没想到今年中秋节全国为国产光刻机而疯狂！工信部新公式的国产光刻机距离全球头部公司ASML的产品还有多大的距离呢？不吹不黑，我们来分析一下。 新的氟化氩光刻机应该是上海微电子的产品，照明波长是193纳米，分辨率是65纳米，套刻精度是8纳米。注意，套刻精度和我们常说的28纳米、7纳米、5纳米制程不是一回事，事实上也没有8纳米制程工艺的芯片。 光刻机的原理非常复杂，不是简单几句话能说清楚的，我们以光刻机的一个重要参数——分辨率为例对比下与ASML的光刻机差距有多大。 前面说过，新公布的光刻机的分辨率是65纳米，与ASML的1460k光刻机分辨率相同，该光刻机属于第四世代，也就是DUV光刻机里的dry型。顺便说一句，这款光刻机的套刻精度达到了5纳米。 ASML在售的另一款dry型光刻机是1470，分辨率为57纳米。所以我们刚官宣的光刻机应该属于dry型里较先进的，但还达不到最先进的程度。 比dry型光刻机高一个世代的设备同样属于DUV，但用水作为了传导介质，所以被称为浸没式光刻机。 ASML在售的产品里最先进的浸没式设备是2100i，分辨率为38纳米，而稍早发布的浸没式光刻机1980i的分辨率也是38纳米。基于此大致能够得出第五代DUV浸没式光刻机的门槛指标之一是分辨率达到38纳米。 再往上的第六世代便是EUV光刻机了，全球只有ASML能够生产，日本的老牌半导体设备制造企业尼康和佳能也做不出来，它俩的极限是第五代浸没式光刻机。 综上所述，先不谈新公布的光刻机是否能够量产以及实际使用效果如何，理论上与全世界最尖端的设备差了整整两代。 前不久，ASML官网宣布从9月7日开始出口1970i和1980i浸没式光刻机要获得荷兰政府的批准，之前这两个型号的机器是不需要获得许可证就能卖的。 此举的目的性很明确，就是要限制我国芯片代工商获得浸没式光刻机，哪怕是相对老旧的型号也不给。往前追溯我们可以发现口子是逐步收紧的，刚开始只是不让买EUV光刻机，去年开始限制2000i及以上的浸没式光刻机，9月进一步加大限制，几乎断了中国大陆厂家购买新的浸没式光刻机的可能。 目前的状况是，我们在相关技术领域已经取得了显著的进展，差不多触碰到了第四世代技术的巅峰水平。由于我们自身技术的提升，所以没什么限制，只要有需求，就能顺利购置。 然而，在浸没式光刻机方面，情况则截然不同。我们尚未实现技术突破，还造不出浸没式光刻机，外部限制呈现出愈发收紧的态势。 这种鲜明的对比表明若想在全球高端半导体领域占据一席之地，仅仅依赖外部力量是绝无可能的，我们只能依靠自身的不懈努力尽快加快技术突破。虽然前方道路充满艰难险阻，面临着诸多技术难题和挑战，但除此之外没有其他可行的捷径可走。 以上纯属个人观点，欢迎关注、点赞@王五说说看 ，您的支持是对原创最好的鼓励！
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