IT之家10月24日消息，据本月21日铠侠、南亚科技新闻稿，两家存储企业关于新型极低漏电流内存的联合研究论文将于今年12月7~11日在美国加州旧金山举行的2024IEEEIEDM国际电子器件大会上发表。
根据活动介绍，铠侠、南亚科技将在当地时间12月9日介绍全球首款4F2GAA氧化物半导体（Oxide-semiconductor）通道晶体管DRAM——OCTRAM。
OCTRAM应属于一种GAA结构的4F2VCTDRAM，其在高深宽比电容器顶部集成了IGZO（IT之家注：氧化铟镓锌，InGaZnO）垂直通道晶体管，实现了极低漏电流，降低了内存能耗。
铠侠、南亚科技合作制造了字线和位线间距分别为54nm与63nm的275Mbit容量OCTRAM阵列，该原型在设计的电压范围内成功运行。
铠侠、南亚科技表示，这项创新技术透过制造流程改善来强化芯片整合架构发展，有望用于AI、后5G移动通信系统、物联网等领域，满足设备对节能与性能两方面日益增加的需求。
