作为一名关注半导体行业的创作者，我最近频繁听到一种说法：浸润式DUV光刻机或许能突破技术瓶颈，制造出2nm芯片。这让我既兴奋又困惑——毕竟，在EUV光刻机被公认为先进制程“唯一解”的当下，这种可能性究竟有多大？
浸润式DUV光刻机（如ArFi机型）的核心原理并不复杂。它通过在水介质中折射193nm波长的光源，将等效波长缩短至134nm，从而提升分辨率。此前，这类设备已成功支持7nm工艺，但更进一步的制程需要依赖多重曝光技术。例如，通过SADP（双对准）和SATP（三对准）等工艺叠加，理论上可以将半间距缩小至10nm以下，这正是2nm制程的关键指标。
国际半导体技术路线图（2022年版）也指出，2025年2nm节点的最小半节距为10nm，而浸润式DUV通过多次曝光完全可能覆盖这一需求。换句话说，从物理极限来看，DUV并非“不能”，而是“如何实现”。
然而，理论可行不等于实际落地。我曾与业内工程师交流，他们提到一个关键问题：多重曝光的成本与良率。以台积电为例，其7nm工艺使用DUV时良率约为80%，但若用DUV强行推进到2nm，良率可能暴跌至50%甚至更低。这是因为每次曝光都会引入对准误差，叠加三次以上后，缺陷率呈指数级上升。
此外，经济账也算不过来。浸润式DUV单台成本约4-5千万人民币，而EUV高达上亿元7。但若为生产2nm芯片，DUV需要多次曝光，导致设备利用率下降、晶圆加工时间翻倍，整体成本反而可能超过EUV方案。一位同行调侃：“这就好比用三轮车跑长途——看似省钱，实际耗油更多。”
综合现有信息，我认为浸润式DUV制造2nm芯片的成功概率取决于三个维度：
技术突破
：能否开发更精准的对准算法？例如，ASML近期在套刻精度上的改进传闻，可能将误差控制在1nm以内。
市场需求
：如果2nm芯片仅用于小众高端领域（如军事、航天），低良率带来的高成本尚可接受。
产业链协同
：光刻胶、掩膜版等配套材料能否适配多重曝光工艺？目前日本厂商已推出专门针对DUV多次曝光的化学增强型光刻胶。
保守估计，短期（3-5年）内成功概率约30%。这并非否定DUV的潜力，而是因为EUV生态已趋于成熟——台积电、三星的2nm工厂均以EUV为核心7。但若地缘政治或供应链危机导致EUV断供，这一概率可能跃升至50%以上，正如中国部分企业正在探索的“替代路线”。
站在2025年的当下，浸润式DUV冲击2nm制程更像是一场“技术备胎”的突围。它或许无法取代EUV，但在特殊情境下，这种方案为行业提供了宝贵的灵活性。正如一位前辈所说：“芯片制造没有绝对的黑与白，在灰度的博弈中，多一条路就是多一分生机。”
