IT之家12月30日消息，韩媒thebell当地时间26日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的1enm（IT之家注：即第8代10纳米级）制程DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。
结合三星前任存储器业务负责人李祯培今年9月展示的路线图和《韩国经济日报》10月的报道，三星电子原计划在2026年推出的1dnm内存后于2027年推出基于4F2VCT创新结构的0anm内存。
韩媒表示1enmDRAM有望于2028年推出，若其最终走向商业化则4F2VCTDRAM的量产预计将至少延至2029年。
4F2VCTDRAM的优势在于其DRAM单元更为小巧，且能更有效利用垂直方向空间，但这也意味着其生产流程将引入大量新技术、新设备，将大幅提升资本支出和生产成本；相比之下延续传统结构的1enmDRAM具有明显成本优势。
内部消息人士表示，在经历缩小HBM开发团队规模导致未能在HBM市场占据有利地位的重大战略错误后，三星内部忽视非主要产品技术开发的氛围已有很大改善，这一变化推动了1enmDRAM等“备选技术”的发展。
