IT之家12月27日消息，比利时imec微电子研究中心表示，在本月7~11日于美国举行的IEEEIEDM2024国际电子器件会议上，该机构展示了基于NbTiN（氮化钛铌）超导材料的三类超导数字电源关键模块：互联（电线和通孔）、约瑟夫森结和MIM电容器。
imec表示其展示的技术具有可扩展性，与标准300mm（IT之家注：即12英寸）CMOS制造技术兼容，这些超导结构还能承受传统BEOL后端工艺中的420℃加工温度。
而在参数表现上，imec的第一代超导数字电路较基于常规7nmCMOS的系统能效提高了100倍、性能提升了10~100倍。
imec宣称其NbTiN互联、约瑟夫森结、MIM电容器均满足了所设想系统的工艺规范：
imec在NbTiN超导互联上采用半大马士革集成工艺构建双金属级方案，实现了低至50nm的导线和通孔临界尺寸，拥有高于13K的临界温度和大于120mA/μm2的临界电流密度；
而在约瑟夫森结部分，其通过夹在两个超导NbTiN层之间的aSi非晶态硅实现了大于2.5mA/μm2的临界电流密度；
imec还展示了使用NbTiN电极、基于HZO（Hf0.5Zr0.5O2）材料的可调谐电容器，该电容器具有约8fF/μm2的高电容密度。
