IT之家11月4日消息，SK海力士CEO郭鲁正今日在韩国首尔举行的SKAISummit2024上介绍了全球首款16-HighHBM3E内存。该产品可实现48GB的单堆栈容量，预计明年初出样。

虽然一般认为16层堆叠HBM内存直到下一世代HBM4才会正式商用，但参考内存领域IP企业Rambus的文章，HBM3E也有扩展到16层的潜力。

此外IT之家注意到，SK海力士为今年2月IEEEISSCC2024学术会议准备的论文中也提到了可实现1280GB/s带宽的48GB16-HighHBM3EDRAM，本次推出的产品很可能就是该论文对应的研发成果。

SK海力士表示其16-HighHBM3E的AI训练性能较上代12-High产品提高了18%，推理性能更是提升了32%；这款HBM内存仍采用先进MR-MUF（批量回流模制底部填充）键合技术，SK海力士也在开发性能更为优秀的混合键合。

在DRAM内存领域，SK海力士表示除16-HighHBM3E外还正在开发基于1cnmLPDDR5和LPDDR6的LPCAMM2，这些内存条同时面向PC和数据中心市场。

而在NAND闪存领域，该企业还准备了PCIe6.0固态硬盘、基于QLC的大容量企业级固态硬盘和下代UFS5.0闪存。