在电路中，存在 3 个 MOS 管的结电容，寄生电感源于电路走线。倘若不考虑纹波、EMI（电磁干扰）和冲击电流等因素，从理论上来说，MOS 管的开关速度越快，对电路性能越有利。这是因为开关时间越短，开关损耗就越小，而在开关电源里，开关损耗在总损耗中占据相当大的比例。所以，MOS 管驱动电路的设计优劣直接决定了电源的效率表现。
那么如何实现 MOS 管的快速开启和关闭呢？
关键在于提供足够大的瞬间驱动电流。其理论依据是：
对于单个 MOS 管，将 GS 间电压从 0 拉至开启电压或从开启电压降至 0V 的时间越短，开启和关断速度就越快，因此要在更短时间内改变 GS 电压，就需给栅极更大的瞬间驱动电流。
在MOS 驱动电路设计时，还需注意以下几点：
在栅极串联约 10 欧电阻，以降低 LC 振荡电路的 Q 值，使振荡快速衰减。
为了防止 MOS 管误导通，可以在 MOS 管 G 极和 S 极间并联一个 10K 电阻，降低输入阻抗。
此外，在 GS 之间并联约 18V 的 TVS 瞬态抑制二极管，防止 MOS 管被瞬间高压击穿。
