IT之家9月3日消息，韩媒etnews当地时间昨日报道称，三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。

消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧AI提供动力。

综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存，SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。

三星电子的LPWideI/O内存位宽达512bit，是现有LPDDR内存的8倍，较传统引线键合拥有8倍I/O密度和2.6倍的I/O带宽。该内存将于2025年一季度技术就绪，2025下半年至2026年中量产就绪。

而SK海力士的VFO技术验证样品将导线长度缩短至传统内存的不到1/4，能效也提升了4.9%。虽然该方案带来了额外1.4%的散热量，但封装厚度减少了27%。

报道指出，关于这些堆叠式移动内存如何同处理器集成尚无定论，讨论中的方案包括类似HBM的2.5D封装或3D垂直堆叠。

半导体封装行业人士表示，移动处理器如何设计与布置将影响堆叠式移动内存的配置与连接方式，这意味着新一代移动内存将根据合作伙伴的需求定制供应，彻底改变移动DRAM市场格局。