EUV光刻机，这是西方卡我们脖子的重中之重，他们认为只要不卖给中国最先进的EUV光刻机。2024年12月30日，哈尔滨工业大学在其官网上的一个新闻，这个新闻中介绍了“放电等离子体极紫外光刻光源”获得了黑龙江省一等奖，悄悄的宣告了中国在EUV光刻机核心极紫外光源领域取得的重大突破，这是对制裁和卡脖子最好的反击。
自从美国对中国的芯片产业链动手以来，特别是针对华为麒麟系列芯片所采取的极限施压，基本上等于要了华为旗下海思公司的半条命。不仅用于芯片设计的EDA工业软件不能使用含有美国技术的，就是其已经设计完成的麒麟系列的芯片也不能使用含有美国技术的光刻机进行代工，这不仅是想掐死华为，更是想掐死中国芯片产业链。用华为祭旗，控制中国相关产业，用心极其歹毒。
国产芯片产业链仅仅是处于中低端代工水平，当国内没有任何一台进口的，高端极紫外EUV光刻机的时候，说明消费级电子产品所搭载Soc芯片就无法生产，这种屈辱让我们奋发图强，在华为技术赋能和全国芯片产业链工业大摸底下，全国链上企业都开始了行动，相互协同，共同进步，让中国的芯片产业链有了快速成长的机会，逐渐完成去西方技术化和全面国产化。
2022年华为发布年度旗舰mate 60系列手机的时候，这款手机所搭载的芯片就宣告了中国有能力制造7纳米的芯片，至于说使用了什么技术，良率能达到多少，这并不是核心的问题，最核心的问题是中国已经有了自主自造7纳米工艺制程的高端芯片。9010芯片的出现震惊了世界。
高端及紫外线EUV光刻机，我们已经取得了突破，并且绕过了ASML的激光等离子光刻光源的技术壁垒，实现了我们自主知识产权的放电等离子体极紫外光刻光源，中心波长13.5纳米，已经和ASML最先进的EUV光刻机所用的光源处于同一水平，ASML最先进的EUV光刻机使用的光源就是13.5纳米的极紫外光。
核心光源问题突破之后，国产EUV光刻机将会进入快速崛起之势，如果2025年中国向世界宣布已经量产100%自主知识产权的高端EUV光刻机的消息，也不要感到意外，因为我们有那个能力，并且准备好了。
