据韩媒报道，三星电子的V9NAND闪存的QLC版本尚未获得量产许可，这对其平泽P4工厂的产线建设规划造成了影响。今年4月，三星宣布其V9NAND闪存的1Tb容量TLC版本实现量产，而QLC版本将于下半年进入量产阶段。然而至今，三星仍未对V9QLCNAND闪存下达PRA（即ProductionReadinessApproval）量产准备许可。
三星电子之前规划的平泽P4工厂是一个综合性的半导体生产中心，包含四个阶段，并可制造逻辑、NAND、DRAM等产品。其中，P4工厂的第一阶段用于NAND生产，第二阶段用于逻辑代工，第三和第四阶段用于DRAM制造。但由于晶圆代工订单数量不足以及以HBM为代表的DRAM内存产品需求火爆等原因，三星在今年上半年调整了平泽P4工厂投资计划，在建设DRAM内存量线之前先建设内存量线，并延后逻辑代工线建设。
目前，在平泽P4工厂第一阶段的NAND产能为每月10000片晶圆，并提出到明年将月度晶圆投片量提升至45000片的目标。然而，V9QLCNAND并未及时得到量产许可，导致有内部人士认为应该将第一阶段的部分建设面积用于前景更明确的DRAM生产。
该报道还指出，三星电子目前在NAND市场上面临竞争激烈的局面，亟需提高产品性能以保持竞争力。因此，对于三星电子来说，在决定是否继续推进平泽P4工厂项目时需要考虑到多方面因素，并做出最佳选择。
