IT之家12月11日消息，韩媒hankooki当地时间昨日表示，三星电子由于8层、12层堆叠HBM3E内存样品性能未达英伟达要求，难以在今年内正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到2025年。
报道表示，三星电子早在2023年10月就开始向英伟达供应HBM3E内存的质量测试样品，但一年多的时间内三星HBM3E的认证流程并未取得明显进展。
韩媒援引消息人士的观点称，由于SK海力士在HBM3E上的领先地位，实际上为这一类型的利基内存确定了性能参数标准，而三星电子的HBM3E在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求。
据悉，三星电子的HBM3E未能得到英伟达供应许可，主要因素并非与SK海力士采用了不同的键合工艺。
IT之家注：
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而三星电子与美光则都是TC-NCF热压非导电薄膜。
