IT之家12月19日消息，韩媒BusinessKorea昨日（12月18日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设10纳米级第七代（1d）DRAM测试线，旨在提升良率，扩大与竞争对手的技术差距，并力争在明年重新夺回DRAM市场的领先地位。
消息称三星已于今年第四季度开始在平泽第二工厂（P2）建设10纳米级第七代DRAM测试线，又称“onepath”线。
该测试线预计将于2025年第1季度全面建成，用于测试新产品的量产潜力，并提升良率。尽管平泽10纳米级第七代DRAM工厂的确切规模尚未确定，但通常安装测试线每月可处理约10000片晶圆。
IT之家援引该媒体报道，三星准备同步推进第七代DRAM测试线的建设与第六代DRAM的量产准备，计划从2025年初开始在平泽第四工厂（P4）引进设备，生产10纳米级第六代DRAM，并力争在明年5月获得内部量产批准（PRA）。
在人才配备方面，三星为顺利推进1cDRAM的量产，还将从华城工厂派遣DRAM相关人员到平泽工厂。
该媒体解读认为，三星此举是一项积极的投资策略，在经历了HBM市场份额被SK海力士超越，以及10纳米级第六代DRAM开发速度落后的双重打击后，三星正全力以赴，希望通过提前布局下一代产品，在明年重夺市场“霸主”地位。
