IT之家12月11日消息，韩媒ZDNet当地时间9日援引行业报告表示，三星电子已于近日启动下代1cnm制程DRAM内存量产所需设备的采购，从LamResearch泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年2月左右引进至量产线。
三星电子目前尚未官宣1cnm（IT之家注：第6代10nm级制程）DRAM。报道指出三星电子的1cnm目前处于试产状态，已得到首批GoodDie良品晶粒，其首条1cnm量产线将设置于韩国京畿道平泽P4工厂。
业内人士表示，三星电子1cnm量产投资的初期规模不会很大，这是因为尚需时日来实现这一新制程DRAM良率的稳定，待工艺成熟后三星才会进行额外的投资。
此前有消息称三星电子已确认将在下代HBM4中应用1cnmDRAM，可以说1cnm的表现很大程度上决定了三星能否在竞争激烈的HBM内存市场赶上甚至超越目前的领先者SK海力士。
