IT之家1月21日消息，韩媒MoneyToday当地时间昨日表示，三星电子已将其1cnmDRAM内存开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，而这一变化可能会影响到三星对HBM4内存的规划。
三星电子原计划在2024年12月将1cnm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1cnmDRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。
三星上代1bnm内存于2022年10月完成开发、2023年5月量产；如果1cnm的开发结束时间定于今年中，那么量产就要落到2025年底，两代DRAM工艺间的间隔会来到约2.5年，这明显长于1.5年的业界一般开发周期。
另一方面，三星电子在DRAM内存领域的两大竞争对手中，SK海力士已于2024年8月宣布1cnm开发成功，而美光内部的计划是在今年4月完成开发；三星很可能成为最后一家官宣1cnmDRAM的三大原厂。
1cnmDRAM本身的推迟也将影响到后续内存产品的进度，尤其是在三星期许通过其重夺HBM市场领导地位的HBM4上。三星此前计划在2025年内量产基于1cnmDRAM和4nm逻辑芯片的HBM4，以领先制程赢得竞争优势。
业内消息人士表示，三星电子也在对1cnmDRAM的设计进行调整，并尽可能地加快开发时间。
