IT之家12月4日消息，据两家韩国姊妹媒体hankyung、KEDGlobal近两日报道，SK海力士将为定制HBM4内存导入更为先进的台积电3nm工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。
随着HBM内存的演进，基础裸片（IT之家注：即BaseDie、LogicDie、InterfaceDie）承担的工作也愈发复杂，到HBM4世代基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺并支持客户定制电路，以提升AI半导体运行效率。
SK海力士的HBM4基础裸片将由台积电代工，此前台积电就已展示过N12FFC+制程“性价比”款和N5制程“高性能”款设计，而3nm版本有望进一步提升20%~30%性能。
据悉，SK海力士的标准款HBM4仍将采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则将从此前考虑的5nm升级至3nm。另外一方面，三星电子的HBM4基础裸片将导入4nm制程。
SK海力士此前曾表示将于2025下半年推出首批HBM4产品，三星电子的时间表也大致相当。
