IT之家12月4日消息，长光辰芯（Gpixel）于12月2日发布公告，宣布推出两款高速、高灵敏度背照式TDICMOS图像传感器：GLT5008BSI和GLT5016BSI。

此两款产品采用更优化的设计，具有更高的行频、更高量子效率，更好的片上集成度，更加匹配半导体晶圆检测、FPD检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。

IT之家援引新闻稿，GLT5008BSI和GLT5016BSI基于相同的架构进行设计，采用5μm的电荷域TDI像素设计，片上集成两个谱段，积分级数分别为256级+32级。

GLT5008BSI有效分辨率为8208像素，支持10bit和12bitADC输出，最高行频分别可达1MHz和500kHz；GLT5016BSI有效分辨率为16416像素，其最高行频可达到500kHz。

两款产品最高输出数据率分别为86.4Gbps和103.7Gbps,均可采用100GiGE相机接口进行数据传输。

两款产品均面向下一代更高通量、更高检出率的基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用而开发，助力高端仪器装备行业产业升级。

GLT5008BSI/GLT5016BSI根据不同应用进行ARC优化设计，分别为紫外谱段优化设计（UV）以及可见光优化设计（VIS）。

在UV版本下，其在300nm以下的峰值量子效率可达80%以上；在266nm下，其量子效率可到65%以上；在VIS版本下，峰值量子效率可高达92.4%@440nm。此外，除以上两种ARC外，也可根据用户需求，提供不同谱段ARC定制服务。

GLT5016BSI：16K背照式CMOSTDI图像传感器

GLT5016BSI是一款背照式（BSI）、时延积分（TDI）、电荷域CMOS图像传感器，水平方向有效分辨率为16416，像素尺寸为5μm，最高满阱15ke⁻。

该传感器具有优异的anti-blooming能力以及大于0.99996的电荷转移效率（CTE），最高级数支持256级，最高行频可达500kHz，在最高行频情况下功耗小于6.4W，为确保高可靠性和良好的散热性能，其采用415引脚的μPGA陶瓷封装。

GLT5016BSI具备高分辨率、高灵敏度、高帧频、低功耗等优异性能，同时片上集成了时序控制模块和电源管理模块，支持通道合并、可选扫描方向等功能，为基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用带来更加准确、简单、高效的解决方案。

GLT5008BSI：8K背照式CMOSTDI图像传感器

GLT5008BSI是一款背照式（BSI）、时延积分（TDI）、电荷域CMOS图像传感器，水平方向有效分辨率为8208，像素尺寸为5μm，最高满阱17ke⁻。

该传感器具有优异的anti-blooming能力以及大于0.99993的电荷转移效率（CTE），峰值量子效率为93.4%@440nm，得益于先进的背照式工艺和紫外量子效率优化工艺，在266nm处的量子效率大于63.9%。