【锚思科技讯】三星在4nm工艺上的良率仅有35%，让它失去了NVIDIA和高通等大客户，虽然三星一再否认，但高通和NVIDIA转投台积电这事不假。
前几天，三星管理层向董事会报告，显示了三星对3nm工艺的信心，表示良率已经改善。
三星表示，5nm工艺已经进入成熟阶段，还在扩大服务，4nm工艺虽然良率提升过程出现了延迟，但已经进入了预定的良率曲线，未来的3nm工艺还在准备设立一条新的研发生产线。
三星之所以重视3nm节点，是因为这个是三星在制造工艺上超越台积电的一个重要机会。3nm工艺上，三星会用上下一代GAA晶体管技术，而台积电则会继续使用FinFET。
GAA晶体管技术是一种型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能。
据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数确实比台积电3nm FinFET工艺漂亮。
当然我们最担心的还是良率问题。
