负责把芯片上各种微小的电路图案刻画出来。可以说，EUV光源的质量直接决定了芯片的精细程度。它的波长越短，能够制造的芯片就越小、性能就越强。我们国家如果能够掌握这一技术，意味着在先进芯片的制造上，咱也能和世界一流的技术公司平起平坐了。EUV光源的技术一直被国外的几家巨头垄断，尤其是荷兰的ASML公司。这家公司几乎占据了全球市场的主导地位，其他国家和公司想要突破这一技术壁垒，一直是个难题。直到哈工大的赵永蓬教授团队打破了这个局面，成功研发出了自己的“放电等离子体”光源技术，这就为我们打开了一扇新的大门。哈工大的技术和ASML的方案有很大不同。ASML使用的是激光等离子体技术，这种技术虽然先进，但也非常昂贵，制造难度大，成本高。而哈工大团队使用的是“放电等离子体”技术，这种技术能量转换效率高，成本低，体积也小，是“省钱又省力”的好选择！咱们国家有了这种技术，芯片制造的成本就能大大降低。
在光源技术方面的突破，直接影响到EUV光刻机的整体成本。按照预计，EUV光刻机量产后，5纳米芯片的制造成本将降低约30%。积电在全球5纳米及以下芯片市场的占有率超过了80%，如果我们国家能够实现EUV光刻机的量产，台积电的市场份额可能会在未来3到5年内降至50%以下咱们常听到华为的名字，尤其是在芯片领域，华为一直在追赶全球最先进的技术。目前，华为的7nm芯片在市场上也算是顶尖了，但是要继续突破，迈向3nm甚至更先进的芯片，EUV光刻机的支持是必不可少的。不仅是华为，像中科院、长江存储等国内科技公司也会因此受益，大家都能借着这次技术突破，朝着更高端的芯片制造迈进。不过，咱也得理智一点。虽然哈工大这次的技术突破令人振奋，但咱们还得清楚地认识到，EUV光刻机的研发并非一蹴而就。光源技术只是第一步，接下来，还有一系列更为复杂的技术要攻克。光刻机还需要依赖微缩投影光学系统、双工件台技术等核心组件，而这些技术的研发和生产，仍然面临着不少的挑战。
幸运的是，国内在这些领域已经有所进展，虽然还不能完全赶超，但也有了不小的进步。随着时间的推移，咱们相信会有更多企业和科研团队投入到这些领域中，不断突破，不断进步。未来几年的技术发展，或许会带来更多惊喜。
