据报道，韩国SK海力士集团的创始人兼首席执行官崔泰源近日表示，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应下一代高带宽内存芯片HBM4。SK海力士计划在2025年下半年推出首批采用12层DRAM堆叠的HBM4产品，而16层堆叠的HBM将在稍晚于2026年推出。
此外，SK海力士和台积电今年4月签署合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。虽然具体细节并未透露，但消息称SK海力士已经和台积电达成合作，并计划从2026年开始量产部分HBM4系列产品，而英伟达则提供产品设计。
同时，在DRAM方面，海力士正在从现有的HBM3迅速转换至8层HBM3E产品。该公司9月份开始量产的12层HBM3E产品按原定计划将于今年第四季度开始供货。由此预计，在第三季度DRAM总销售额中占据30%的HBM比重在今年第四季度将达到40%。
值得一提的是，SK海力士10月24日发布了2024财年第三季度（截至2024年9月30日）财报，显示合并收入为17.5731万亿韩元（约合908.35亿元人民币），环比增长7%、同比增长94%。
